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EMIF10-COM01F2
EMI滤波器
包括ESD保护
IPAD
主要产品特性
EMI滤波和ESD保护:
电脑和打印机
通信系统
手机
描述
该EMIF10 - COM01F2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统受到电磁干扰
分配办法。该EMIF10倒装芯片封装方式
封装尺寸等于芯片尺寸。
此外,该过滤器包括静电放电保护
电路,它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出,
15千伏。
好处
EMI对称( I / O ),低通滤波器
无铅封装
2
极低PCB空间消耗: < 6毫米
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制两个
&输入输出引脚
的单片集成提供高可靠性
符合以下标准:
IEC61000-4-2第4级
15千伏(空气放电)
8千伏(接触放电)
倒装芯片
( 25焊球)
表1 :订购代码
产品型号
EMIF010-COM01F2
记号
FE
图1 :引脚配置(球侧)
E
I5
D
I4
C
I3
B
I2
A
I1
1
2
3
4
5
I10
I9
I8
I7
I6
GND
GND
GND
GND
GND
010
09
08
07
06
05
04
03
02
01
图2 :基本单元配置
低通滤波器
输入
产量
R
I / O
= 200
C
LINE
= 45 pF的
TM :
IPAD是意法半导体公司的商标。
2005年4月
第2版
1/7
EMIF10-COM01F2
表2 :绝对额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触放电
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
- 40至+ 85
- 55至+ 150
单位
kV
°C
°C
°C
表3 :电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
符号
V
BR
I
RM
R
d
R
I / O
C
LINE
t
LH
在0V偏压
V输入= 2.8V
R负载= 100kΩ的
I
R
= 1毫安
V
RM
每行= 3V
I
PP
= 10A ,T
p
= 2.5s
180
1
200
45
220
50
25
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入&之间的串联电阻
产量
每行输入电容
坡度: 1 / R
d
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
I
V
I
PP
测试条件
分钟。
6
典型值。
8
马克斯。
10
500
单位
V
nA
pF
ns
2/7
EMIF10-COM01F2
图3 : S21 ( DB )衰减测量
EMIF10 - COM01F2 :上线I10 / O10典型的S21 ( dB)的测量
0.00
dB
-5.00
-10.00
-30.00
图4 :模拟串扰
0.00
dB
-10.00
-20.00
-15.00
-40.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
1.0M
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M 300.0M
F / Hz的
1.0G
3.0G
-50.00
-60.00
-70.00
-80.00
-90.00
-100.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
注意:
尖峰在高频率由PCB布线引起的
图5 : ESD回应IEC61000-4-2
( + 15kV空气放电)上的一个输入V (中)和上
一个输出端( Vout)外部
图6 : ESD回应IEC61000-4-2 ( -15kV
空气放电)上的一个输入V (中),并在一个
输出( Vout)外部
V(in1)
V(in1)
V(out1)
V(out1)
图7 :上升时间测量
EMIF10-COM01F2
In
OUT
VOUT
方波信号
发电机VC = 2.8V
VIN
100k
VOUT
VIN
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EMIF10-COM01F2
图8 :电容与反向应用
电压
C( pF)的
50
F=1MHz
Vosc=30mV
40
30
20
10
0
1
2
VR ( V)
3
4
5
图9 : APLAC模型
200R
in
MODEL = demif10
OUT
MODEL = demif10
Demif10模型
BV = 7
IBV = 1米
CJO = 25P
M = 0.3333
RS = 1
VJ = 0.6
TT = 100N
PCB接地建议
为了保证良好的效率在ESD保护和滤波特性而言,我们建议
实现与GND凸点与GND层之间的微通孔(100微米直径) 。 GND颠簸可以CON组
已连接在一起的电路板层1中,并且另外,如果可能的话,使用导通孔(200
m
直径)在两个
过滤器的两侧,以提高接触到GND (层)。这种布局将最大限度地减少到地面的距离,
因此,寄生电感。此外,我们建议要有接地平面尽可能。
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EMIF10-COM01F2
图10 :订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值(欧姆)
Z =电容值/ 10 (PF )
or
3字母=应用
2位=版本
F =倒装芯片
X = 1 : 500微米,凹凸=为315μm
= 2 :无铅间距= 500μm的,凹凸=为315μm
= 3 :无铅间距= 400μm的,凹凸= 250微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
图11 :倒装芯片封装机械数据
500m ± 50
315m ± 50
650m ± 65
500m ± 50
2.42mm ± 50m
图12 :脚打印推荐
图13 :标记
2.42mm ± 50m
545
点, ST标志
XX =标记
Z =包装的位置
YWW =日期代码
( Y =年
WW =周)
400
545
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
E
焊锡模板开口道: 330μm
阻焊层开口的建议:
340μm分的为315μm的铜焊盘直径
X X Z
WW
100
230
在微米所有尺寸
5/7
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