EMG2DXV5T1 , EMG5DXV5T1
器件标识和电阻值
设备
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
包
SOT553
SOT553
记号
UP
UF
R1 ( K)
47
10
R2 ( K)
47
47
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性( Q1 & Q2 )
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50 V,I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0) EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10
毫安,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压(注3 )
(I
C
= 2.0毫安,我
B
= 0)
基本特征( Q1 & Q2 )
(注3)
直流电流增益(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
h
FE
V
CE ( SAT )
V
OL
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
V
OH
R
1
R
1
/R
2
4.9
32.9
7.0
0.8
0.17
47
10
1.0
0.21
0.2
0.2
61.1
13
1.2
0.25
VDC
kW
80
80
140
140
0.25
VDC
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
50
50
100
500
0.1
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压( IC = 10 mA时,我
B
= 0.3 mA)的
输出电压(上)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
输出电压(关) (V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ,R
L
= 1.0千瓦)
输入电阻
电阻率
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
女士,
占空比< 2.0 %
350
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 370 ° C / W
0
50
100
T
A
,环境温度( ° C)
150
图1.降额曲线
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2
EMG2DXV5T1 , EMG5DXV5T1
电气特性 - EMG5DXV5T1
VCE (SAT) ,集电极最大电压(伏)
1
I
C
/I
B
= 10
300
250
的hFE , DC电流增益
200
150
100
50
0.001
0
20
40
60
I
C
,集电极电流(毫安)
80
0
1
2
4
6
8 10 15 20 40 50 60 70 80
I
C
,集电极电流(毫安)
90 100
V
CE
= 10
T
A
= 75°C
25°C
25°C
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
0.01
图7. V
CE ( SAT )
与我
C
图8.直流电流增益
4
3.5
COB,电容(pF )
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6 8 10 15 20 25 30 35 40
V
R
,反向偏置电压(伏)
45
50
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ,集电极电流(毫安)
25°C
T
A
= 25°C
10
V
O
= 5 V
1
0
2
4
6
V
in
,输入电压(伏)
8
10
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在,输入电压(伏)
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
,集电极电流(毫安)
40
50
图11.输入电压与输出电流
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