EMI4183MU
共模滤波器
ESD保护
功能说明
该EMI4183MU是一个集成的共模滤波器提供
既ESD保护和EMI滤波的高速数字串行
接口，如MIPI D- PHY 。
该EMI4183MU提供保护三个差分数据线
对在符合RoHS的小型UDFN16包。
特点
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记号
图表
U3MG
G
UDFN16
案例517CK
U3 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（ *注：微球可在任一位置）
高度集成的共模滤波器（ CMF）与ESD保护
为保护和EMI降低了使用高速系统
与节省成本和空间上分立式解决方案串行数据线
大差模带宽截止频率> 2 GHz的
高共模的阻带衰减： >25分贝在700 MHz时，
>30分贝在800兆赫
提供ESD保护，符合IEC61000-4-2第4级，
±15
KV联系
放电
低通道输入电容为高级阻抗
匹配性能
与小尺寸薄型封装中UDFN16 2 ×4mm的
无铅封装
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
引脚连接
In_1+
In_1
GND
In_2+
In_2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
（ TOP VIEW ）
16
15
14
13
12
11
10
9
Out_1+
Out_1
GND
Out_2+
Out_2
GND
Out_3+
Out_3
应用
MIPI D- PHY （ CSI - 2 ， DSI等）在手机和数码
相机
1
2
4
外
（连接器）
5
7
8
16
15
13
12
10
9
国内
专用集成电路（ASIC ）
In_3+
In_3
订购信息
设备
EMI4183MUTAG
包
UDFN16
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3, 14
6, 11
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
图1. EMI4183MU电气原理图
半导体元件工业有限责任公司， 2013
2013年3月
第0版
1
出版订单号：
EMI4183MU/D
EMI4183MU
引脚功能说明
引脚名称
In_1+
In_1
Out_1+
Out_1
In_2+
In_2
Out_2+
Out_2
In_3+
In_3
Out_3+
Out_3
GND
GND
PIN号
1
2
16
15
4
5
13
12
7
8
10
9
3, 14
6, 11
TYPE
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
GND
GND
描述
CMF通道1+到连接器（外部）
CMF通道1至连接器（外部）
CMF通道1+以ASIC （内部）
CMF通道1至ASIC （内部）
CMF 2+通道，以连接器（外部）
CMF频道2到连接器（外部）
CMF通道2+ ASIC （内部）
CMF频道2至ASIC （内部）
CMF海峡3+到连接器（外部）
CMF通道3至连接器（外部）
CMF海峡3+以ASIC （内部）
CMF通道3至ASIC （内部）
地
地
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的
（ 1/8“案件从10秒）
每行直流电流
符号
T
OP
T
英镑
T
L
I
LINE
价值
40
+85
65
+150
260
100
单位
°C
°C
°C
mA
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
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2
EMI4183MU
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
泄漏
V
F
C
IN
R
CH
f
3dB
F
安泰信
V
ESD
参数
道泄漏电流
频道负电压
通道输入对地电容
（引脚1,2,4,5,7,8到引脚3,6,11,14 ）
通道电阻
（引脚1-16 ， 2-15 ， 4-13 ， 5-12 ， 7-10 & 8-9 ）
差模截止频率
共模的阻带衰减
在系统ESD耐压
a）按IEC 61000-4-2接触放电
标准的4级
（外部引脚）
B）每IEC 61000-4-2接触放电
标准，等级1
（内销）
TLP钳位电压
（参见图12）
50
W
源和负载端接
@ 800 MHz的
（注1及2 ）
±15
±2
我向前
PP
= 8 A
我向前
PP
= 16 A
我向前
PP
=
8
A
我向前
PP
=
16
A
T
A
= 25 ° C，I
PP
= 1 A，T
P
= 8/20
ms
任何I / O引脚接地;
（注1及3 ）
（注3）
I
T
= 1毫安; （注4 ）
5.6
12
18
6
12
1.36
0.6
5.0
9.0
V
V
V
V
V
V
测试条件
T
A
= 25 ° C，V
IN
= 5V ， GND = 0 V
T
A
= 25 ° C，I
F
= 10毫安
T
A
= 25 ° C，在1 MHz ， GND = 0 V ，
V
IN
= 1.65 V
0.1
0.8
8.0
2.0
30
民
典型值
最大
1.0
1.5
1.3
单位
mA
V
pF
W
GHz的
dB
kV
V
CL
R
DYN
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
反向工作电压
击穿电压
V
RWM
V
BR
1.标准IEC61000-4-2用C
放电
= 150 pF的，R
放电
= 330 ， GND接地。
2.这些测量完成，无需外部电容。
根据工作峰值反向电压3. TVS器件通常被选定（Ⅴ
RWM
），这应该等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
4. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
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3
EMI4183MU
MIPI DSI （ D- PHY ）
主持人
MIPI DSI （ D- PHY ）
客户
EMI4183MU
评价
板
图7. MIPI D-PHY LP模式下测试设置
图8. EMI4183MU MIPI D-PHY LP模式下测得的结果
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5
QQ：2880707522 复制
