【订购数量： ENA0657EMH2603三洋半导体数据表N沟道和P沟道MOSFET的硅EMH2603】,IC型号EMH2603,EMH2603 PDF资料,EMH2603经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0657

EMH2603

三洋半导体

数据表

N沟道和P沟道MOSFET的硅

EMH2603

特点

通用开关设备

应用

该EMH2603集成了一个N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，具有低导通电阻和

超高速的切换，从而可实现高密度安装。

NCH ： 2.5V驱动器。

PCH ： 1.8V驱动器。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

0.8mm)

1unit

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

0.8mm)

条件

N沟道

30

±10

0.15

0.6

1.2

150

--55到150

P沟道

-

-20

±10

--2

--8

1.1

单位

V

A

W

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

VDS = 10V ， ID = 100μA

VDS = 10V ，ID = 80毫安

0.4

0.13

0.22

30

1

±10

1.3

V

A

V

S

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： FC

接下页。

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得

意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天

仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全

设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，

故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证

物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们

客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请

与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们

客户应自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不

的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证

客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态

设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或

设备。

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

22107PE TI IM TC- 00000506号A0657-1 / 7

EMH2603

从接下页。

参数

符号

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

ID = 80毫安， VGS = 4V

ID = 40毫安， VGS = 2.5V

ID = 10毫安， VGS = 1.5V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 150毫安

IS = 150毫安， VGS = 0V

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 20V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = -

-1mA

VDS = - 10V ，ID = -

-1A

ID = - 1A ， VGS = - 4V

ID = - 0.5A ， VGS = -

-2.5V

ID = - 0.3A ， VGS = -

-1.8V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = - 10V ， VGS = -

-4V ，ID = -

-2A

VDS = - 10V ， VGS = -

-4V ，ID = -

-2A

VDS = - 10V ， VGS = -

-4V ，ID = -

-2A

IS = - 2A ， VGS = 0V

--20

--1

±10

--0.4

1.9

3.2

115

165

260

420

73

60

11.8

33

48

43

4.7

0.75

1.6

--0.83

--1.2

150

235

520

--1.4

评级

民

典型值

2.9

3.7

6.4

7.0

5.9

2.3

19

65

155

120

1.58

0.26

0.31

0.87

1.2

最大

3.7

5.2

12.8

单位

pF

ns

nC

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7045-005

电气连接

8

7

6

5

0.2

0.125

8

5

1

0.5

2.0

0.2

4

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain1

7 ： Drain1

8 ： Drain1

1

2

3

4

1.7

2.1

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain1

7 ： Drain1

8 ： Drain1

三洋： EMH8

顶视图

0.05

0.75

第A0657-2 / 7

EMH2603

开关时间测试电路

[ N沟道]

[ P沟道]

VIN

0V

--4V

VIN

ID = --1A

RL=10

VDD = --10V

VIN

4V

0V

VIN

VDD=15V

D

PW=10s

D.C.≤1%

Rg

ID=80mA

RL=187.5

VOUT

D

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

G

P.G

EMH2603

50

EMH2603

P.G

50

S

--8.0V --6.0V

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

ID - VDS

3.0

V

2.5

3.5V

4.0V

[ N沟道]

--2.0

--1.8

--1.6

ID - VDS

--4.0V

--3.0

V

--2.

5V

[ P沟道]

0V

V

2.0

.8V

--1

漏极电流ID -

--1.4

--1.2

--1.0

--0.8

--0.6

--0.4

6.0

V

VGS=1.5V

0.06

0.04

0.02

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

IT00029

--2

.

V

--0.2

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

VGS = --1.5V

--0.8

--0.9

--1.0

漏极至源极电压VDS - V

0.30

ID - VGS

漏极至源极电压VDS - V

--2.0

--1.8

--1.6

IT10538

[ N沟道]

ID - VGS

[ P沟道]

VDS = --10V

TA

--

0.25

25

°

C

VDS=10V

°

C

漏极电流ID -

75

°

C

0.20

25

--1.4

--1.2

--1.0

--0.8

0.15

75

°

C

--2

5

°

C

0.05

25

°

C

--0.4

--0.2

0

2.0

2.5

3.0

IT00030

0

--0.5

Ta

=

0

0.5

1.0

1.5

--1.0

25

°

C

--1.5

TA

75

°

C

--0.6

--25

°

C

0.10

--2.0

--2.5

IT10539

栅极 - 源极电压VGS - V

第A0657-3 / 7

EMH2603

10

RDS （ ON） - VGS

[ N沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

700

RDS （ ON） - VGS

[ P沟道]

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

600

--0.5A

500

400

--1.0A

ID = --0.3A

80mA

ID=40mA

300

200

100

0

--2

--4

--6

--8

IT10540

栅极 - 源极电压VGS - V

10

IT00031

RDS （ ON） - ID

栅极 - 源极电压VGS - V

500

[ N沟道]

VGS=4V

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

7

400

5

Ta=75°C

3

300

25°C

--25°C

1.8V

V = --

--0.3A ， GS

I D =

= --2.5V

.5A ，V GS

I D = --0

4.0V

V = --

--1.0A ， GS

I D =

200

2

100

1.0

0.01

2

3

5

7

0.1

2

3

5

IT00032

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

漏极电流ID -

10

环境温度，钽 -

°C

10

IT10541

RDS （ ON） - ID

[ N沟道]

正向转移导纳，

y

fs - S

y

fs - ID

VDS = --10V

[ P沟道]

VGS=2.5V

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

7

5

3

2

5

Ta=75°C

25°C

3

--25°C

Ta

1.0

7

5

3

2

-25

=-

°

C

75

°

C

°

C

25

2

1.0

0.01

2

3

5

7

0.1

2

3

5

IT00033

0.1

--0.01

2

3

5 7 --0.1

2

3

5 7 --1.0

2

3

漏极电流ID -

100

7

RDS （ ON） - ID

漏极电流ID -

--10

7

5

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

5 7 --10

IT10542

[ N沟道]

VGS=1.5V

IS - VSD

[ P沟道]

VGS=0V

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

5

2

源出电流，是 - 个

3

25

°

C

--0.7

5

°

C

7

5

3

2

--25°C

25°C

1.0

0.001

2

3

5

7

0.01

2

3

5

IT00034

--0.01

--0.4

--0.5

--0.6

TA

7

10

Ta=75°C

--25

--0.8

--0.9

°

C

--1.0

--1.1

漏极电流ID -

二极管的正向电压， VSD - V

IT10543

第A0657-4 / 7

EMH2603

7

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

5

3

SW时间 - ID

[ P沟道]

VDD = --10V

VGS = --4V

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） -

切换时间， SW时间 - NS

6

2

100

7

5

3

2

5

4

3

,

V

mA

=4.0

=40

ID

VGS

,

mA

=80

ID

=2.

V GS

5V

TD （关闭）

tf

2

TD （上）

10

7

5

tr

1

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

3

--0.01

2

3

5

7 --0.1

2

3

5

7 --1.0

2

3

5

环境温度，钽 -

°C

1.0

IT00035

yfs

- ID

[ N沟道]

VDS=10V

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

漏极电流ID -

IT10544

[ P沟道]

f=1MHz

正向转移导纳，

yfs

-- S

7

5

西塞

2

C

--25

°

TA

75

°

C

西塞，科斯，的Crss - pF的

3

2

25

°

C

0.1

7

5

3

2

100

7

5

3

科斯

CRSS

0.01

2

3

5

7

0.1

2

3

5

IT00036

0

--5

--10

--15

--20

IT10545

漏极电流ID -

1.0

7

5

IS - VSD

漏极至源极电压VDS - V

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

0

[ N沟道]

VGS=0V

VGS - 的Qg

[ P沟道]

源出电流，是 - 个

3

2

0.1

7

5

3

2

0.01

0.5

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --10V

ID = --2A

Ta

=7

5

°

C

25

°

C

--2

5

°

C

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

IT00037

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

二极管的正向电压， VSD - V

1000

7

总栅极电荷QG - 数控

2

--10

7

5

IT10546

SW时间 - ID

切换时间， SW时间 - NS

5

3

2

[ N沟道]

VDD=15V

VGS=4V

ASO

IDP = --8A

[ P沟道]

TD （关闭）

tf

漏极电流ID -

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

100

7

5

3

2

tr

PW≤10s

1m

100

s

ID = --2A

10

DC

m

10

s

op

0m

er

s

ATI

on

(T

a=

25

°

C

在这一领域

)

由RDS （ ON）的限制。

TD （上）

10

0.01

2

3

5

7

0.1

2

IT00038

--0.01

--0.01 2 3

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

0.8mm)

1unit

5 7--0.1

2 3

5 7--1.0

2 3

5 7 --10

2 3

5

漏极电流ID -

漏极至源极电压VDS - V

IT11989

第A0657-5 / 7