EM6M1
晶体管
2.5V驱动N沟道+ P沟道MOSFET
EM6M1
结构
硅的N沟道MOSFET /
硅P沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
EMT6
特点
1）的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET被放置在EMT6包。
2 ）高速开关。
3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器） 。
4 ）内置G -S保护二极管。
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： M01
应用
开关
包装规格
包
TYPE
EM6M1
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
T2R
8000
内部电路
(6)
(5)
(4)
1
2
2
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 4 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 5 ） Tr2的（ PCH）门
（ 6 ） Tr1的（ N沟道）漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
TR1 ： N沟道
TR2 ： P沟道
20
30
±
20
±12
±0.1
±0.2
±0.4
±0.4
150
120
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
毫瓦/总
毫瓦/元
°C
°C
漏源电压
栅源电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW为10μs ，占空比1 ％
2
安装在陶瓷基板
连续
脉冲
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。
请考虑设计的ESD保护电路。
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EM6M1
晶体管
P沟道
电气特性曲线
1
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
25°C
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
漏电流：
I
D
(A)
0.1
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
25°C
1
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
V
DS
=
10V
脉冲
10
V
GS
=
4.5V
脉冲
10
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
25°C
1
V
GS
=
4V
脉冲
0.01
0.001
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
0.1
0.01
0.1
漏电流：
I
D
(A)
1
0.1
0.01
0.1
漏电流：
I
D
(A)
1
栅源电压：
V
GS
(V)
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通电阻
与漏电流（
Ι
)
图3静态漏源导通电阻
与漏电流（
ΙΙ
)
10
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
25°C
V
GS
=
2.5V
脉冲
10
Ta=25
°C
脉冲
5
Ta=25
°C
脉冲
4
V
GS
=
2.5V
3
1
1
V
GS
=
4V
V
GS
=
4.5V
2
I
D
=
0.2A
I
D
=
0.1A
1
0.1
0.01
0.1
漏电流：
I
D
(A)
1
0.1
0.01
0
0.1
漏电流：
I
D
(A)
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
栅源电压：
V
GS
(V)
图4静态漏源导通电阻
与漏电流（
ΙΙΙ
)
图5静态漏源导通电阻
与漏电流（
Ι
)
图6静态漏源导通电阻
与栅源电压
100
1000
C
国际空间站
电容：C
（PF ）
t
f
100
t
D（关闭）
栅源电压：
V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25
°C
V
DD
=
15V
V
GS
=
4.5V
R
G
=10
脉冲
4.5
Ta=25
°C
4
V
DD
=
15V
I
D
=
0.2A
3.5
R
G
= 10
脉冲
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
10
10
t
D（上）
t
r
C
OSS
Ta=25
°C
f=1MHz
V
GS
=0V
C
RSS
0
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
漏电流：
I
D
(A)
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
漏源电压：
V
DS
(V)
总栅极电荷：Q
g
（ NC ）
图7典型的电容与漏源电压
图8的开关特性
图9动态输入特性
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