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EMF6

晶体管

电源管理（双晶体管）

EMF6

2SA2018和2SK3019是在EMT6包独立地收纳。

!

应用

电源管理电路

!

外形尺寸

（单位：毫米）

!

特点

1）电源开关电路在单个封装中。

2 ）安装成本和面积可减少一半。

0.22

(4)

(5)

(6)

(3)

(2)

1.2

1.6

(1)

0.13

!

结构

硅外延平面晶体管

ROHM ： EMT6

每根引线有

相同的尺寸

!

等效电路

缩写符号： F6

(3)

(2)

(1)

Tr2

Tr1

(4)

(5)

(6)

!

包装规格

TYPE

包

记号

CODE

基本订购单位（件）

EMF6

EMT6

F6

T2R

8000

0.5

0.5 0.5

1.0

1.6

1/5

EMF6

晶体管

!

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

Tr1

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

符号

范围

V

CBO

15

V

首席执行官

12

6

V

EBO

500

I

C

集电极电流

1.0

I

CP

150(TOTAL)

P

C

功耗

Tj

150

结温

TSTG

55~+150

储存温度范围

单位

V

V

V

mA

A

mW

°C

°C

1

2

1

单脉冲P

W

=1ms

2

每个元素120MW不得超过。每个端子安装在一个推荐的土地。

Tr2

符号

范围

参数

V

DSS

30

漏源电压

V

GSS

±20

栅源电压

I

D

100

连续

漏电流

200

I

DP

脉冲

I

DR

100

连续

反向漏

当前

I

DRP

200

脉冲

总功耗

150(TOTAL)

P

D

总胆固醇

150

通道温度

TSTG

55~+150

储存温度范围

单位

V

V

mA

mA

mA

mA

mW

°C

°C

1

1

2

1

PW≤10ms责任cycle≤50 ％

2

每个元素120MW不得超过。每个端子安装在一个推荐的土地。

!

电气特性

(Ta=25°C)

Tr1

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

跃迁频率

集电极输出电容

符号

BV

首席执行官

BV

CBO

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

f

T

COB

分钟。

12

15

6

270

典型值。

100

260

6.5

马克斯。

100

100

250

680

单位

V

V

V

nA

nA

mV

兆赫

pF

条件

I

C

=1mA

I

C

=10A

I

E

=10A

V

CB

=15V

V

EB

=6V

I

C

=200mA,

I

B

=10mA

V

CE

=2V,

I

C

=10mA

V

CE

=2V,

I

E

=10mA,

f=100MHz

V

CB

=10V,

I

E

=0mA,

f=1MHz

Tr2

参数

栅源漏

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源

导通状态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

Reverce传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

I

GSS

V

（ BR ） DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

分钟。

30

0.8

20

典型值。

5

7

13

9

4

15

35

80

80

马克斯。

±1

1.0

1.5

8

13

单位

A

V

A

V

ms

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

条件

V

GS

=±20V,

V

DS

=0V

I

D

=10A,

V

GS

=0V

V

DS

=30V,

V

GS

=0V

V

DS

=3V,

I

D

=100A

I

D

=10mA,

V

GS

=4V

I

D

=1mA,

V

GS

=2.5V

V

DS

=3V,

I

D

=10mA

V

DS

=5V,

V

GS

=0V,

f=1MHz

I

D

=10mA,

V

DD

5V,

V

GS

=5V,

R

L

=500,

R

GS

=10

2/5

EMF6

晶体管

!

电气特性曲线

Tr1

1000

集电极电流：我

C

（MA ）

V

CE

=2V

脉冲

直流电流增益：H

FE

1000

Ta=125°C

Ta=25°C

Ta=40°C

集电极饱和电压： V

CE （ SAT ）

（毫伏）

V

CE

=2V

脉冲

1000

Ta=25°C

脉冲

100

100

100

I

C

/I

B

=50

I

C

/I

B

=20

5

°

C

Ta

=

25

°C

TA

4

0°

Ta

=

12

C

10

10

10

I

C

/I

B

=10

1

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1

10

100

1000

1

1

10

100

1000

基地发射极电压： V

BE

(V)

集电极电流：我

C

（MA ）

集电极电流：我

C

（MA ）

图1发射极接地传播

特征

图2直流电流增益与

集电极电流

图3集电极 - 发射极饱和电压

- 集电极电流（

Ι

)

集电极饱和电压： V

CE （SAT）

(V)

100

Ta=25°C

Ta=125°C

1000

Ta=25°C

Ta=40°C

跃迁频率：F

T

（兆赫）

I

C

/I

B

=20

脉冲

BASER饱和电压： V

BE （SAT）

（毫伏）

1000

10000

I

C

/I

B

=20

脉冲

1000

V

CE

=2V

Ta=25°C

脉冲

100

Ta=125°C

Ta=40°C

10

100

10

1

1

10

100

1000

10

1

10

100

1000

1

1

10

100

1000

集电极电流：我

C

（MA ）

集电极电流：我

C

（MA ）

发射极电流：我

E

（MA ）

图4集电极 - 发射极饱和电压

- 集电极电流（

ΙΙ

)

图5基极 - 发射极饱和电压

与集电极电流

图6增益带宽积

与发射极电流

发射极输入电容： CIB （PF ）

集电极输出电容：玉米棒（PF ）

1000

I

E

=

0A

f

=

1MHz

Ta

=

25°C

100

兴业银行

10

COB

1

0.1

1

10

100

发射极 - 基极电压： V

EB

(V)

图7集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

发射极输入电容

与发射极 - 基极电压

3/5

EMF6

晶体管

Tr2

栅极阈值电压： V

GS （ TH）

(V)

0.15

4V

漏电流：我

D

(A)

200m

3V

漏电流：我

D

(A)

3.5V

Ta=25°C

脉冲

100m

50m

20m

10m

5m

2m

1m

0.5m

V

DS

=3V

脉冲

2

V

DS

=3V

I

D

=0.1mA

脉冲

1.5

0.1

2.5V

1

0.05

2V

V

GS

=1.5V

Ta=125°C

75°C

25°C

25°C

0.5

0.2m

0

0

1

2

3

4

5

0.1m

0

1

2

3

4

0

50 25

0

25

50

75

100

125 150

漏源电压： V

DS

(V)

栅源电压： V

GS

(V)

通道温度：总胆固醇（C ）

图9典型的输出特性

图10典型的传输特性

图11栅极阈值电压相对于

通道温度

50

静态漏源

通态电阻，R

DS （ ON）

()

20

10

5

Ta=125°C

75°C

25°C

25°C

静态漏源

通态电阻，R

DS （ ON）

()

20

10

5

静态漏源

通态电阻，R

DS （ ON）

()

V

GS

=4V

脉冲

50

Ta=125°C

75°C

25°C

25°C

V

GS

=2.5V

脉冲

15

Ta=25°C

脉冲

10

2

1

0.5

0.001 0.002

2

1

0.5

0.001 0.002

5

I

D

=0.1A

I

D

=0.05A

0.005 0.01 0.02

0.05 0.1

0.2

0.5

0.005 0.01 0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

0

0

5

10

15

20

漏电流：我

D

(A)

漏电流：我

D

(A)

栅源电压： V

GS

(V)

图12静态漏源导通状态

电阻与漏极电流（

Ι

)

图13静态漏源导通状态

电阻与漏极电流（

ΙΙ

)

图14静态漏源导通状态

电阻与栅源

电压

9

反向漏电流：我

DR

(A)

静态漏源

通态电阻，R

DS （ ON）

()

8

7

6

5

4

3

2

1

0

50 25

0

25

50

75

I

D

=100mA

V

GS

=4V

脉冲

正向传递

导纳： | YFS | （ S）

0.5

V

DS

=3V

脉冲

200m

100m

50m

20m

10m

5m

2m

1m

0.5m

0.2m

0.1m

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

0.002

Ta=25°C

25°C

75°C

125°C

V

GS

=0V

脉冲

I

D

=50mA

Ta=125°C

75°C

25°C

25°C

100 125

150

0.001

0.0001 0.0002

0.0005 0.001 0.002

0.005 0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5

0

0.5

1

1.5

通道温度：总胆固醇（C ）

漏电流：我

D

(A)

源极 - 漏极电压： V

SD

(V)

图16正向转移导纳主场迎战

图15静态漏源导通状态

漏电流

电阻与通道温度

图17反向漏电流随

源极 - 漏极电压（

Ι

)

4/5

EMF6

晶体管

反向漏电流：我

DR

(A)

200m

100m

50m

20m

10m

5m

2m

1m

0.5m

0.2m

0.1m

V

GS

=4V

Ta=25°C

脉冲

50

20

电容：C （PF ）

Ta

=25°C

f=1MH

Z

V

GS

=0V

具有结构转换的时间： T（ NS ）

1000

t

f

500

t

D（关闭）

200

100

50

20

10

5

2

0.1 0.2

t

r

t

D（上）

Ta

=25°C

V

DD

=5V

V

GS

=5V

R

G

=10

脉冲

10

5

C

国际空间站

0V

C

OSS

C

RSS

2

1

0.5

0.1

0

0.5

1

1.5

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

0.5

1

2

5

10

20

50

100

源极 - 漏极电压： V

SD

(V)

漏源电压： V

DS

(V)

漏电流：我

D

（MA ）

图18反向漏电流随

源极 - 漏极电压（

ΙΙ

)

图19典型的电容与

漏源电压

图20开关特性

5/5

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15+

5000

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进口原装现货

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1926+

28562

SOT-363

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

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ROHM

2443+

23000

SOT-363

一级代理专营，原装现货，价格优势

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联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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27200

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EMF6

ROHM

21+22+

12600

SOT-363

原装正品

深圳市芯福林电子科技有限公司

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ROHM

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112000

原装正品，支持实单

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ROHM主营品牌

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EMT6

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20918

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