【EMB9 / UMB9N / IMB9A晶体管通用（双数字晶体管）EMB9 / UMB9N / IM】,IC型号EMB9T2R,EMB9T2R PDF资料,EMB9T2R经销商,ic,电子元器件-51电子网

EMB9 / UMB9N / IMB9A

晶体管

通用

（双数字晶体管）

EMB9 / UMB9N / IMB9A

特点

1 ）两个DTA144Ys在EMT或UMT或SMT封装。

2 ）安装可能与EMT3或UMT3或SMT3

自动装配机等。

3 ）晶体管元件是独立的，从而消除

干扰。

4 ）安装成本和面积可减少一半。

外形尺寸

（单位：毫米）

EMB9

0.22

(4)

(5)

(6)

(3)

(2)

1.2

1.6

(1)

0.13

每根导线具有相同的尺寸

ROHM ： EMT6

结构

外延平面型

PNP硅晶体管（内置电阻型）

缩写符号： B9

0.65

1.3

0.65

0.8

1.1

0.95 0.95

1.9

2.9

0.7

0.9

(4)

(3)

UMB9N

0.2

0.5

0.5 0.5

1.0

1.6

2.0

(6)

(5)

1.25

以下特性适用于DTR

和

DTR

2.1

0.15

0.1Min.

0to0.1

每根导线具有相同的尺寸

等效电路

EMB9 / UMB9N

(3) (2) (1)

DTR

=10k

=47k

DTR

(4) (5)

DTR

(3) (2)

ROHM ： UMT6

EIAJ ： SC -88

IMB9A

(4) (5) (6)

DTR

=10k

=47k

(1)

缩写符号： B9

IMB9A

(6)

0.3

(4)

(5)

(6)

1.6

2.8

0.15

0.3to0.6

0to0.1

每根导线具有相同的尺寸

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

参数

电源电压

输入电压

符号

C（最大值）。

TSTG

范围

输出电流

EMB9 ， UMB9N

动力

散热IMB9A

结温

储存温度

100

150 （ TOTAL ）

300 （ TOTAL ）

150

+150

单位

ROHM ： SMT6

EIAJ ： SC- 74

缩写符号： B9

每个单元1 120MW不得超过。

每件2 200mW的不得超过。

(3)

(2)

(1)

(2)

1/2

EMB9 / UMB9N / IMB9A

晶体管

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

输入电压

输出电压

输入电流

输出电流

直流电流增益

跃迁频率

输入阻抗

电阻率

符号

我（关闭）

我（上）

O（上）

O（关）

/ R

分钟。

1.4

3.7

典型值。

0.1

250

4.7

马克斯。

0.3

0.88

0.5

5.7

单位

兆赫

条件

5V,

100A

0.3V,

1mA

5mA/0.25mA

50V,

=0V

5V,

5mA

10mA,

=5mA,

f=100MHz

该设备的跃迁频率

包装规格

包

CODE

TYPE

EMB9

UMB9N

IMB9A

基本订购

单位（件）

T2R

8000

TAPING

3000

T148

3000

电气特性曲线

100

=0.3V

10m

=5V

500

=5V

Ta=100C

25C

40C

输入电压： V

我（上）

(V)

输出电流：木卫一

(A)

直流电流增益：摹

200

100

500

200

100

Ta=40C

25C

100C

Ta=100C

25C

40C

500m

200m

100m

100 200 500 1m

5m 10m 20m 50m 100m

0.5

1.5

2.5

100 200 500 1m

5m 10m 20m 50m100m

输出电流：我

(A)

输入电压： V

我（关闭）

(V)

输出电流：我

(A)

图1输入电压与输出电流

（ON特性）

图2输出电流与输入电压

（关特征）

图3直流电流增益与输出

当前

1000m

=20

500m

输出电压： V

O（上）

(V)

200m

100m

50m

20m

10m

100 200 500 1m

Ta=100C

25C

40C

5m 10m 20m 50m100m

输出电流：我

(A)

图4输出电压和输出

当前

2/2

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SMD

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9860

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联系人：销售部1部

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