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EMB9 / UMB9N / IMB9A
晶体管
通用
（双数字晶体管）
EMB9 / UMB9N / IMB9A
!
特点
1 ）两个DTA144Ys在EMT或UMT或SMT封装。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
4 ）安装成本和面积可减少一半。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMB9
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT6
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
0.2
(6)
1.25
0.1Min.
0to0.1
以下特性适用于DTR
1
和
DTR
2
.
2.1
0.15
每根导线具有相同的尺寸
!
等效电路
EMB9 / UMB9N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
R
1
=10k
R
2
=47k
DTR
2
R
2
R
1
(4) (5)
DTR
2
R
2
R
1
(3) (2)
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
缩写符号： B9
IMB9A
(4) (5) (6)
R
1
R
2
DTR
1
R
1
=10k
R
2
=47k
(1)
IMB9A
(6)
0.3
(4)
(5)
1.6
2.8
0.15
(6)
0.3to0.6
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
40
6
输出电流
EMB9 ， UMB9N
动力
散热IMB9A
结温
储存温度
70
100
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55+150
C
C
单位
V
V
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
缩写符号： B9
mA
mW
1
2
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(3)
(2)
(1)
(1)
2.0
(5)
(2)
!
结构
外延平面型
PNP硅晶体管（内置电阻型）
缩写符号： B9
0.65
(4)
(3)
UMB9N
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
EMB9 / UMB9N / IMB9A
晶体管
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/ R
1
分钟。
1.4
68
7
3.7
典型值。
0.1
250
10
4.7
马克斯。
0.3
0.3
0.88
0.5
13
5.7
单位
V
V
mA
A
兆赫
k
条件
V
CC
=
5V,
I
O
=
100A
V
O
=
0.3V,
I
O
=
1mA
I
O
/I
I
=
5mA/0.25mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V,
V
I
=0V
V
O
=
5V,
I
O
=
5mA
V
CE
=
10mA,
I
E
=5mA,
f=100MHz
该设备的跃迁频率
!
包装规格
包
CODE
TYPE
EMB9
UMB9N
IMB9A
基本订购
单位（件）
T2R
8000
TAPING
TR
3000
T148
3000
!
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
2m
V
CC
=5V
1k
500
V
O
=5V
Ta=100C
25C
40C
输入电压： V
我（上）
(V)
输出电流：木卫一
(A)
20
10
5
2
1
直流电流增益：摹
I
1m
200
100
50
20
10
5
2
1
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=40C
25C
100C
Ta=100C
25C
40C
500m
200m
100m
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1000m
l
O
/l
I
=20
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200 500 1m
Ta=100C
25C
40C
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
EMB9
双数字晶体管（ PNP + PNP ）
特点
两DTA114Y芯片封装
安装可能与SOT- 563全自动贴片机
晶体管元件是独立的，从而消除干扰
Mouting成本和面积减少一半
标记： B9
等效电路
SOT-563
1
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CC
I
C（最大值）
V
i
P
D
T
J
T
英镑
参数
电源电压
输出电流
输入电压
功耗
结温
储存温度
价值
-50
-100
-40到+6
150
150
-55~+150
单位
V
mA
V
mW
℃
℃
电气特性（T
a
=25℃)
参数
输入启动电压
输入截止电压
输出电压
输入截止电流
输出截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（上）
V
我（关闭）
V
O（上）
I
i
I
O（关）
G
i
f
T
R
1
R
2/
R
1
TEST
条件
民
-1.4
-0.3
-0.3
-0.88
-0.5
68
250
7
3.7
13
5.7
兆赫
K
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
A
V
O
= -0.3V ，我
O
=-1mA
V
CC
= -5V ，我
O
=-100A
I
O
= -5mA ，我
i
= -0.25毫安
V
i
=-5V
V
CC
=-50V, V
i
=0
V
O
= -5V ，我
O
=-5mA
V
O
= -10V ，我
O
= 5毫安中，f = 100MHz的
1
金隅
半导体
www.htsemi.com
日期：2011年/ 05
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