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256Kx16复STRAM
文档标题
256K X 16Bit的复用单晶体管RAM
EM742SP16
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
历史
最初的草案
第1'修订
2'nd修订
3'rd修订
4 '次修订
添加到垫协调
产品代码从昌
EM742SP16AW到EM742SP16
有效的地址变化,从A18到
A17
在删除配置寄存器组
功能descripition表
草案日期
2006年12月21日
2007年3月7日
二〇〇七年三月二十日
2007年3月28日
2007年5月9日
备注
初步
初步
初步
孙昌盛
孙昌盛
4F韩国建筑金融合作社B / D, 301-1妍东,济州市,济州岛,韩国Rep.of
电话: + 82-64-740-1700传真: + 82-64-740-1749 1750 /主页: www.emlsi.com
新兴的内存&逻辑解决方案公司
邮编: 690-717
通过EMLSI提供附加的数据表保留随时更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系EMLSI办公室。
1
256Kx16复STRAM
EM742SP16
256K X16位复用单晶体管RAM
特点
- 工艺技术: 0.13微米CMOS制程
-
组织: 256K X16
-
电源电压: 1.7 1.9V
- 复用的地址和数据总线
-
三态输出
-
自动TCSR的省电
一般WAFER规格
-
深沟槽工艺
-
3金属层,包括本地互联
-
晶片直径: 8英寸
PAD说明
名字
/ CS
/ OE
/ WE
/ AVD
ADQ
i
A
i
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址有效输入
地址/数据输入输出
地址输入
名字
/磅
/ UB
VCC
VCCQ
功能
低字节( ADQ
0~7
)
高字节( ADQ
8~15
)
电源
I / O电源
VSS (Q )地面
NC
无连接
功能块图
/ AVD
/ CS
/ UB
/磅
/ WE
/ OE
自刷新
控制
控制
逻辑
列选择
行选择
A16~A17
地址
解码器
存储阵列
256K ×16
ADQ0~
ADQ15
地址/数据
多路复用器
DIN / Dout的BUFFER
I / O电路
2
256Kx16复STRAM
绝对最大额定值
1)
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
EM742SP16
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
P
D
T
英镑
T
A
最低
-0.2到V
CCQ
+0.3V
-0.2
2)
到2.5V
1.0
-65到150
-25到85
单位
V
V
W
o
C
o
C
1.
应力大于上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。实用
操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.冲在断电: -1.0V的情况下,脉冲宽度为20ns <
功能说明
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
H
L
L
L
H
H
H
WE
X
H
X
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
H
L
L
H
L
L
AVD
X
H
X
L
H
H
H
H
H
H
ADQ
0~15
高-Z
高-Z
高-Z
添加。输入
数据输出
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
DATA IN
A
16
~A
17
X
X
X
添加。输入
X
X
X
X
X
X
模式
取消
输出禁用
输出禁用
地址输入
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注:X表示不关心。 (必须是低或高的状态)
3
256Kx16复STRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
EM742SP16
符号
V
CC
V
CCQ
V
SS
, V
SSQ
V
IH
V
IL
1.7
1.7
0
V
CCQ
- 0.4
-0.2
3)
典型值
1.8
1.8
0
-
-
最大
1.9
1.9
0
V
CCQ
+ 0.2
2)
0.4
单位
V
V
V
V
V
T
A
= -25 85
o
C,另有规定
过冲: V
CC
如果脉冲+1.0 V形槽宽度为20ns <
冲:如果脉冲-1.0 V形槽宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样,而不是100 %测试
.
电容
1)
( F = 1MHz的,T
A
=25
o
C)
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样,而不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
I
SB1
测试条件
V
IN
=V
SS
到V
CCQ
, V
CC=
V
CCmax
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
,
V
IO
=V
SS
到V
CCQ
, V
CC=
V
CCmax
周期时间= 1μs的时间, 100 %的关税,我
IO
=0mA,
CS<0.2V ,V
IN
<0.2V或V
IN
& GT ; V
CCQ
-0.2V
周期时间=最小,我
IO
= 0毫安, 100 %的关税,
CS = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 0.1毫安,V
CC=
V
CCmin
I
OH
= -0.1mA ,V
CC=
V
CCmin
CS>V
CCQ
-0.2V ,其他投入= 0 V
CCQ
(典型值条件:V
CC
=1.8V @ 25
o
C)
(最大条件:V
CC
=1.9V @ 85
o
C)
-1
-1
-
-
-
V
CCQ
-0.1
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
3
25
0.1
-
单位
uA
uA
mA
mA
V
V
待机电流( CMOS )
LL
-
-
60
uA
1.最大电流Icc规格与V测试
CC
= V
CCMax 。
4
256Kx16复STRAM
交流工作条件
EM742SP16
测试条件(测试
加载和测试输入/输出参考)
输入脉冲电平: 0.2V至V
CCQ
-0.2V
输入上升和下降时间: 5ns的
输入和输出参考电压: V
CCQ
/2
输出负载(见右图) : CL
1)
= 30pF的
1.包括范围和夹具电容
DOUT
CL
1)
AC特性
(V
cc
= 1.7 1.9V , GND = 0V ,T
A
= -25℃至+ 85
o
C)
参数表
AVD低脉冲
常见
地址设置为AVD上升沿
从AVD上升沿地址保持
芯片使能设置为AVD上升沿
AVD低到数据有效时间
地址访问时间
芯片使能数据输出
地址禁用输出使能
输出使能到输出有效
UB , LB能够为数据输出
UB , LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB , LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
AVD低写入结束
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
写脉冲低
UB , LB有效到结束写入的
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
符号
t
AVD
t
AVDS
t
AVDH
t
CSS
t
ACC1
t
ACC2
t
ACC3
t
ADOE
t
OE
t
UBLBA
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
ACW1
t
ACW2
t
ACW3
t
WRL
t
BW
t
DW
t
DH
速度
15
15
5
7
-
-
-
0
-
-
5
5
-
-
-
70
70
70
45
50
25
0
最大
1000
-
-
-
70
70
70
-
25
25
-
-
15
15
15
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EM742SP16C-85LL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    终端采购配单精选

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