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EMIF02-MIC03C2
2线EMI滤波器和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求：
■
■
移动电话和通信系统
电脑和打印机和MCU板
描述
该EMIF02 - MIC03C2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统受到电磁
干扰。倒装芯片封装是指
封装尺寸等于芯片尺寸。
该过滤器包括ESD保护电路，
防止损坏的应用程序时，它是
受到ESD浪涌高达15 kV 。
涂倒装芯片封装
（约20倍实际尺寸）
引脚配置（凹凸面）
好处
■
■
■
■
■
■
■
■
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波器（ -35分贝@ 900兆赫）
极低PCB空间消耗：
1.07毫米X 1.47毫米
非常薄的封装： 0.695毫米
在背面，无铅涂料用树脂
包
高效率的ESD抑制
的单片集成提供高可靠性
高还原通过寄生元件
集成和晶圆级封装。
3 2 1
I2
GND
O2
O1
I1
A
B
C
符合以下标准：
IEC 61000-4-2
4级输入引脚
15千伏
8千伏
1级输出引脚
2千伏
2千伏
（空气放电）
（接触放电
（空气放电）
（接触放电
MIL STD 883G - 方法3015-7 3级
2006年11月
REV 1
www.st.com
1/7
特征
EMIF02-MIC03C2
1
特征
图1 。
基本单元配置
低通滤波器
输入
产量
v I / O = 68
Ω
克莱恩= 100 pF的
GND
GND
GND
表1中。
符号
T
j
T
op
T
英镑
绝对额定值（限制值）
参数
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
-40至+85
-55到+150
单位
°C
°C
°C
表2中。
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
电气特性（T
AMB
= 25° C)
参数
I
击穿电压
I
PP
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入和输出之间的串联电阻
每行输入电容
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3元线V
公差
V
R
= 0 V
68
100
民
6
典型值
8
500
最大
单位
V
nA
Ω
pF
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
R
I
RM
I
RM
I
R
V
RM
V
BR
V
CL
V
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
2/7
EMIF02-MIC03C2
特征
图2中。
0.00
-5.00
-10.00
S21 （ dB）的衰减测量图3 。
dB
0.00
-10.00
-20.00
模拟串扰测量
dB
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-60.00
-30.00
-40.00
-50.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
-70.00
F（赫）
1.0M
10.0M
100.0M
1.0G
F（赫）
-80.00
100.0k
1.0M
10.0M
100.0M
1.0G
图4中。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ +15 kV空气放电）在一
输入V
in
和一个输出电压V
OUT
图5中。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ - 15 kV空气放电）在一
输入V
in
和一个输出电压V
OUT
图6 。
C（ pF）的
线路电容与应用
电压
140
120
100
80
60
40
20
V
R
(V)
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
0
0
1
2
3
4
5
3/7
特征
图7 。
IN1
EMIF02-MIC03C2
APLAC模型
Rbump Lbump
RMIC
LMIC
Lbump Rbump
OUT1
MODEL = D1
MODEL = D2
RSUB
GND
LSUB
GND
MODEL = D3
Rbump
Lbump
MODEL = D1
MODEL = D2
CGND
LGND
RGND
IN2
Rbump Lbump
RMIC
LMIC
Lbump Rbump
OUT2
EMIF02 - MIC03C2模型
返回地
网络连接gure 8 。
APLAC参数
型号D1
CJO=Cdiode1
BV=7
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.7
VJ=0.6
TT=50n
型号D3
CJO=Cdiode3
BV=7
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.12
VJ=0.6
TT=50n
D2型号
CJO=Cdiode2
BV=7
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.3
VJ=0.6
TT=50n
aplacvar RMIC 68
aplacvar LMIC 10便士
aplacvar Cdiode1 100pF的
aplacvar Cdiode2 3.6pF
aplacvar Cdiode3 1.17nF
aplacvar Lbump 50PH
aplacvar Rbump 20米
aplacvar RSUB 0.5米
aplacvar RGND 10米
aplacvar LGND 50PH
aplacvar CGND 0.15pF
aplacvar LSUB 10pH
4/7
EMIF02-MIC03C2
订购信息计划
2
订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
3字母=应用
2位=版本
yy
-
XXX ZZ
Cx
包
C =涂层倒装芯片
X = 2 ：无铅间距= 500μm时，凹凸= 315微米
3
包装信息
图9 。
FLIP - CHIP尺寸
500 m ± 10
250 m ± 10
315 m ± 50
695 m ± 50
50
0
1.07 mm ± 50 m
图10.标记
点， ST标志
XX =标记
Z =制造基地
YWW =日期代码
（ Y =年WW =周）
1.47 mm ± 50 m
m
±
15
图11.足迹推荐
铜焊盘直径：
建议使用250微米， 300微米最大
E
X X Z
WW
焊锡模板开口道： 330微米
阻焊层开口的建议：
340微米分钟为315微米的铜焊盘直径
5/7
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EFE02C-S
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