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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第333页 > EMF18
EMF18 / UMF18N
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMF18 / UMF18N
2SA1774和DTC144EE都在EMT或UMT包独立安置。
!
应用
电源管理电路
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMF18
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
!
特点
1）电源开关电路在单个封装中。
2 ）安装成本和面积可减少一半。
ROHM ： EMT6
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F18
!
结构
硅外延平面晶体管
UMF18N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.2
1.25
(3)
(2)
(1)
2.1
0.15
DTr2
R
2
(4)
R
1
Tr1
0.1Min.
0to0.1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
(5)
R1=47k
R2=47k
(6)
缩写符号： F18
!
包装规格
TYPE
EMF18
UMF18N
EMT6
UMT6
包
F18
F18
记号
T2R
TR
CODE
3000
基本订购单位（件）
8000
(1)
!
等效电路
(6)
每根导线具有相同的尺寸
2.0
(5)
(2)
1/4
EMF18 / UMF18N
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
6
150
150 （ TOTAL ）
150
55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
每个元素120MW不得超过。
DTr2
范围
参数
符号
50
V
CC
电源电压
10~+40
V
IN
输入电压
100
I
C
集电极电流
30
I
O
输出电流
150(TOTAL)
P
C
功耗
Tj
150
结温
TSTG
55~+150
储存温度范围
1
内置晶体管的特性。
2
每个元素120MW不得超过。
每个端子安装在一个推荐的土地。
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1
2
!
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4
马克斯。
0.1
0.1
0.5
560
5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
CE
=
6V,
I
C
=
1mA
V
CE
=
12V,
I
E
= 2毫安中，f = 100MHz的
V
CB
=
12V,
I
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
DTr2
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
*特点
内置的晶体管。
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
3.0
68
32.9
0.8
典型值。
100
250
47
1.0
马克斯。
0.5
300
180
500
61.1
1.2
单位
V
V
mV
A
nA
兆赫
k
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=2mA
V
O
=10mA,
I
I
=0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
2/4
EMF18 / UMF18N
晶体管
!
电气特性曲线
Tr1
-50
集电极电流： IC
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
TA = 100℃
25°C
-20
40°C
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
V
CE
=
6V
-10
-35.0
TA = 25°C
-31.5
-28.0
-24.5
-100
TA = 25°C
-500
-450
-400
-350
-300
-8
-80
-6
-21.0
-17.5
-60
-250
-200
-4
-14.0
-10.5
-40
-150
-100
-2
-7.0
-3.5A
I
B
= 0
-20
-50A
I
B
= 0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
0
-1
-2
-3
-4
-5
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（
Ι
)
图3接地发射极输出
特性（
ΙΙ
)
500
TA = 25°C
V
CE
= -5V
-3V
-1V
500
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
-1
TA = 100℃
25°C
TA = 25°C
直流电流增益：H
FE
直流电流增益：H
FE
-0.5
200
200
-40°C
-0.2
100
100
I
C
/I
B
= 50
-0.1
20
10
50
50
-0.05
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10 -20
-50 -100
V
CE
= -6V
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10 -20
-50 -100
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与集电极
电流（
Ι
)
图5直流电流增益与集电极
电流（
ΙΙ
)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
-1
1000
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
= 10
TA = 25
°C
V
CE
= -12V
20
兴业银行
10
-0.5
500
TA = 25
°C
f
=
1MHz
I
E
= 0A
I
C
= 0A
Co
b
-0.2
200
5
-0.1
TA = 100℃
25°C
-40°C
100
2
-0.05
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
ΙΙ
)
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
3/4
EMF18 / UMF18N
晶体管
DTr2
100
50
输出电流：木卫一
(A)
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输入电压： V
我（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
2米TA = 100℃
25°C
1m
40°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
200
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图9输入电压与输出电流
（ON特性）
图10输出电流与输入电压
（关特征）
图11直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图12输出电压和输出
当前
4/4
EMF18 / UMF18N
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMF18 / UMF18N
2SA1774和DTC144EE都在EMT或UMT包独立安置。
!
应用
电源管理电路
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMF18
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
!
特点
1）电源开关电路在单个封装中。
2 ）安装成本和面积可减少一半。
ROHM ： EMT6
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F18
!
结构
硅外延平面晶体管
UMF18N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.2
1.25
(3)
(2)
(1)
2.1
0.15
DTr2
R
2
(4)
R
1
Tr1
0.1Min.
0to0.1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
(5)
R1=47k
R2=47k
(6)
缩写符号： F18
!
包装规格
TYPE
EMF18
UMF18N
EMT6
UMT6
包
F18
F18
记号
T2R
TR
CODE
3000
基本订购单位（件）
8000
(1)
!
等效电路
(6)
每根导线具有相同的尺寸
2.0
(5)
(2)
1/4
EMF18 / UMF18N
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
6
150
150 （ TOTAL ）
150
55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
每个元素120MW不得超过。
DTr2
范围
参数
符号
50
V
CC
电源电压
10~+40
V
IN
输入电压
100
I
C
集电极电流
30
I
O
输出电流
150(TOTAL)
P
C
功耗
Tj
150
结温
TSTG
55~+150
储存温度范围
1
内置晶体管的特性。
2
每个元素120MW不得超过。
每个端子安装在一个推荐的土地。
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1
2
!
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4
马克斯。
0.1
0.1
0.5
560
5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
CE
=
6V,
I
C
=
1mA
V
CE
=
12V,
I
E
= 2毫安中，f = 100MHz的
V
CB
=
12V,
I
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
DTr2
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
*特点
内置的晶体管。
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
3.0
68
32.9
0.8
典型值。
100
250
47
1.0
马克斯。
0.5
300
180
500
61.1
1.2
单位
V
V
mV
A
nA
兆赫
k
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=2mA
V
O
=10mA,
I
I
=0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
2/4
EMF18 / UMF18N
晶体管
!
电气特性曲线
Tr1
-50
集电极电流： IC
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
TA = 100℃
25°C
-20
40°C
-10
-5
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
V
CE
=
6V
-10
-35.0
TA = 25°C
-31.5
-28.0
-24.5
-100
TA = 25°C
-500
-450
-400
-350
-300
-8
-80
-6
-21.0
-17.5
-60
-250
-200
-4
-14.0
-10.5
-40
-150
-100
-2
-7.0
-3.5A
I
B
= 0
-20
-50A
I
B
= 0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
0
-1
-2
-3
-4
-5
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（
Ι
)
图3接地发射极输出
特性（
ΙΙ
)
500
TA = 25°C
V
CE
= -5V
-3V
-1V
500
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
-1
TA = 100℃
25°C
TA = 25°C
直流电流增益：H
FE
直流电流增益：H
FE
-0.5
200
200
-40°C
-0.2
100
100
I
C
/I
B
= 50
-0.1
20
10
50
50
-0.05
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10 -20
-50 -100
V
CE
= -6V
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10 -20
-50 -100
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与集电极
电流（
Ι
)
图5直流电流增益与集电极
电流（
ΙΙ
)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
-1
1000
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
= 10
TA = 25
°C
V
CE
= -12V
20
兴业银行
10
-0.5
500
TA = 25
°C
f
=
1MHz
I
E
= 0A
I
C
= 0A
Co
b
-0.2
200
5
-0.1
TA = 100℃
25°C
-40°C
100
2
-0.05
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
-50 -100
-0.5
-1
-2
-5
-10
-20
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
ΙΙ
)
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
3/4
EMF18 / UMF18N
晶体管
DTr2
100
50
输出电流：木卫一
(A)
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输入电压： V
我（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
2米TA = 100℃
25°C
1m
40°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
200
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图9输入电压与输出电流
（ON特性）
图10输出电流与输入电压
（关特征）
图11直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图12输出电压和输出
当前
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