【EMD28164PA128M ： 8M ×16的移动DDR SDRAM文档标题128M ： 8M ×】,IC型号EMD28164PA,EMD28164PA PDF资料,EMD28164PA经销商,ic,电子元器件-51电子网

EMD28164PA

128M ： 8M ×16的移动DDR SDRAM

文档标题

128M ： 8M ×16的移动DDR SDRAM

修订历史

版本号

0.0

0.1

日期

2007年6月4日

2007年11月8日

历史

最初的草案

- 表8

经营AC参数更新的tCKE和tWR的

表2

焊盘位置和识别表中删除

- 信号名称， / CS ， / RAS ， / CAS ， / WE分别统一为/ CK

（出埃及记） CK ＃， CK ， CKB统一到/ CK

- 在表16中更正IDD6值

1.0

2008年5月26日

发布

- 表6直流特性更新的IDD3P ， IDD3N ， IDD6

- 表8操作系统AC参数更新的TDS， TDH ， tQH ，的tRC

新兴的内存&逻辑解决方案公司

4F韩国建筑金融合作B / D， 301-1妍冬，济州岛，韩国邮编： 690-717

电话： + 82-64-740-1700传真： + 82-64-740-1750 /主页： www.emlsi.com

通过EMLSI提供所附的说明书保留更改规格和产品的权利。

EMLSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI

的网络连接CE 。

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EMD28164PA

128M ： 8M ×16的移动DDR SDRAM

128M ： 8M X 16位移动DDR SDRAM

特点

1.8V电源， 1.8V的I / O电源

LVCMOS与复用地址兼容。

双倍数据速率体系结构;每个时钟两种数据传输

周期

双向数据选通（ DQS ）

四家银行的操作。

MRS循环地址重点项目。

CAS延迟（2,3 & 4）。

突发长度（2 ，4，8 & 16）。

突发类型（顺序&交错）。

差分时钟输入（ CK和/ CK ）。

EMRS周期地址重点项目。

PASR （部分阵列自刷新）。

DS （驱动力）

内部自动TCSR

（温度补偿自刷新）

深度掉电（ DPD ）模式。

DM只写屏蔽。

自动刷新和自刷新模式。

64刷新周期（ 4K周期）。

工作温度范围（ -25 ℃85℃ ）。

概述

这EMD28164PA是134217728位同步双数据

率动态RAM 。每个33554432位银行的组织结构

4096行× 512列16位，制造与EMLSI的

高性能CMOS技术。

该器件采用了双倍数据速率架构，从而实现高

高速操作。双倍数据速率的体系结构本质上是

一个2N-预取架构设计，传输接口

每个时钟周期的两个数据字的I / O的球。

工作频率，可编程突发长度范围

和可编程延迟允许在同一设备是有用的

对于各种高带宽和高性能存储器

系统的应用程序。

表1 ：订购信息

产品型号

EMD28164PA-60(DDR333)

EMD28164PA-75(DDR266)

EMD28164PA-90(DDR222)

最大频率。

166 （ CL3 ）， 111 （ CL2 ）

133 （ CL3 ）， 83 （ CL2 ）

111 （ CL3 ）， 66 （ CL2 ）

LVCMOS

晶圆商务。

接口

包

备注

注意：

1. EMLSI没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。

考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时，请联络到内存的营销团队在EMLSI ，

如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。

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128M ： 8M ×16的移动DDR SDRAM

表2 ：垫描述

符号

TYPE

说明

时钟： CK和/ CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号进行采样的

CK和/ CK的下降沿的正边缘的交叉点。输入和输出数据被引用到

CK和/ CK的交叉（交叉的两个方向）。内部时钟信号是由CK // CK 。

时钟使能： CKE高激活，并且CKE低停用内部时钟信号和输入设备

缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供预充电断电和自

刷新操作（所有银行闲置），或ACTIVE POWER- DOWN （行积极参与任何银行）。 CKE是

同步的进行，除了自刷新退出，这是异步实现的所有功能。

输入缓冲器，但不包括CK ， / CK和CKE ，是在断电和自刷新模式禁用

这是做作的低待机功耗。

芯片选择： / CS启用（注册LOW ）和禁用（注册HIGH ）命令解码器。所有

当/ CS注册HIGH命令被屏蔽。 / CS为对系外的银行选择

TEMS与多家银行。 / CS被认为是命令代码的一部分。

输入命令： / CAS ， / RAS和/ WE （连同/ CS ）定义所输入的命令。

输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。当DM采样输入数据被屏蔽

HIGH一起在写访问的输入数据。 DM进行采样DQS的两边。

虽然DM引脚输入而已， DM负载相匹配的DQ和DQS装载。对于x16设备，

LDM对应于DQ0 - DQ7数据， UDM对应于DQ8 - DQ15数据。

银行地址输入： BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或预充电

命令被应用。

地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，列地址和AUTO

预充电位为读/写命令，以选择一个位置在所述存储器阵列的

各银行。地址输入也是一个模式寄存器设置过程中提供的操作码的COM

命令。

数据总线：输入/输出

数据选通：与读出的数据，输入具有写入数据输出。边沿对齐的读数据，用中心

写入数据。用于捕获写数据。对于x16设备， LDQS对应于DQ0 - DQ7数据，

UDQS对应于DQ8 - DQ15数据。

CK ， / CK

输入

CKE

输入

/ CS

输入

/ RAS ， / CAS ， / WE

输入

LDM ， UDM

输入

BA0 ， BA1

输入

A0 - A11

输入

DQ0-DQ15

I / O

LDQS ， UDQS

I / O

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

供应电源

供应地

供应I / O电源

供应I / O接地

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128M ： 8M ×16的移动DDR SDRAM

设备操作

简化的状态图

动力

应用的

动力

DPDSX

深

动力

下

预充电

所有银行

DPDS

REFS

自

刷新

REFSX

太太

EMRS

太太

空闲

所有银行

预充电

REFA

AUTO

刷新

休克尔

CKEH

活跃

动力

下

法案

CKEH

休克尔

预充电

动力

下

ROW

活跃

写

WRITEA

读

BURST

停止

BST

READA

读

写

读

WRITEA

READA

写一个

PRE

读了

PRE

预充电

Preall

自动顺序

命令序列

ACT =活动

BST =突发终止

休克尔=输入掉电

CKEH =退出掉电

DPDS =进入深度掉电

DPDSX =退出深度掉电

EMRS =分机。模式注册。集

MRS =模式寄存器设置

PRE =预充电

PREALL =预充电所有银行

REFA =自动刷新

REFS =输入自刷新

REFSX =退出自刷新

读=读W / O型自动预充电

READA =读与自动预充电

写=写W / O型自动预充电

WRITEA =写带自动预充电

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128M ： 8M ×16的移动DDR SDRAM

功能框图

刷新

计数器

银行

内存

ROW -

地址

解码器

4,096

的DQ

发电机

的DQ

司机

ARRAY

(4,096 x 256 x 32)

DOUT

并行

串行

DOUT

司机

地址

感测放大器

○

DQ0 -

DQ15

256

银行

控制

逻辑

列 -

地址

解码器

DIN

串行

并行

DIN

输入BUF 。

A0 - A11

BA0 ， BA1

I / O选通

DM面膜逻辑

的DQ

输入BUF 。

○

LDQS

UDQS

输入BUF 。

○

LDM

UDM

CKE

/ CK

○

控制

逻辑

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

○

命令

解码

标准模式

扩展模式

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