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EMIF02-SPK01F2
IPAD
2线EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性:
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求:
移动电话和通信系统
电脑,打印机和MCU板
描述
该EMIF02 - SPK01是一个高度集成的器件
旨在抑制所有系统的EMI / RFI噪声
遭受电磁干扰。该
EMIF02倒装芯片封装是指包
尺寸等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路
这防止损坏应用时
受到ESD浪涌了15千伏。
好处
EMI对称( I / O ),低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗:
1.07毫米X 1.47毫米
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制
的单片集成提供高可靠性
通过英特高降低寄生元件
格雷申&晶圆级封装
符合以下标准:
IEC 61000-4-2
输入4级销15千伏(空气放电)
8千伏(接触放电)
在输出引脚1级2千伏(空气放电)
2千伏(接触放电)
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
图2 :基本单元配置
倒装芯片
( 5颠簸)
表1 :订购代码
产品型号
EMIF02-SPK01F2
记号
FX
图1 :引脚配置(凹凸面)
3 2 1
I2
GND
O2
O1
I1
A
B
C
低通滤波器
输入
产量
v I / O = 10
克莱恩= 200 pF的
GND
TM :
IPAD是意法半导体公司的商标。
GND
GND
2005年10月
REV 1
1/7
EMIF02-SPK01F2
表2 :绝对额定值
(限制值)
符号
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
- 40至+ 85
- 55 50
单位
°C
°C
°C
表3 :电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3元线V
容差± 20 %
V
R
= 0 V
10
200
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入&输出之间的串联电阻
每行输入电容
测试条件
分钟。
6
典型值。
8
500
马克斯。
单位
V
nA
pF
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
R
I
RM
I
RM
I
R
V
RM
V
BR
V
CL
V
I
I
PP
图3: S21 ( dB)的衰减测量
和APLAC仿真
0.00
dB
-
-5.00
图4 :模拟串扰测量
0.00
dB
-
-10.00
-
-10.00
-
-20.00
-
-15.00
-
-20.00
-
-25.00
-
-30.00
-
-40.00
-
-30.00
-
-50.00
-35.00
-40.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
-
-60.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
2/7
EMIF02-SPK01F2
图5 : ESD回应IEC61000-4-2 ( + 15kV的
空气放电)上的一个输入V (中),以及一个输出
V(输出)
图6 : ESD回应IEC61000-4-2 ( 15kV的
空气放电)上的一个输入V (中),以及一个输出
V(输出)
图7:线路电容与所施加的
电压
C( pF)的
250
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
200
150
100
50
V
R
(V)
0
0
1
2
3
4
5
3/7
EMIF02-SPK01F2
图8 : APLAC模型
IN1
Rbump Lbump
RSPK
Lspk
Lbump Rbump
OUT1
MODEL = D1
MODEL = D2
RSUB
GND
LSUB
GND
MODEL = D3
Rbump
Lbump
MODEL = D1
MODEL = D2
CGND
LGND
RGND
IN2
Rbump Lbump
RSPK
Lspk
Lbump Rbump
OUT2
EMIF02 - SPK01F1模型
返回地
图9 : APLAC参数
型号D1
CJO=Cdiode1
BV=7
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.7
VJ=0.6
TT=50n
型号D3
CJO=Cdiode3
BV=7
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.12
VJ=0.6
TT=50n
D2型号
CJO=Cdiode2
BV=7
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.3
VJ=0.6
TT=50n
aplacvar LS 1nH的
aplacvar卢比150米
aplacvar RSPK 10
aplacvar Lspk 10便士
aplacvar Cdiode1 234pF
aplacvar Cdiode2 3.5ppF
aplacvar Cdiode3 1nF的
aplacvar Lbump 50PH
aplacvar Rbump 10米
aplacvar RSUB 0.5米
aplacvar LSUB 10pH
aplacvar RGND 1米
aplacvar LGND 50PH
aplacvar CGND 0.15pF
4/7
EMIF02-SPK01F2
图10 :订货代码
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值(欧姆)
Z =电容值/ 10 (PF )
or
3字母=应用
2位=版本
F =倒装芯片
X = 1 : 500微米,凹凸=为315μm
= 2 :无铅间距= 500μm的,凹凸=为315μm
yy
-
XXX ZZ
Fx
图11 :倒装芯片封装机械数据
500m ± 10
250m ± 10
315m ± 50
650m ± 50
50
0
1.07mm ± 50m
图12 :脚打印推荐
1.47mm ± 50m
m
±
15
图13 :标记
点, ST标志
XX =标记
Z =制造基地
YWW =日期代码
( Y =年WW =周)
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
E
焊锡模板开口道: 330μm
阻焊层开口的建议:
340μm分的为315μm的铜焊盘直径
X X Z
WW
5/7
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