EMD4DXV6T1,
EMD4DXV6T5
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
(3)
http://onsemi.com
(2)
R
1
Q
1
Q
2
R
2
(4)
R
1
(5)
(6)
R
2
(1)
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在EMD4DXV6T1系列，
两个互补的BRT装置被收容在SOT -563包
这是理想的低功率表面贴装应用中板
空间是十分宝贵的。
特点
6
1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这些无铅器件
SOT563
CASE 463A
风格1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
1
U7 M
G
G
标记图
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25° C（注1 ）
热阻，
结到环境（注1 ）
器件总功耗
T
A
= 25 ° C（注1 ）
减免上述25℃
热阻，
结到环境（注1 ）
结温和存储温度
符号
P
D
最大
357
2.9
350
500
4.0
250
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
U7 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
R
qJA
P
D
订购信息
mW
毫瓦/°C的
° C / W
EMD4DXV6T5G
T
J
, T
英镑
°C
设备
EMD4DXV6T1G
R
qJA
包
SOT563
（无铅）
SOT563
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR- 4板最小安装盘。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
十月， 2005-第1版
出版订单号：
EMD4DXV6/D
EMD4DXV6T1 ， EMD4DXV6T5
包装尺寸
SOT - 563 ，比6领先
CASE 463A -01
本期
D
X
A
L
4
6
5
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.50
0.55
0.60
0.17
0.22
0.27
0.08
0.12
0.18
1.50
1.60
1.70
1.10
1.20
1.30
0.5 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.021 0.023
0.009 0.011
0.005 0.007
0.062 0.066
0.047 0.051
0.02 BSC
0.004 0.008 0.012
0.059 0.062 0.066
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
1
2
3
E
Y
H
E
b
e
5
6 PL
M
C
X Y
0.08 (0.003)
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
风格1 ：
PIN 1体1
2. BASE 1
3.集热器2
4.发射器2
5. BASE 2
6.集热器1
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.0
0.0394
1.35
0.0531
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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5
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