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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第444页 > EMG9
EMG9 / UMG9N / FMG9A
晶体管
发射器通用
（双数字晶体管）
EMG9 / UMG9N / FMG9A
!
特点
1 ）两个DTC114E在EMT或UMT或SMT封装。
2 ）安装成本和面积可减少一半。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMG9
0.22
(4)
(3)
(2)
(5)
!
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
（内置电阻型）
0.13
1.2
1.6
(1)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT5
缩写符号： G9
0.65 0.65
1.3
1.1
2.9
0.9
0.2
(6)
1.25
2.1
0.7
!
等效电路
EMG9 / UMG9N
(3)
R
1
DTR
2
(4)
R
2
(2)
R
2
(1)
R
1
=10k
R
1
R
2
=10k
DTR
1
0.15
0.1Min.
FMG9A
(3)
R
1
DTR
2
(2)
R
2
(4)
R
2
(5)
R
1
=10k
R
1
R
2
=10k
DTR
1
(1)
0to0.1
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
缩写符号： G9
(5)/(6)
FMG9A
0.95 0.95
1.9
0.3
(2)
(3)
(1)
1.6
0.15
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
40
10
50
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55+150
C
C
单位
V
V
2.8
0.8
0.3to0.6
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT5
EIAJ ： SC- 74A
缩写符号： G9
输出电流
EMG9 ， UMG9N
动力
散热FMG9A
结温
储存温度
mA
mW
1
2
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(5)
(4)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
2.0
(2)
以下特性同时适用于DTR
1
和
DTR
2
.
UMG9N
(4)
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
EMG9 / UMG9N / FMG9A
晶体管
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
3
30
7
0.8
典型值。
0.1
250
10
1.0
马克斯。
0.5
0.3
0.88
0.5
13
1.2
单位
V
V
mA
A
兆赫
k
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=10mA
I
O
=10mA,
I
I
=0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10mA,
I
E
=
5mA,
f=100MHz
该设备的跃迁频率
!
包装规格
包
CODE
TYPE
EMG9
UMG9N
FMG9A
基本订购
单位（件）
T2R
8000
TAPING
TR
3000
T148
3000
!
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100C
25C
40C
输入电压： V
我（上）
(V)
输出电流：木卫一
(A)
2m
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
直流电流增益：摹
I
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100C
25C
40C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=40C
25C
100C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
l
O
/l
I
=20
Ta=100C
25C
40C
输出电压： V
O（上）
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
EMG9 / UMG9N / FMG9A
晶体管
发射器通用
（双数字晶体管）
EMG9 / UMG9N / FMG9A
!
特点
1 ）两个DTC114E在EMT或UMT或SMT封装。
2 ）安装成本和面积可减少一半。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMG9
0.22
(4)
(3)
(2)
(5)
!
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
（内置电阻型）
0.13
1.2
1.6
(1)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT5
缩写符号： G9
0.65 0.65
1.3
1.1
2.9
0.9
0.2
(6)
1.25
2.1
0.7
!
等效电路
EMG9 / UMG9N
(3)
R
1
DTR
2
(4)
R
2
(2)
R
2
(1)
R
1
=10k
R
1
R
2
=10k
DTR
1
0.15
0.1Min.
FMG9A
(3)
R
1
DTR
2
(2)
R
2
(4)
R
2
(5)
R
1
=10k
R
1
R
2
=10k
DTR
1
(1)
0to0.1
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
缩写符号： G9
(5)/(6)
FMG9A
0.95 0.95
1.9
0.3
(2)
(3)
(1)
1.6
0.15
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
40
10
50
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55+150
C
C
单位
V
V
2.8
0.8
0.3to0.6
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT5
EIAJ ： SC- 74A
缩写符号： G9
输出电流
EMG9 ， UMG9N
动力
散热FMG9A
结温
储存温度
mA
mW
1
2
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(5)
(4)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
2.0
(2)
以下特性同时适用于DTR
1
和
DTR
2
.
UMG9N
(4)
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
EMG9 / UMG9N / FMG9A
晶体管
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
3
30
7
0.8
典型值。
0.1
250
10
1.0
马克斯。
0.5
0.3
0.88
0.5
13
1.2
单位
V
V
mA
A
兆赫
k
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=10mA
I
O
=10mA,
I
I
=0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10mA,
I
E
=
5mA,
f=100MHz
该设备的跃迁频率
!
包装规格
包
CODE
TYPE
EMG9
UMG9N
FMG9A
基本订购
单位（件）
T2R
8000
TAPING
TR
3000
T148
3000
!
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100C
25C
40C
输入电压： V
我（上）
(V)
输出电流：木卫一
(A)
2m
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
直流电流增益：摹
I
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100C
25C
40C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=40C
25C
100C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
l
O
/l
I
=20
Ta=100C
25C
40C
输出电压： V
O（上）
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
EMG9 / UMG9N / FMG9A
NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管
（偏置电阻内置晶体管）
lOutline
参数
TR1和TR2
EMT5
(1)
数据表
I
C（最大值）。
R
1
R
2
V
CC
50V
100mA
10kW
10kW
SMT5
(5)
(4)
(2)
(3)
UMT5
(4)
(3)
(2)
(1)
(5)
EMG9
(SC-107BB)
(1)
(2)
(5)
(4)
(3)
UMG9N
SOT- 353 （ SC- 88A ）
lFeatures
1 ）内置偏置电阻，R
1
= R
2
= 10千瓦。
2 ）两DTC114E芯片在一个封装中。
3）发射极（GND）的-common类型。
4 ）内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻（请参见内部电路） 。
5）偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离，允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
6）仅在开/关的条件需要被设置
操作时，使电路设计容易。
7 ）无铅/符合RoHS标准。
FMG9A
(SC-74A)
lInner
电路
EMG9 / UMG9N
IN
(3)
GND
(2)
IN
(1)
IN
(3)
FMG9A
GND
(4)
IN
(5)
lApplication
逆变电路，接口电路，驱动电路
(4)
OUT
(5)
OUT
(2)
OUT
(1)
OUT
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
EMG9
UMG9N
FMG9A
包
EMT5
UMT5
SMT5
包
SIZE
(mm)
1616
2021
2928
TAPING
CODE
T2R
TR
T148
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位（pcs ）
180
180
180
8
8
8
8,000
3,000
3,000
记号
G9
G9
G9
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1/7
2012.06 - Rev.B的
EMG9 / UMG9N / FMG9A
lAbsolute
最大额定值
（ TA = 25°C ）
<For Tr1和Tr2中common>
参数
电源电压
输入电压
输出电流
集电极电流
功耗
EMG9 / UMG9N
FMG9A
结温
储存温度范围
lElectrical
特性（Ta
= 25°C)
<For Tr1和Tr2中common>
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T *1
条件
V
CC
= 5V ，我
O
= 100毫安
V
O
= 0.3V时，我
O
= 10毫安
I
O
/ I
I
= 10毫安/ 0.5毫安
V
I
= 5V
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ，我
O
= 5毫安
-
-
V
CE
= 10V ，我
E
=
-5mA,
F = 100MHz的
数据表
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(MAX.)*1
P
D
*2
值
50
-10
to
+40
50
100
150 （ TOTAL ）
*3
300 （ TOTAL ）
*4
150
-55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
分钟。
-
3
-
-
-
30
7
0.8
-
典型值。
-
-
0.1
-
-
-
10
1
250
马克斯。
0.5
-
0.3
0.88
0.5
-
13
1.2
-
单位
V
V
mA
mA
-
kW
-
兆赫
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
*每个单元3 120MW不得超过。
*每单元4 200mW的不得超过。
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2012.06 - Rev.B的
EMG9 / UMG9N / FMG9A
lElectrical
特性曲线
（ TA = 25°C ）
数据表
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
输入电压： V
我（上）
[V]
输出电流：我
O
[A]
输出电流：我
O
[A]
输入电压： V
我（关闭）
[V]
图3输出电流与输出电压
50
I
I
= 260μA
240μA
220μA
200μA
图4直流电流增益与输出电流
输出电流：我
O
[马]
40
30
180μA
160μA
20
140μA
120μA
10
Ta=25C
100μA
0A
0
0
5
10
直流电流增益：摹
I
输出电压： V
O
[V]
输出电流：我
O
[A]
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3/7
2012.06 - Rev.B的
EMG9 / UMG9N / FMG9A
lElectrical
特性曲线
（ TA = 25°C ）
数据表
图5输出电压与输出电流
输出电压： V
O（上）
[V]
输出电流：我
O
[A]
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2012.06 - Rev.B的
EMG9 / UMG9N / FMG9A
lDimensions
（单位：毫米）
D
数据表
EMT5
A
x
S A
c
b
L
H
E
E
e
L
Lp
Lp
A
A1
S
S
l1
b2
e
终端位置方面的Patterm
暗淡
A1
A
b
c
D
E
e
H
E
L
Lp
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
民
最大
0.00
0.10
0.45
0.55
0.17
0.27
0.08
0.18
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
1.50
1.70
0.10
0.30
-
0.35
-
0.10
-
0.10
地壳板块
民
最大
1.25
-
0.37
-
0.45
英寸
民
0
0.018
0.007
0.003
0.059
0.043
0.02
0.059
0.004
-
-
-
英寸
民
0.049
-
-
0.015
0.018
最大
0.067
0.012
0.014
0.004
0.004
最大
0.004
0.022
0.011
0.007
0.067
0.051
尺寸以毫米/英寸
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EEEFK0J102GP
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EDZ5.1B
EL2044CS-T13
EM6160FV8AT-10L
EM645FS16AT-70LL
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EMG9
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
EMG9
ROHM
2019
36000
ROHM
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市海虹微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881443942 复制

电话：0755-83291010 83678410
联系人：赵小姐
地址：深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
EMG9
ROHM/罗姆
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