EMC2DXV5T1,
EMC3DXV5T1,
EMC4DXV5T1,
EMC5DXV5T1
首选设备
双共
基座集电极偏置
电阻晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
Q1
http://onsemi.com
3
R1
2
R2
1
R2
R1
4
Q2
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在EMC2DXV5T1系列，
两个互补的BRT装置被收容在SOT -553包
这是理想的低功率表面贴装应用中板
空间是十分宝贵的。
特点
5
5
1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
这些无铅器件
SOT553
CASE 463B
标记图
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
UX =具体设备守则
X = C， 3 ， E，或5
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
UX M
G
G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2005年10月 - 第4版
出版订单号：
EMC2DXV5T1/D
EMC2DXV5T1 ， EMC3DXV5T1 ， EMC4DXV5T1 ， EMC5DXV5T1
热特性
特征
一路口加热
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
两个路口加热
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
P
D
500 （注1 ）
4.0 （注1 ）
R
qJA
T
J
, T
英镑
250 （注1 ）
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
P
D
357 （注1 ）
2.9 （注1 ）
R
qJA
350 （注1 ）
mW
毫瓦/°C的
° C / W
符号
最大
单位
设备的订购信息，标记和电阻值
晶体管1 - PNP
设备
EMC2DXV5T1
EMC2DXV5T1G
EMC2DXV5T5
EMC2DXV5T5G
EMC3DXV5T1
EMC3DXV5T1G
EMC3DXV5T5
EMC3DXV5T5G
EMC4DXV5T1
EMC4DXV5T1G
EMC4DXV5T5
EMC4DXV5T5G
EMC5DXV5T1
EMC5DXV5T1G
EMC5DXV5T5
EMC5DXV5T5G
U5
4.7
10
47
47
UE
10
47
47
47
U3
10
10
10
10
UC
22
22
22
22
记号
R1 （ K）
R2 （ K）
晶体管2 - NPN
R1 （ K）
R2 （ K）
包
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
SOT553*
8000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
250
200
PD ，功耗（毫瓦）
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
EMC2DXV5T1 ， EMC3DXV5T1 ， EMC4DXV5T1 ， EMC5DXV5T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
Q1三极管： PNP
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CB
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0, I
C
= 5.0 mA）的
EMC2DXV5T1
EMC3DXV5T1
EMC4DXV5T1
EMC5DXV5T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
100
500
0.2
0.5
0.2
1.0
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
EMC2DXV5T1
EMC3DXV5T1
EMC4DXV5T1
EMC5DXV5T1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
50
50
60
35
80
20
4.9
15.4
7.0
3.3
0.8
0.8
0.17
0.38
100
60
140
35
22
10
4.7
1.0
1.0
0.21
0.47
0.25
0.2
28.6
13
6.1
1.2
1.2
0.25
0.56
VDC
VDC
VDC
kW
VDC
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
EMC2DXV5T1
EMC3DXV5T1 ， EMC4DXV5T1
EMC5DXV5T1
EMC2DXV5T1
EMC3DXV5T1
EMC4DXV5T1
EMC5DXV5T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
电阻率
R1/R2
Q2三极管： NPN
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CB
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0, I
C
= 5.0 mA）的
基本特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
EMC2DXV5T1
EMC3DXV5T1
EMC4DXV5T1 ， EMC5DXV5T1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
50
50
60
35
80
4.9
15.4
7.0
33
0.8
0.8
0.8
100
60
140
22
10
47
1.0
1.0
1.0
0.25
0.2
28.6
13
61
1.2
1.2
1.2
VDC
VDC
VDC
kW
VDC
VDC
EMC2DXV5T1
EMC3DXV5T1
EMC4DXV5T1 ， EMC5DXV5T1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
100
500
0.2
0.5
0.1
NADC
NADC
MADC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
EMC2DXV5T1
EMC3DXV5T1
EMC4DXV5T1 ， EMC5DXV5T1
EMC2DXV5T1
EMC3DXV5T1
EMC4DXV5T1 ， EMC5DXV5T1
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
电阻率
R1/R2
http://onsemi.com
3
EMC2DXV5T1 ， EMC3DXV5T1 ， EMC4DXV5T1 ， EMC5DXV5T1
电气特性 - EMC2DXV5T1 PNP晶体管
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏
10
I
C
/I
B
= 10
的hFE ， DC电流增益
1000
V
CE
= 10 V
1
T
A
= 25°C
25°C
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
75°C
0.1
0.01
0
20
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
IC ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
l
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
75°C
10
25°C
T
A
= 25°C
OB ，电容（pF ）
3
2
1
0.1
1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
8
V
O
= 5 V
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（V）的
50
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V在，输入电压（伏）
V
O
= 0.2 V
T
A
= 25°C
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
http://onsemi.com
4
EMC2DXV5T1 ， EMC3DXV5T1 ， EMC4DXV5T1 ， EMC5DXV5T1
电气特性 - EMC2DXV5T1 NPN晶体管
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
的hFE ， DC电流增益
25°C
0.1
75°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
图8.直流电流增益
4
IC ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
75°C
10
1
0.1
0.01
25°C
T
A
= 25°C
OB ，电容（pF ）
3
2
1
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（V）的
50
0.001
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图11.输入电压与输出
当前
http://onsemi.com
5
EMC2DXV5T1,
EMC5DXV5T1
首选设备
双共
基座集电极偏置
电阻晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在EMC5DXV5T1系列，
两个互补的BRT装置被收容在SOT -553包
这是理想的低功率表面贴装应用中板
空间是十分宝贵的。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7英寸的磁带和卷轴
无铅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
XX =具体设备守则
D =日期代码
http://onsemi.com
3
R1
2
R2
1
R2
Q1
R1
4
Q2
5
5
1
SOT553
CASE 463B
记号
图
5
XX
1
订购信息
设备
EMC2DXV5T1
包
SOT553
SOT553
SOT553
SOT553
航运
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
4毫米间距
4000 /磁带&卷轴
2毫米间距
8000 /磁带&卷轴
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热电阻 -
结到环境
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
符号
P
D
357 （注1 ）
2.9 （注1 ）
R
qJA
350 （注1 ）
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
EMC2DXV5T5
EMC5DXV5T1
EMC5DXV5T5
符号
P
D
最大
500 （注1 ）
4.0 （注1 ）
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
R
qJA
T
J
, T
英镑
250 （注1 ）
-55到+150
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年9月 - 第1版
出版订单号：
EMC2DXV5T1/D
QQ：2881677436 复制
