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VERSION
eFHP5830B
1.0
eFHP5840
2.0
内容
最初的版本
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7.
8.
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10.
1.
1.
2.
1.
2.
1.
2.
1.
2.
1.
2.
从PC2到P94改变C1外部输入引脚
修改P60 ， P61到输入/输出的IO
删除P71内部上拉功能
修改控制寄存器的初始值
删除256字节的数据RAM
删除SPI功能
加入IRC和ERIC振荡器功能
从16到8减少堆栈
添加计数器1的外部源（来自IO垫）
删除计数器
添加的ERIC振荡频率和外部R的相对
加入IRC模式CLK修剪的编译选项控制。
修改的port9片/驱动器的电流。
重命名“ ERC模式”为“ ERIC模式”
修改ERIC模式的振荡CLK和值之间的相对
外部电阻。
从“ ERCI ”到“ ERIC ”更改PIN的名字
改变不伦不类约CONT寄存器第7位
删除Crystal模式的空闲应用
修改工作温度
重命名eFH78P5840 / 42分之41
→EM78P5840/41/42
从+/- 5 ％修改IRC频率偏差为+/- 10 ％
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
相对于EM785840的ROM少， OTP和掩码：
缺少ROM
ICE5830
OTP
EM78P5840
EM78P5841
EM78P 5842
面膜
EM785840
EM785841
EM785842
表1： EM78P5830和EM78P5840系列之间的关系：
EM78P5830系列
EM78P5840系列
包
EM78P5830CP
EM78P5840P
18引脚PDIP
EM78P5830ACP
EM78P5830CM
EM78P5840M
18引脚SOP
EM78P5830ACM
EM78P5830BP
EM78P5841P
20引脚PDIP
EM78P5830ABP
EM78P5830BM
EM78P5841M
20引脚SOP
EM78P5830ABM
EM78P5830FP
EM78P5842P
24引脚PDIP
EM78P5830AFP
EM78P5830FM
EM78P5842M
24引脚SOP
EM78P5830AFM
EM78P5840/5841/5842
8位微控制器
表2 ： EM78P5830和EM78P5840系列的主要区别：
EM78P5830系列
EM78P5840系列
CID RAM
256字节
NA
ERIC模式
NA
在6M Hz的
IRC模式
NA
2M / 4M赫兹
WDT源
晶体或PLL
IRC1
外部输入CNT1
NA
共享与P94
P71上拉
内部上拉
外部上拉
/ RESET引脚
/只RESET
共享与P71
PLLC脚
只有PLLC
共享与P70和ERCI
辛， XOUT
晶振输入
共享与P60和P61
表3 ： ICE5840 ， EM78P5840和EM785840之间的主要区别：
ICE5840
EM78P5840系列
CID RAM
1024字节
NA
CID RAM地址自动
V
NA
+1
CNT1 （**）
8位计数器
8位计数器
EM785840系列
NA
NA
8或16 （与共享
CNT2 ）位计数器
CNT2 （**）
V
X
V
堆
12
8
8
** CNT2只存在于EM78P5840 / 41/ 42和EM785840 / 41 /42， CNT2是ICE5840联合国的支持。
表4 ：不同EM78P5840 ， EM78P5841和EM78P5842之间：
EM78P5840
EM78P5841
引脚数
18
20
PWM
X
2通道
IO（最大）
16
18
EM78P5842
24
2通道
22
用户应用笔记
（使用该芯片之前，先看看下面的描述中注意到，它包含重要的信息。 ）
1.有一些未定义位的寄存器。在这些位的值是不可预测的。这些
位不被允许使用。在规范认识他们 - 我们用符号“ ” 。
固定值
必须写在一些特定的未使用的位由软件或将要发生一些难以预料的问题。
2.您将看到一些名字寄存器位定义。有些名字会出现很
经常在整个规范。以下描述了一种用于按照寄存器定义的含义
如比特类型，位名称，位号等。
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*此规格如有变更，恕不另行通知。
1
2004/11/10 V2.6
EM78P5840/5841/5842
8位微控制器
RA
PAGE0
7
RAB7
R / W -0
位类型
位名称
位编号
注册名称和它的页面
6
RAB6
R / W -0
读/写
（缺省值= 0）
5
BAB5
R-1
4
RAB4
R / W -1
读/写
（缺省值= 1）
3
-
2
RAB2
R
1
RAB1
R-0
0
RAB0
读/写
读/写
（ W / O型的默认值）
只读
（ W / O型的默认值）
（未定义）不得使用
只读
（缺省值= 1）
只读
（缺省值= 0）
3.始终将IOCC PAGE1位0 = 1 ，否则ADC部分功能不能使用（ ICE5830 ） 。
4.请不要从正常模式切换MCU的操作模式，睡眠模式直接。前
进入睡眠模式，请切换MCU进入绿色模式。
5.虽然切换主时钟（无论高频率向低频率或另一方面的） ，加入6
指令延迟（NOP）是必需的。
6.失调电压会影响ADC的结果，请参考图19的细节。
7.请不要烧OTP ROM的过程中连接上OTP刻录机针不必要的电路。
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*此规格如有变更，恕不另行通知。
2
2004/11/10 V2.6
EM78P5840/5841/5842
8位微控制器
一，概述
该EM78P5840系列是8位RISC型微处理器的低功耗，高速CMOS工艺。那里
是4Kx13位电气一次性可编程只读存储器（ OTP -ROM）在其内。它提供的安全位
有的一次性可编程选项位来保护从外部访问的OTP存储器代码以及为
满足用户的选择。
这种集成的单芯片有一个on_chip看门狗定时器（ WDT ） ，程序OTP -ROM ， RAM ，可编程实时
定时/计数器，内部中断，掉电模式，双PWM （脉冲宽度调制） ， 8通道10位A / D
转换器和三态I / O 。
II 。特征
中央处理器
·
工作电压： 2.2V 5.5V ，在主CLK低于3.58MHz的。
主CLK （赫兹）
在3.58M
14.3M
工作电压（分钟）
2.2V
3.6V
4k的×13片上电一次性可编程只读存储器（ OTP- ROM）的
144 ×8片上一般建议RAM
截至19双向和3只输入通用I / O
子程序嵌套8级堆栈
8位实时时钟/计数器（ TCC ）
一个8位计数器中断
片内看门狗定时器（ WDT）
99.9 ％，单指令周期指令
在晶振模式三种操作模式（主时钟可以被编程为3.58M和14.3M赫兹）
模式
CPU状态
主时钟
32.768kHz的时钟状态
睡眠模式
关
关
关
绿色模式
打开
关
打开
普通模式开启
打开
打开
2级普通模式下频率： 3.58M和14.3MHz 。
输入端口中断功能
双时钟运行（内部PLL主时钟，包括外部32.768kHz ）
工作频率模式
晶振模式（ XIN ， XOUT引脚连接外部晶振和电容）
ERIC模式（ ERCI引脚电阻连接到VDD ）
IRC模式
PWM
双PWM （脉冲宽度调制）与10位分辨率
可编程周期（或波特率）
可编程占空比
ADC
·
操作： 2.5V~5.5V
转换率
工作电压（分钟）
74.6K
3.5V
37.4K
3.0V
18.7K
2.5V
9.3K
2.5V
·
8通道10位逐次逼近式A / D转换器
·
内部（VDD）的参考电压
POR
·
上电复位
包
EM78P5840M
EM78P5840P
18引脚SOP ， EM78P5841M
18引脚PDIP ， EM78P5841P
20引脚SOP ， EM78P5842M
20引脚PDIP ， EM78P5842P
24引脚SOP
24引脚PDIP
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*此规格如有变更，恕不另行通知。
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2004/11/10 V2.6
QQ：2880707522 复制
