EMI7204MU ， EMI7206MU ，
EMI7208MU
四，六，八-Channel
EMI滤波器集成
ESD保护
该EMI720xMU系列是LC EMI的滤波器带
集成的ESD保护。 L = 17 nH的，其典型的元件值
和C = 12 pF的提供250 MHz的截止频率和阻带
衰减大于
23
分贝从800 MHz到6.0 GHz的。
这种性能使该器件非常适合与并行接口
数据传输速率高达125 Mbps的应用中，无线干扰
必须最小化。指定的衰减范围是非常有效的
在尽量减少2G / 3G ， GPS，蓝牙和干扰
WLAN信号。
该EMI720xMU系列是低调4,6可用， 8
铅，0.5毫米厚的UDFN表面贴装0.4 mm引脚封装
间距。
特点/优势
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记号
图表
8
1
UDFN8
CASE 517BC
74 MG
G
1
12
1
UDFN12
CASE 517BD
1
76 MG
G
$16
kV ESD保护每个通道（ IEC61000-4-2第4级，
16
1
UDFN16
CASE 517BE
78毫克
G
接触放电）
17 nH的12 pF的提供出色的S21的L / C值
250 MHz的F性能特点
3dB
和
23
分贝阻带
从800MHz到6.0 GHz的衰减
在UDFN封装提供集成的EMI / ESD系统解决方案
卓越的成本，系统可靠性和节省空间
这些无铅器件
应用
XX
M
G
1
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
无线手机
EMI滤波LCD和相机数据线
EMI滤波和保护I / O端口和键盘
滤波器+ ESD
n
滤波器+ ESD
n
C
d
= 12 pF的
C
d
= 12 pF的
请参考表1引脚说明
S21 （ dB）的
L = 17 nH的
图1.电气原理图
图2.典型插入损耗曲线
频率（Hz）
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年9月
第0版
1
出版订单号：
EMI7204MU/D
EMI7204MU ， EMI7206MU ， EMI7208MU
1 2 3 4
GND
8 7 6 5
EMI7204MU
1 2 3 4 5 6
GND
12 1110 9 8 7
EMI7206MU
1 2 3 4 5 6 7 8
GND
1615141312 11 10 9
EMI7208MU
图3.引脚图
（底视图）
表1.引脚功能说明
滤波器
EMI7204MU
滤波器1
滤波器2
过滤器3
滤波器4
滤波器5
过滤器6
过滤器7
过滤器8
地垫
GND
GND
1&8
2&7
3&6
4&5
器件引脚
EMI7206MU
1 & 12
2 & 11
3 & 10
4&9
5&8
6&7
EMI7208MU
1 & 16
2 & 15
3 & 14
4 & 13
5 & 12
6 & 11
7 & 10
8&9
GND
过滤+ ESD频道1
过滤+ ESD频道2
过滤+ ESD频道3
过滤+ ESD频道4
过滤+ ESD频道5
过滤+ ESD频道6
过滤+ ESD频道7
过滤+ ESD频道8
地
描述
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
ESD IEC61000-4-2 （接触放电）
ESD人体模型MIL -STD - 883
工作温度范围
储存温度
最大无铅焊接温度的目的（从1.8的情况下为10秒）
目前每个电感
DC封装额定功率
符号
V
PP
V
PP
T
OP
T
英镑
T
L
I
C
P
p
价值
$16
$16
40
85
65
150
260
30
500
单位
kV
kV
°C
°C
°C
mA
mW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
电气特性
(T
J
= 25° ，除非另有说明） 。
参数
最大反向工作电压
击穿电压钳位正
击穿电压钳位负
漏电流
阻力
电感
二极管电容
线路电容
3dB截止频率（注1 ）
符号
V
RWM
V
BR
V
BR
I
R
R
A
L
C
1
C
t
f
3dB
上面的这个频率，
明显的衰减
OCCURS
800兆赫至6.0千兆赫
V
R
= 2.5 V ， F = 1.0 MHz时，
30 MVAC
18.8
I
R
= 1.0毫安
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.3 V
5.6
1.5
6.8
0.08
0.1
10
17
12
24.2
250
28.2
测试条件
民
典型值
最大
5.0
9.0
0.04
1.0
单位
V
V
V
mA
W
nH
pF
pF
兆赫
阻带衰减
1. 50
W
源和50
W
负载端接。
23
dB
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2
EMI7204MU ， EMI7206MU ， EMI7208MU
工作原理
该EMI720X结合ESD保护和EMI
方便地过滤成小包装为今天的规模
受限的应用。固有的电容
典型的保护二极管被用来提供
所需的电容值，以产生所需的频率
响应基于所述滤波器的串联电阻。通过
这种功能组合到一个装置中，大量的
分立元件集成在一个小
封装节省了宝贵的电路板空间并降低BOM
计数和应用成本。
应用实例
在过滤器中指定的带宽上通行的做法
是使用3dB截止频率。利用点如
在6分贝或9 dB截止频率会导致信号
降解中的应用。这可以在一个被示出
应用实例。典型的应用包括：
EMI滤波的照相机或显示器接口的数据线。
在这样的例子中它先了解是重要
信号及其频谱内容。通过了解这些
外，适当的过滤器可被选择用于所需的
应用程序。一个典型的数据信号是1和0的模式的
过在类似于方波的形式的线路传输。
这样的信号的最大频率将是
图案1-0-1-0使得对于具有一个数据速率的信号
100 Mbps的最大频率分量是
50兆赫。下一个要考虑的是的频谱内容
的信号，其可与傅立叶级数可以理解
近似方波，在下面所示
在傅立叶级数近似等式1和2 。
从这一点可以看出，方波包含奇
次谐波，并完全构建一个方波N必须
去到无穷大。然而，保留的可接受部
波形中，前两个术语一般是足够的。这些
两个术语包含约85％的信号振幅和
允许合理的方波进行重构。
因此，要合理地传递一个方波频率x的
必要的最低限度滤波带宽为3倍。所有
安森美半导体EMI滤波器根据这个评分
的原则。试图违反这个原则会导致
在波形和事业的问题显著舍
发送正确的数据。例如，以过滤器
与图中所示的反应4和应用3
不同的数据波形。以计算出这三个不同
的频率， 3分贝6分贝， 9分贝带宽会
使用。
方程1：
a
1 2
1
X（t ）
+ )
罪（ 2N
*
1)
w
0
t
2
p
n
+
1 2n
*
1
S
（当量1）
方程2 （等式1的简化形式） ：
X（t ）
+
1
)
2
2罪
w
0
t
p
1
（当量2）
)
p20
罪3瓦特
0
t
3
)
p20
罪5瓦特
0
t
5
)AAA
3
dB
6
dB
9
dB
大小
（ dB）的
f
1
f
2
f
3
100k
1M
10M
100M
1G
10G
频率
（赫兹）
图4.滤波带宽
从上面的段落中示出的最大
支撑的波形的频率可以传递
通过过滤器可通过将所述带宽通过找到
3 （的一个因素，以获得相应的数据速率
由两个相乘的结果） 。下表给出了
带宽值和对应的最大
支持的频率和三次谐波频率。
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3
EMI7204MU ， EMI7206MU ， EMI7208MU
表2.频率表
最大
支持
频率
33.33兆赫（F
1
)
66.67兆赫（F
2
)
100兆赫（F
3
)
第三
谐波
频率
100兆赫
200兆赫
300兆赫
带宽
3分贝
100兆赫
6分贝
200兆赫
9分贝
300兆赫
考虑到平方的幅度的85％是在
第2项的傅立叶级数近似的最
的信号的内容是在基波（最大
）频率和三次谐波频率的支持。如果一个
以33.33的频率信号兆赫输入到该滤波器，
第2项被充分传递，使得信号
只受到轻微影响，如示于图5a 。如果一个信号
以66.67频率MHz的输入到该相同的过滤器，
三次谐波项显著衰减。这
用于舍入信号的边缘和歪斜的波形，如
示于图5b 。在一个100MHz的信号的情况下
输入到该过滤器中，第三谐波术语甚至衰减
进一步的结果，在信号边缘的更舍入
如示于图5c中。结果是降解
正在传输的数据使所述数字数据（1和0 ）
更加难以辨别。这不包括的效果
其它组分如互连和其它路径损耗
这可能进一步有助于降低信号的完整性。
虽然一些过滤器产品可以指定6 dB或9分贝
带宽，实际使用这些计算支持
的频率（以及相应的数据速率）的结果
显著信号劣化。以确保最佳的信号
完整性可能的话，最好是使用3分贝带宽，以
计算可达到的数据速率。
输入波形
一）频率= F
1
输出波形
输入波形
B）频率= F
2
输出波形
输入波形
C）频率= F
3
输出波形
图5.输入和输出滤波的波形
订购信息
设备
EMI7204MUTAG
EMI7206MUTAG
EMI7208MUTAG
包
UDFN8
（无铅）
UDFN12
（无铅）
UDFN16
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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4
EMI7204MU ， EMI7206MU ， EMI7208MU
包装尺寸
UDFN8 ， 1.7x1.35 ， 0.4P
CASE 517BC -01
发行
2X
0.10 C
销1
参考
2X
E
A1
DETAIL B
备用
CONSTRUCTIONS
0.10 C
顶视图
DETAIL B
A
0.05 C
8X
(A3)
L1
细节A
0.05 C
注4
SIDE VIEW
细节A
A1
C
座位
飞机
ALTERNATE终端
CONSTRUCTIONS
8X
L
D2
1
E2
8X
K
e
e/2
8
8X
b
0.10 C A B
0.05 C
注3
底部视图
0.50
0.25
8X
http://onsemi.com
5
D
A
B
暴露铜
模具招商地产
A3
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于镀终端
与被测量0.15
0.25毫米从终端提示。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
L1
MILLIMETERS
民
最大
0.45
0.55
0.00
0.05
0.13 REF
0.15
0.25
1.70 BSC
1.10
1.30
1.35理学士
0.30
0.50
0.40 BSC
0.15
0.20
0.30
0.05
L
L
推荐
焊接足迹*
1.40
包
概要
8X
0.40
1.55
1
0.40 PITCH
外形尺寸：毫米
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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