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EMIF02-USB01F2
2线IPAD ， EMI滤波器包括ESD保护
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
2线低通滤波器+ ESD保护
高效率的EMI滤波
无铅封装
非常低的PCB空间占用： < 2.5毫米
2
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制
（ IEC61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
高还原通过寄生元件
集成和晶圆级封装
图1 。
引脚配置（凹凸面
VIEW ）
3
PUP
FL IP芯片
（ 8颠簸）
2
1
VBUS
符合下列标准
DZ
A
B
■
IEC 61000-4-2第4级
- 15千伏（空气放电）
- 8千伏（接触放电）
D+
in
GND
D-
in
D+
OUT
C
D
D-
OUT
E
应用
ESD保护和EMI滤波：
■
图2中。
概要
PUP
USB端口
VBUS
1.3K
33
DZ
D +出来
描述
该EMIF02 - USB01F2是一个高度集成的阵列
旨在抑制EMI / RFI噪声USB
端口过滤。该EMIF02 - USB01F2倒装芯片
包装装置的包装的大小等于
芯片尺寸。
此外，该过滤器包括ESD保护
电路，它可以防止损坏被保护
当受到ESD器件奔涌而出，
15千伏。
在D +
GND
33
D-出
在D-
TM ：
IPAD是意法半导体公司的商标。
2008年4月
REV 3
1/8
www.st.com
8
电气特性
EMIF02-USB01F2
1
电气特性
表1中。
符号
T
j
T
op
T
英镑
绝对额定值（T
AMB
= 25 °C)
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
-40至+85
-55到150
单位
°C
°C
°C
表2中。
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
符号
V
BR
I
RM
C
LINE
R
1
, R
2
R
3
电气特性（T
AMB
= 25 °C)
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入端之间的串联电阻
产量
每行输入电容
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3 V
@0V
容差±5 ％
容差±5 ％
40
33
1.30
民
6
0.5
45
典型值
最大
单位
V
A
pF
Ω
kΩ
坡度： 1 /路
2/8
EMIF02-USB01F2
电气特性
网络连接gure 3 。
0.00
dB
-5.00
-10.00
S21 （ dB）的衰减测量图4 。
0.00
dB
-10.00
-20.00
-30.00
模拟串扰测量
EMIF02 - USB01 ：线C1 / C3和E1的滤波响应/ E3
-15.00
-40.00
-20.00
-50.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
1.0M
E1_E3
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M
300.0M
1.0G
C1_C3
3.0G
-60.00
-70.00
-80.00
-90.00
-100.0
1.0M
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M
300.0M
1.0G
3.0G
频率/ Hz的
F / Hz的
图5中。
ESD响应IEC61000-4-2标准
（ +15 kV空气放电）对一个输入
V（中）和一个输出端（ Vout）外部
图6 。
ESD响应IEC61000-4-2标准
（ -15 kV空气放电）对一个输入
V（中）和一个输出端（ Vout）外部
输入电压： 10V / D
输入电压： 5V / D
VOUT ： 10V / D
100ns/d
VOUT ： 5V / D
100ns/d
图7 。
电容与反向施加电压（典型值）
C（ pF）的
40
35
30
25
20
15
VR （ V）
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
3/8
应用信息
EMIF02-USB01F2
2
应用信息
网络连接gure 8 。
3.8nH
C1
CSUB
rsub_1k3
rsub_1k3
CSUB
APLAC模型（电阻，二极管和颠簸和接地连接）
R_1k3
A3
0.15nH
D02_usb
A1，A3 ，B2， C1，C3， E1，E3
Cbump Rsubump
I / O
体积
D2
Lbump
100m
D2
体积
Rbump
体积
0.15nH
cap_33R
R_33R
CSUB
rsub_33R
CSUB
rsub_33R
0.23nH
C3
cap_33R
Lgnd_D
Rsub_D
D02_usb
D02_Nw
Lhole
caphole
Rhole
D2
体积
体积
0.3nH
E1
cap_33R
CSUB
rsub_33R
CSUB
rsub_33R
R_33R
0.7nH
E3
cap_33R
体积
图9 。
APLAC模型参数
R_33R 33.9
cap_33R 1.2pF
R_1k3 1.3K
Cz29pF
Rsub_D 100
Csub0.3pF
Rsub_33R 15
Rsub_1k3 50
lhole10pH
Rhole400m
Caphole0.4pF
Lgnd_D 150pH
Lbump50pH
Rbump50m
Cbump1.5pF
Rsubump150
模型D02_Nw
BV=100
IBV=1m
CJO=6.8p
M=0.3333
RS=2
VJ=0.6
TT=100n
模型D02_usb
BV=16
IBV=1m
CJO =锆石
M=0.3333
RS=2
VJ=0.6
TT=100n
4/8
EMIF02-USB01F2
订购信息计划
3
订购信息计划
图10.订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值（欧姆）
Z =电容值/ 10 （PF ）
or
3字母=应用
2位=版本
包
F =倒装芯片
X = 2 ：无铅，距= 500μm时，碰到= 315微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
4
包装信息
为了满足环保要求， ST提供的ECOPACK这些设备
包。这些包有无铅二级互连。类别
二级互连标记内盒上的标签，以符合JEDEC
标准JESD97 。涉及到焊接条件最大额定值也标上
内盒标签。 ECOPACK是ST的商标。 ECOPACK规范可在
www.st.com 。
图11.包装尺寸
700 ± 50
315 ± 50
650m ± 65
49
5
m
±
50
285 m
285m
1.27mm ± 50m
1.97mm ± 50m
49
m
5
±
50
5/8
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推荐型号
EN29F512-45PIP
EFM32GG332F512
EUP7966-25DIR1
EYC05DRXN
ERB32Q5C2A471JDX1L
EL5123CY
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ESMQ201VSN152MA30S
E3A2-10L
EM621FR8ES-55LF
EC2A11N
ECG123A
E7S3
EDI8F8512C20M6C
EB52F3E50N-12800M
EV32C1A3A1-35.328MTR
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    EMIF02-USB01F2
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