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EMD6 / UMD6N / IMD6A
NPN + PNP复合数字晶体管
(偏置电阻内置晶体管)
数据表
<For DTR1 ( NPN ) >
参数
价值
lOutline
EMT6
UMT6
(5)
(4)
(1)
(3)
(2)
(3)
V
首席执行官
I
C
R
1
<For DTr2 ( PNP ) >
参数
50V
100mA
4.7kW
SMT6
(6)
(1)
(6)
(5)
(4)
(2)
EMD6
(SC-107C)
(4)
(5)
UMD6N
SOT- 353 ( SC -88 )
价值
(6)
V
首席执行官
I
C
R
1
lFeatures
-50V
-100mA
4.7kW
(3)
(2)
(1)
IMD6A
SOT- 457 ( SC- 74 )
lInner
电路
集热器
(6)
BASE
(5)
辐射源
(4)
1)无论是DTC143T芯片和DTA143T芯片
在一个封装中。
2 )内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻(请参见内部电路) 。
3)偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离,允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
4)仅在开/关的条件需要被设置
操作时,使电路设计容易。
5 )无铅/符合RoHS标准。
DTr1
DTr2
(1)
辐射源
(2)
BASE
(3)
集热器
EMD6 / UMD6N
集热器
(4)
BASE
(5)
辐射源
(6)
DTr2
DTr1
lApplication
逆变电路,接口电路,驱动电路
(3)
辐射源
(2)
BASE
(1)
集热器
IMD6A
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
EMD6
UMD6N
IMD6A
EMT6
UMT6
SMT6
SIZE
(mm)
1616
2021
2928
TAPING
CODE
T2R
TR
T108
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位(pcs )
180
180
180
8
8
8
8,000
3,000
3,000
记号
D6
D6
D6
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1/7
2013.05 - Rev.B的
EMD6 / UMD6N / IMD6A
lAbsolute
最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度范围
EMD6 / UMD6N
IMD6A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*2
数据表
DTr1(NPN)
50
50
5
100
DTr2(PNP)
-50
-50
-5
-100
*4
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
150 ( TOTAL )
*3
300 ( TOTAL )
150
-55
to
+150
T
j
T
英镑
lElectrical
特性(Ta
= 25 ° C) <For DTR1 ( NPN ) >
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
R
1
f
T *1
条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
/ I
B
= 5毫安/ 0.25毫安
分钟。
50
50
5
-
-
-
100
3.29
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
300
4.7
250
马克斯。
-
-
-
500
500
300
600
6.11
-
单位
V
nA
nA
mV
-
-
兆赫
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
V
CE
= 5V ,我
C
= 1毫安
-
V
CE
= 10V ,我
E
=
-5mA
F = 100MHz的
lElectrical
特性(Ta
= 25 ° C) <For DTr2 ( PNP ) >
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
R
1
f
T
*1
条件
I
C
=
-50mA
I
C
=
-1mA
I
E
=
-50mA
V
CB
=
-50V
V
EB
=
-4V
I
C
/ I
B
=
-5mA
/
-0.25mA
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
100
3.29
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
300
4.7
250
马克斯。
-
-
-
-500
-500
-300
600
6.11
-
单位
V
nA
nA
mV
-
-
兆赫
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
V
CE
=
-5V,
I
C
=
-1mA
-
V
CE
=
-10V,
I
E
= 5毫安
F = 100MHz的
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
*每个单元3 120MW不得超过。
*每单元4 200mW的不得超过。
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2013.05 - Rev.B的
EMD6 / UMD6N / IMD6A
lElectrical
特性曲线(大
= 25 ° C) <For DTR1 ( NPN ) >
数据表
10
图1发射极接地传播
特征
V
CE
=5V
图2接地发射极输出
特征
100
Ta=25C
I
B
= 500μA
450μA
400μA
350μA
300μA
集电极电流:我
C
[马]
集电极电流:我
C
[马]
1
80
60
250μA
200μA
0.1
Ta=100C
25C
-40C
40
150μA
100μA
0.01
20
50μA
0A
0.001
0
0.5
1
1.5
2
0
0
5
10
基地发射极电压: V
BE
[V]
集电极到发射极
电压: V
CE
[V]
图3直流电流增益
与集电极电流
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极饱和
电压: V
CE ( SAT )
[V]
直流电流增益:H
FE
集电极电流:我
C
[A]
集电极电流:我
C
[A]
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2013.05 - Rev.B的
EMD6 / UMD6N / IMD6A
lElectrical
特性曲线(大
= 25 ° C) <For DTr2 ( PNP ) >
数据表
-10
图1发射极接地传播
特征
V
CE
=
-5V
-100
图2接地发射极输出
特征
Ta=25C
I
B
=
-500μA
-450μA
-400μA
-350μA
-300μA
-250μA
集电极电流:我
C
[马]
集电极电流:我
C
[马]
-1
-80
-60
-0.1
Ta=100C
25C
-40C
-40
-200μA
-150μA
-100μA
-50μA
-0.01
-20
-0.001
0
-0.5
-1
-1.5
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0A
基地发射极电压: V
BE
[V]
集电极到发射极
电压: V
CE
[V]
图3直流电流增益
与集电极电流
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极饱和
电压: V
CE ( SAT )
[V]
直流电流增益:H
FE
集电极电流:我
C
[A]
集电极电流:我
C
[A]
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2013.05 - Rev.B的
EMD6 / UMD6N / IMD6A
lDimensions
(单位:毫米)
D
A
x
S A
c
b
数据表
EMT6
L
H
E
E
e
L
Lp
Lp
A
A1
S
S
l1
b2
e
终端位置的区域格局
[焊接衬垫不推荐模式]
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
H
E
L
Lp
x
y
暗淡
b2
e1
l1
地壳板块
最大
0.45
0.55
0.00
0.10
0.17
0.27
0.08
0.18
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
1.50
1.70
0.10
0.30
-
0.35
-
0.10
-
0.10
地壳板块
最大
-
0.37
1.25
-
0.45
英寸
0.018
0.000
0.007
0.003
0.059
0.043
0.020
0.059
0.004
-
-
-
英寸
-
0.049
-
0.018
最大
0.015
0.067
0.012
0.014
0.004
0.004
最大
0.022
0.004
0.011
0.007
0.067
0.051
尺寸以毫米/英寸
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EMD6T2R
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
EMD6T2R
ROHM
25+
5500
原厂封装
只做原装★全系列销售★优势供应
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
EMD6T2R
ROHM
21+
16000
EMT6
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
EMD6T2R
ROHM
22+
33000
563
全新百分百进口正品原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
EMD6T2R
ROHM
21+
16000
EMT6
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ:936045363 复制

电话:13424184668
联系人:肖佳欣
地址:广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
EMD6T2R
ROHM
24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
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电话:0755-83226745/82584980
联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
EMD6T2R
ROHM
21+
7150
SOT563
只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
EMD6T2R
ROHM
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
EMD6T2R
ROHM/罗姆
1926+
9852
SOT563
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
EMD6T2R
ROHM
20+
48000
EMT6
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
EMD6T2R
ROHM/罗姆
14
48000
EMT6
全新原装15818663367
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