初步
EM7643SU16H
4Mx16异步。 /页STRAM
文档标题
4M X 16Bit的异步/页模式STRAM
修订历史
版本号
0.0
历史
最初的草案
草案日期
2007年10月23日
备注
初步
新兴的内存&逻辑解决方案公司
4F韩国建筑金融合作社B / D， 301-1妍东，济州市，济州岛，韩国Rep.of
电话： + 82-64-740-1700传真： + 82-64-740-1749 1750 /主页： www.emlsi.com
邮编： 690-717
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EM7643SU16H
4Mx16异步。 /页STRAM
4M X16位异步/页STRAM
特点
- 2.6至3.3V单电源电压
- 直接TTL compativility的所有输入和输出。
- 深度掉电模式：存储单元数据无效。
- 提供的KGD （已知合格芯片）形式。
- 页面操作模式
第8个字的读操作。
- 逻辑与SRAM R / W引脚兼容。
- 待机电流
待机150微安
深度掉电待机为10uA
- 访问时间
存取时间
CE1访问时间
OE访问时间
页面访问时间
65ns
65ns
25ns
20NS
一般DISCRIPTION
该EM7643SU16H是64M位STRAM组织为4M
字由16位。它提供了高密度，高速度和
低功耗。该器件的工作单电源供电。该
器件还具有类似SRAM的W / R时序由此
设备是由CE1 ， OE上asynchro-控制和WE
知性。该装置具有在网页的存取操作。页面
大小是8个字。该器件还支持深加电
关断模式，实现了低功耗待机。
PAD说明
符号
A0~A21
A0~A2
CE1
CE2
WE
OE
LB
UB
DQ0~DQ15
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
NC
描述
地址输入
网页地址输入
芯片使能输入1 ，低：启用
芯片使能输入2 ，高：启用，
低：进入掉电模式
写使能输入，低：启用
输出使能输入，低：启用
低字节写控制
高字节写控制
数据输入/输出
器件电源
V
SS
必须连接接地
I / O电源
V
SS
必须连接接地
没有连接
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4Mx16异步。 /页STRAM
操作模式
CE1 CE2
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
OE
L
L
L
X
X
X
H
X
X
WE
H
H
H
L
L
L
H
X
X
LB
L
L
H
L
L
H
X
X
X
UB
L
H
L
L
H
L
X
X
X
加入DQ
0
到DQ
7
DQ
8
到DQ
15
X
X
X
X
X
X
X
X
X
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
无效
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
无效
DATA IN
高-Z
高-Z
高-Z
模式
阅读（字）
阅读（低字节）
阅读（高字节）
写（字）
写（低字节）
写（高字节）
输出禁用
待机
深度掉电
待机
动力
IDD0
IDD0
IDD0
IDD0
IDD0
IDD0
IDD0
IDDS
Iddsd
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值（见注1）
符号
VDD
VIN
VOUT
TOPR 。
Tstrg 。
PD
IOUT
等级
装置的电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
Stroage温度
功耗
短路输出电流
价值
-1.0到3.6
-1.0到3.6
-1.0到3.6
-25到85
-55到150
0.6
50
单位
V
V
V
℃
℃
W
mA
DC推荐工作条件（大= -25℃至85
℃)
符号
VDD
VIH
VIL
参数
装置的电源电压
输入高电压
输入低电压
民
2.6
0.8*VDD
-0.3
典型值
2.75
-
-
最大
3.3
VDD + 0.3
0.15*VDD
V
单位
VIH （最大值） VDD + 1.0V与10ns的脉冲宽度
VIL （最小值） -1.0V与10ns的脉冲宽度
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4Mx16异步。 /页STRAM
DC特性（Ta = -25℃至85
℃,
VDD = 2.6 3.3V ）
（见注3 4 ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
页面访问操作
当前
输出高电压
输出低电压
待机电流（ CMOS ）
深度掉电
待机Curret
符号
I
LI
I
LO
I
DDO1
I
DDO2
V
OH
V
OL
I
DDS
V
DDSD
(*1, *2)
V
IN
= 0至V
DD
测试条件
民
-1
-1
-
-
0.8*V
DD
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
50
25
-
0.15*V
CCQ
单位
uA
uA
mA
mA
V
V
uA
uA
输出禁用， VOUT = 0V至VDD
的tRC =最小， CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
OUT
=0mA
TPC =最小， CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
I
OUT
=0mA,
页面中添加。骑自行车。
I
OH
= -0.5mA
I
OL
= 1.0毫安，V
CC=
V
CCmin
CE1>V
DD
-0.2V ， CE2 = V
DD
-0.2V
CE2 ≤ 0.2V
-
-
-
150
10
记
* 1 。信号最大VIL （即A0 A21 ， DQ1 DQ16 ， CE1 ＃ ， CE2 ， WE＃ ， OE ＃ ， LB ＃ ， UB ＃ ）可在0.2V至0.616V 。
* 2 。对于深掉电， CE2< = 0.2V是必不可少的。如果CE2的最大VIL为0.2V至0.616V时，为10uA深层动力
目前将无法得到保障，而深电源电流可能会去高的20uA 。
电容
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输出继电器容量
符号
C
IN
C
OUT
测试条件
V
IN
= VSS
V
OUT
= VSS
民
-
-
最大
10
30
单位
pF
pF
注：此参数是周期性采样，而不是100％测试
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