融合存储&逻辑解决方案公司
文档标题
64K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
EM611FV16系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
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版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
2'nd草案
添加无铅部件编号
草案日期
2003年5月9日
2004年2月13日
备注
新兴的内存&逻辑解决方案公司
IT创业大厦东区11楼， 78 Karac洞，松坡苦，首尔，韩国Rep.of邮编： 138-160
联系电话： + 82-2-2142-1759 1766传真： + 82-2-2142-1769 /主页： www.emlsi.com
通过EMLSI提供所附的说明书保留更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI办公室。
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融合存储&逻辑解决方案公司
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
EM611FV16系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
评级
-0.2 VCC + 0.3 （最大4.0V ）
-0.2 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。实用
操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
功能说明
CS
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
9-16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
3
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建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
EM611FV16系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
TA = -40 85
o
C，另有规定
过冲： V
CC
如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
冲：如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
.
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
， LB = UB = V
IH
,
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS<0.2V ， LB<0.2V或/和UB<0.2V ，
V
IN
<0.2V或V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS = V
白细胞介素，
LB = V
IL
或/和UB = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
0 1
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS = V
IH
， LB = UB = V
IH
其他输入= V
IH
或V
IL
CS>V
CC
-0.2V （ CS控制）或
LB = UB
≥
V
CC
-0.2V ， CS<0.2V （ LB / UB控制）
其他输入= 0 V
CC
（典型值条件：V
CC
=3.3V @
25
o
C)
（最大条件：V
CC
=3.6V @ 85
o
C)
笔记
55ns
70ns
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
3
3
26
20
0.4
-
0.3
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
LL
LF
-
0.5
1)
5
A
1.典型值是在Vcc = 3.3V ，T测
A
=
25
o
C和不是100 ％测试。
4
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交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ： CL = 100pF电容+ 1 TTL
CL = 30pF的+ 1 TTL
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=2.8V
1)
EM611FV16系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
V
TM 3 ）
R
12)
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 2.7 3.6V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB接取时间
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
ê
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
55ns
民
55
-
-
-
最大
-
55
55
25
55
10
10
5
0
0
0
10
-
-
-
20
20
20
-
10
10
5
0
0
0
10
民
70
-
-
-
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 2.7 3.6V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
As
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55ns
民
55
45
0
45
45
40
0
0
25
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
民
70
60
0
60
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
ns
ns
5
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