EMG2DXV5T1 ， EMG5DXV5T1
器件标识和电阻值
设备
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
包
SOT553
SOT553
记号
UP
UF
R1 （ K）
47
10
R2 （ K）
47
47
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性（ Q1 & Q2 ）
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流（V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0） EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征（ Q1 & Q2 ）
（注3）
直流电流增益（V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OL
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
V
OH
R
1
R
1
/R
2
4.9
32.9
7.0
0.8
0.17
47
10
1.0
0.21
0.2
0.2
61.1
13
1.2
0.25
VDC
kW
80
80
140
140
0.25
VDC
VDC
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.1
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
EMG2DXV5T1
EMG5DXV5T1
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
350
P
D
，功耗（毫瓦）
300
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 370 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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2
EMG2DXV5T1 ， EMG5DXV5T1
电气特性 - EMG5DXV5T1
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
300
250
的hFE ， DC电流增益
200
150
100
50
0.001
0
20
40
60
I
C
，集电极电流（毫安）
80
0
1
2
4
6
8 10 15 20 40 50 60 70 80
I
C
，集电极电流（毫安）
90 100
V
CE
= 10
T
A
= 75°C
25°C
25°C
T
A
= 25°C
25°C
0.1
75°C
0.01
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
图8.直流电流增益
4
3.5
COB，电容（pF ）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6 8 10 15 20 25 30 35 40
V
R
，反向偏置电压（伏）
45
50
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
25°C
T
A
= 25°C
10
V
O
= 5 V
1
0
2
4
6
V
in
，输入电压（伏）
8
10
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图11.输入电压与输出电流
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4
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