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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第513页 > EMH9
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
通用（双数字晶体管）
EMH9 / UMH9N / IMH9A
特点
1）在一个EMT或UMT或SMT两个DTC114Ys芯片
封装。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
4 ）安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMH9
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： H9
ROHM ： EMT6
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
（内置电阻型）
(4)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(3)
UMH9N
0.2
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.7
0.9
2.0
(6)
(5)
1.25
2.1
0.15
0.1Min.
以下特性适用于DTR
1
和DTR
2
.
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： H9
等效电路
EMH9 / UMH9N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
DTR
2
R
2
R
1
(4) (5)
R
1
=10k
R
2
=47k
DTR
2
R
2
R
1
(3) (2)
R
1
=10k
R
2
=47k
IMH9A
(6)
(4)
DTR
1
0.15
1.6
2.8
0.3to0.6
0to0.1
(6)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
缩写符号： H9
包装规格
包
CODE
TAPING
T2R
8000
TN
3000
T110
3000
TYPE
EMH9
UMH9N
IMH9A
基本订购单位（件）
(3)
(4) (5) (6)
R
1
R
2
0.3
(5)
(2)
(1)
IMH9A
(1)
(2)
Rev.A的
1/3
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
范围
50
40
6
70
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
单位
V
V
输出电流
动力
耗散
EMH9,UMH9N
IMH9A
mA
Pd
Tj
TSTG
mW
°C
°C
1
2
结温
储存温度
150
55
to
+150
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
分钟。
1.4
68
典型值。
0.1
250
马克斯。
0.3
0.3
0.88
0.5
单位
V
V
mA
A
兆赫
条件
V
CC
= 5V ，我
O
=100A
V
O
= 0.3V时，我
O
=1mA
I
O
/I
I
=5mA/0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0V
V
O
= 5V ，我
O
=5mA
V
CE
= 10V ，我
E
=
5mA,
f=100MHz
R
1
R
2
/R
1
7
3.7
10
4.7
13
5.7
k
该设备的跃迁频率
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输出电流：木卫一
(A)
输入电压： V
我（上）
(V)
2m
20
10
5
2
1
500m
200m
直流电流增益：摹
I
1m
500
200
100
50
20
10
5
200
100
50
20
10
5
2
Ta=40°C
25°C
100°C
Ta=100°C
25°C
40°C
2
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
Rev.A的
2/3
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
1
500m
l
O
/l
I
=20
输出电压： V
O（上）
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
Ta=100°C
25°C
40°C
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
通用（双数字晶体管）
EMH9 / UMH9N / IMH9A
特点
1）在一个EMT或UMT或SMT两个DTC114Ys芯片
封装。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
4 ）安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMH9
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： H9
ROHM ： EMT6
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
（内置电阻型）
(4)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(3)
UMH9N
0.2
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.7
0.9
2.0
(6)
(5)
1.25
2.1
0.15
0.1Min.
以下特性适用于DTR
1
和DTR
2
.
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： H9
等效电路
EMH9 / UMH9N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
DTR
2
R
2
R
1
(4) (5)
R
1
=10k
R
2
=47k
DTR
2
R
2
R
1
(3) (2)
R
1
=10k
R
2
=47k
IMH9A
(6)
(4)
DTR
1
0.15
1.6
2.8
0.3to0.6
0to0.1
(6)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
缩写符号： H9
包装规格
包
CODE
TAPING
T2R
8000
TN
3000
T110
3000
TYPE
EMH9
UMH9N
IMH9A
基本订购单位（件）
(3)
(4) (5) (6)
R
1
R
2
0.3
(5)
(2)
(1)
IMH9A
(1)
(2)
Rev.A的
1/3
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
范围
50
40
6
70
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
单位
V
V
输出电流
动力
耗散
EMH9,UMH9N
IMH9A
mA
Pd
Tj
TSTG
mW
°C
°C
1
2
结温
储存温度
150
55
to
+150
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
分钟。
1.4
68
典型值。
0.1
250
马克斯。
0.3
0.3
0.88
0.5
单位
V
V
mA
A
兆赫
条件
V
CC
= 5V ，我
O
=100A
V
O
= 0.3V时，我
O
=1mA
I
O
/I
I
=5mA/0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0V
V
O
= 5V ，我
O
=5mA
V
CE
= 10V ，我
E
=
5mA,
f=100MHz
R
1
R
2
/R
1
7
3.7
10
4.7
13
5.7
k
该设备的跃迁频率
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输出电流：木卫一
(A)
输入电压： V
我（上）
(V)
2m
20
10
5
2
1
500m
200m
直流电流增益：摹
I
1m
500
200
100
50
20
10
5
200
100
50
20
10
5
2
Ta=40°C
25°C
100°C
Ta=100°C
25°C
40°C
2
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
Rev.A的
2/3
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
1
500m
l
O
/l
I
=20
输出电压： V
O（上）
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
Ta=100°C
25°C
40°C
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
通用（双数字晶体管）
EMH9 / UMH9N / IMH9A
特点
1）在一个EMT或UMT或SMT两个DTC114Ys芯片
封装。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
4 ）安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMH9
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： H9
ROHM ： EMT6
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
（内置电阻型）
(4)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(3)
UMH9N
0.2
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.7
0.9
2.0
(6)
(5)
1.25
2.1
0.15
0.1Min.
以下特性适用于DTR
1
和DTR
2
.
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： H9
等效电路
EMH9 / UMH9N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
DTR
2
R
2
R
1
(4) (5)
R
1
=10k
R
2
=47k
DTR
2
R
2
R
1
(3) (2)
R
1
=10k
R
2
=47k
IMH9A
(6)
(4)
DTR
1
0.15
1.6
2.8
0.3to0.6
0to0.1
(6)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
缩写符号： H9
包装规格
包
CODE
TAPING
T2R
8000
TN
3000
T110
3000
TYPE
EMH9
UMH9N
IMH9A
基本订购单位（件）
(3)
(4) (5) (6)
R
1
R
2
0.3
(5)
(2)
(1)
IMH9A
(1)
(2)
Rev.A的
1/3
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
范围
50
40
6
70
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
单位
V
V
输出电流
动力
耗散
EMH9,UMH9N
IMH9A
mA
Pd
Tj
TSTG
mW
°C
°C
1
2
结温
储存温度
150
55
to
+150
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
分钟。
1.4
68
典型值。
0.1
250
马克斯。
0.3
0.3
0.88
0.5
单位
V
V
mA
A
兆赫
条件
V
CC
= 5V ，我
O
=100A
V
O
= 0.3V时，我
O
=1mA
I
O
/I
I
=5mA/0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0V
V
O
= 5V ，我
O
=5mA
V
CE
= 10V ，我
E
=
5mA,
f=100MHz
R
1
R
2
/R
1
7
3.7
10
4.7
13
5.7
k
该设备的跃迁频率
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输出电流：木卫一
(A)
输入电压： V
我（上）
(V)
2m
20
10
5
2
1
500m
200m
直流电流增益：摹
I
1m
500
200
100
50
20
10
5
200
100
50
20
10
5
2
Ta=40°C
25°C
100°C
Ta=100°C
25°C
40°C
2
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
Rev.A的
2/3
EMH9 / UMH9N / IMH9A
晶体管
1
500m
l
O
/l
I
=20
输出电压： V
O（上）
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
Ta=100°C
25°C
40°C
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
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（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMH9
数字晶体管（ NPN + NPN ）
SOT-563
特点
两DTC114Ys芯片封装。
晶体管元件是独立的，从而消除干扰。
安装成本和面积可减少一半。
外部电路
1
MARKING：H9
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
Pd
Tj
TSTG
范围
50
-6~40
70
100
150(TOTAL)
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
条件
V
CC
= 5V ，我
O
=100A
V
O
= 0.3V时，我
O
= 1毫安
I
O
/I
I
=5mA/0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0
V
O
= 5V ，我
O
=5mA
电气特性（Ta = 25℃）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
68
7
3.7
10
4.7
250
13
5.7
兆赫
V
CE
= 10V ，我
E
=-5mA,f=100MHz
K
1.4
0.3
0.88
0.5
分钟。
典型值
马克斯。
0.3
单位
V
V
mA
μA
1
金隅
半导体
www.htsemi.com
日期：2011年/ 05
EMH9 / UMH9N / IMH9A
NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管
（偏置电阻内置晶体管）
lOutline
参数
TR1和TR2
EMT6
(6)
(1)
(5)
(4)
数据表
UMT6
I
C（最大值）。
R
1
R
2
lFeatures
V
CC
50V
100mA
10kW
47kW
SMT6
(6)
(1)
(5)
(4)
(2)
(3)
(2)
(3)
EMH9
(SC-107C)
(4)
(5)
UMH9N
SOT- 353 （ SC -88 ）
1 ）内置偏置电阻器。
2 ）两DTC114Y芯片在一个封装中。
3 ）内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻（请参见内部电路） 。
4）偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离，允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
5）仅在开/关的条件需要被设置
操作时，使电路设计容易。
6 ）无铅/符合RoHS标准。
(6)
(3)
(2)
(1)
IMH9A
SOT- 457 （ SC- 74 ）
lInner
电路
EMH9 / UMH9N
OUT
(6)
IN
(5)
GND
(4)
OUT
(4)
IMH9A
IN
(5)
GND
(6)
lApplication
逆变电路，接口电路，驱动电路
(1)
GND
(2)
IN
(3)
OUT
(3)
GND
(2)
IN
(1)
OUT
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
EMH9
UMH9N
IMH9A
包
EMT6
UMT6
SMT6
包
SIZE
(mm)
1616
2021
2928
TAPING
CODE
T2R
TR
T108
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位（pcs ）
180
180
180
8
8
8
8,000
3,000
3,000
记号
H9
H9
H9
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2012.06 - Rev.B的
EMH9 / UMH9N / IMH9A
lAbsolute
最大额定值
（ TA = 25°C ）
<For Tr1和Tr2中common>
参数
电源电压
输入电压
输出电流
集电极电流
功耗
EMH9 / UMH9N
IMH9A
结温
储存温度范围
lElectrical
特性（Ta
= 25°C)
<For Tr1和Tr2中common>
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T *1
条件
V
CC
= 5V ，我
O
= 100毫安
V
O
= 0.3V时，我
O
= 1毫安
I
O
/ I
I
= 5毫安/ 0.25毫安
V
I
= 5V
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ，我
O
= 5毫安
-
-
V
CE
= 10V ，我
E
=
-5mA,
F = 100MHz的
数据表
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(MAX.)*1
P
D
*2
值
50
-6
to
+40
70
100
150 （ TOTAL ）
*3
300 （ TOTAL ）
*4
150
-55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
分钟。
-
1.4
-
-
-
68
7
3.7
-
典型值。
-
-
0.1
-
-
-
10
4.7
250
马克斯。
0.3
-
0.3
0.88
0.5
-
13
5.7
-
单位
V
V
mA
mA
-
kW
-
兆赫
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
*每个单元3 120MW不得超过。
*每单元4 200mW的不得超过。
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EMH9 / UMH9N / IMH9A
lElectrical
特性曲线（大
= 25°C)
数据表
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
输入电压： V
我（上）
[V]
输出电流：我
O
[A]
输出电流：我
O
[A]
输入电压： V
我（关闭）
[V]
图3输出电流与输出电压
70
60
Ta=25C
I
I
=
350μA
图4直流电流增益与输出电流
输出电流：我
O
[马]
50
40
30
20
10
0
250μA
200μA
150μA
100μA
50μA
0A
0
5
10
直流电流增益：摹
I
300μA
输出电压： V
O
[V]
输出电流：我
O
[A]
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2012.06 - Rev.B的
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lElectrical
特性曲线（大
= 25°C)
数据表
图5输出电压与输出电流
输出电压： V
O（上）
[V]
输出电流：我
O
[A]
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2012.06 - Rev.B的
EMH9 / UMH9N / IMH9A
lDimensions
（单位：毫米）
D
b
x
S A
L
数据表
EMT6
A
c
Lp
H
E
Lp
e
L
E
A
A1
S
S
l1
b2
e
终端位置方面的Patterm
暗淡
A1
A
b
c
D
E
e
H
E
L
Lp
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
民
最大
0.00
0.10
0.45
0.55
0.17
0.27
0.08
0.18
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
1.50
1.70
0.10
0.30
-
0.35
-
0.10
-
0.10
地壳板块
民
最大
1.25
-
0.37
-
0.45
英寸
民
0
0.018
0.007
0.003
0.059
0.043
0.02
0.059
0.004
-
-
-
英寸
民
0.049
-
-
0.015
0.018
最大
0.067
0.012
0.014
0.004
0.004
最大
0.004
0.022
0.011
0.007
0.067
0.051
尺寸以毫米/英寸
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型号
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