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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第25页 > EMG8
EMG8 / UMG8N / FMG8A
晶体管
发射器通用
(双数字晶体管)
EMG8 / UMG8N / FMG8A
特点
1 )两个DTC143Z芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMG8
(3)
(2)
(5)
0.22
(4)
0.13
1.2
1.6
(1)
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
(内置电阻型)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT5
缩写符号: G8
UMG8N
(4)
(3)
以下特性同时适用于DTR
1
DTR
2
.
0.65 0.65
0.5
1.3
0.5 0.5
1.0
1.6
0.2
(5)
1.25
2.1
0.15
0.7
0.9
等效电路
EMG8 / UMG8N
(3)
R
1
DTR
2
(4)
R
2
0.1Min.
0to0.1
FMG8A
(1)
R
1
=4.7k
R
1
R
2
=47k
DTR
1
(2)
R
2
(3)
R
1
DTR
2
(2)
R
2
(4)
R
2
(5)
R
1
=4.7k
R
1
R
2
=47k
DTR
1
(1)
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
缩写符号: G8
FMG8A
0.95 0.95
1.9
0.3
(2)
(3)
(5)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
(1)
1.6
2.8
0.15
(5)
(4)
0.3to0.6
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
30
5
100
100
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55
to
+150
单位
V
V
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
0to0.1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: G8
输出电流
EMG8 , UMG8N
动力
散热FMG8A
结温
储存温度
mA
mW
C
C
1
2
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
0.8
1.1
2.9
2.0
(2)
Rev.A的
1/2
EMG8 / UMG8N / FMG8A
晶体管
电气特性
( TA = 25°C )
参数
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
分钟。
1.3
80
典型值。
0.1
马克斯。
0.5
0.3
1.8
0.5
单位
V
V
mA
A
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=5mA
I
O
=5mA,
I
I
=0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
3.29
8
250
4.7
10
6.11
12
兆赫
k
V
CE
=10V,
I
E
=
5mA,
f=100MHz
该设备的跃迁频率
包装规格
CODE
TYPE
TAPING
T2R
8000
TR
3000
T148
3000
基本订购
单位(件)
EMG8
UMG8N
FMG8A
电气特性曲线
100
10m
V
O
=0.3V
50
5m
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100C
25C
40C
输入电压: V
我(上)
(V)
输出电流:木卫一
(A)
2m
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m100m
直流电流增益:摹
I
2.0
2.5
3.0
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
200
100
50
20
10
5
2
Ta=40C
25C
100C
Ta=100C
25C
40C
0.5
1.0
1.5
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
输出电流:我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
图2输出电流与输入电压
(关特征)
图3直流电流增益与输出
当前
1
l
O
/l
I
=20
OUTPTUT电压: V
O(上)
(V)
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m100m
Ta=100C
25C
40C
输出电流:我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMG8
ü人 IG ITAL TRAN西斯托RS ( NPN + NPN )
SOT-553
特点
在一个封装内的两个DTC143Z芯片
安装成本和面积可减少一半
1
标记: G8
等效电路:
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CC
V
i
I
O
P
D
T
J
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
价值
50
-5~30
100
150
150
-55~+150
单位
V
V
mA
mW
电气特性(T
a
=25℃)
参数
输入启动电压
输入截止电压
输出电压
输入截止电流
输出截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我(上)
V
我(关闭)
V
O(上)
I
i
I
O(关)
G
i
f
T
R
1
R
2
/R
1
TEST
条件
1.3
0.5
0.3
1.8
0.5
80
250
3.29
8
6.11
12
兆赫
K
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
A
V
CC
= 0.3V时,我
O
=5mA
V
CC
= 5V ,我
O
=100A
I
O
= 5毫安,我
i
=0.25mA
V
i
=5V
V
CC
=50V, V
i
=0
V
O
= 5V ,我
O
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安中,f = 100MHz的
1
金隅
半导体
www.htsemi.com
日期:2011年/ 05
EMG8
典型特征
基本特征
100
10
开关特性
V
O
=0.3V
3
V
CC
=5V
30
(V)
1
10
V
我(上)
(MA )
I
0
0.3
输入电压
Ta=100
0.1
3
输出电流
Ta=25
0.03
Ta=25
1
0.01
Ta=100
0.3
0.003
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
输出电流
I
O
(MA )
输入电压
V
我(关闭)
(V)
G
1000
I
O
1000
V
O
V
O
=5V
I
O
I
O
/I
I
=20
300
(毫伏)
Ta=25
输出电压
V
0
Ta=100
G
100
300
直流电流增益
30
100
Ta=100
10
Ta=25
30
3
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
输出电流
I
O
(MA )
输出电流
I
O
(MA )
C
O
10
V
R
f=1MHz
Ta=25
8
(PF )
电容
C
O
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
反向偏置电压
V
R
(V)
2
金隅
半导体
www.htsemi.com
日期:2011年/ 05
EMG8 / UMG8N / FMG8A
晶体管
发射器通用
(双数字晶体管)
EMG8 / UMG8N / FMG8A
特点
1 )两个DTC143Z芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMG8
(3)
(2)
(5)
0.22
(4)
0.13
1.2
1.6
(1)
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
(内置电阻型)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT5
缩写符号: G8
UMG8N
(4)
(3)
以下特性同时适用于DTR
1
DTR
2
.
0.65 0.65
0.5
1.3
0.5 0.5
1.0
1.6
0.2
(5)
1.25
2.1
0.15
0.7
0.9
等效电路
EMG8 / UMG8N
(3)
R
1
DTR
2
(4)
R
2
0.1Min.
0to0.1
FMG8A
(1)
R
1
=4.7k
R
1
R
2
=47k
DTR
1
(2)
R
2
(3)
R
1
DTR
2
(2)
R
2
(4)
R
2
(5)
R
1
=4.7k
R
1
R
2
=47k
DTR
1
(1)
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
缩写符号: G8
FMG8A
0.95 0.95
1.9
0.3
(2)
(3)
(5)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
(1)
1.6
2.8
0.15
(5)
(4)
0.3to0.6
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
30
5
100
100
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55
to
+150
单位
V
V
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
0to0.1
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: G8
输出电流
EMG8 , UMG8N
动力
散热FMG8A
结温
储存温度
mA
mW
C
C
1
2
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
0.8
1.1
2.9
2.0
(2)
Rev.A的
1/2
EMG8 / UMG8N / FMG8A
晶体管
电气特性
( TA = 25°C )
参数
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
分钟。
1.3
80
典型值。
0.1
马克斯。
0.5
0.3
1.8
0.5
单位
V
V
mA
A
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=5mA
I
O
=5mA,
I
I
=0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
3.29
8
250
4.7
10
6.11
12
兆赫
k
V
CE
=10V,
I
E
=
5mA,
f=100MHz
该设备的跃迁频率
包装规格
CODE
TYPE
TAPING
T2R
8000
TR
3000
T148
3000
基本订购
单位(件)
EMG8
UMG8N
FMG8A
电气特性曲线
100
10m
V
O
=0.3V
50
5m
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100C
25C
40C
输入电压: V
我(上)
(V)
输出电流:木卫一
(A)
2m
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m100m
直流电流增益:摹
I
2.0
2.5
3.0
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
200
100
50
20
10
5
2
Ta=40C
25C
100C
Ta=100C
25C
40C
0.5
1.0
1.5
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
输出电流:我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
图2输出电流与输入电压
(关特征)
图3直流电流增益与输出
当前
1
l
O
/l
I
=20
OUTPTUT电压: V
O(上)
(V)
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m100m
Ta=100C
25C
40C
输出电流:我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EMG8
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
EMG8
CJ/长电
1926+
28562
SOT-553
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
EMG8
ROHM/罗姆
22+
33000
全新百分百进口正品原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
EMG8
ROHM
2019
17500
SOT-553
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
EMG8
DIODES
2019
17500
SOT-553
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004330546 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
EMG8
ROHM
15+
99000
EMT5
产品优势可售样板
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
EMG8
ROHM
20+
150000
SMDDIP
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
EMG8
ROHM/罗姆
150000
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

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