【EM6K1晶体管2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FETEM6K1结构硅N沟道MOS FET外形尺】,IC型号EM6K1_1,EM6K1_1 PDF资料,EM6K1

EM6K1

晶体管

2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET

EM6K1

结构

硅N沟道MOS FET

外形尺寸

（单位：毫米）

EMT6

1.6

0.5

特点

1）两个2SK3019晶体管在单个EMT的包。

2） MOS FET的元件是独立的，从而消除

相互干扰。

3 ）安装成本和面积可减少一半。

4 ）低导通电阻。

5 ）低电压驱动（ 2.5V ）使该器件非常适用于

便携式设备。

1.0

0.5 0.5

(6) (5) (4)

1.6

1.2

1PIN MARK

(1) (2) (3)

0.22

0.13

每根导线具有相同的尺寸

缩写符号： K1

应用

接口，开关（ 30V ，百毫安）

包装规格

包

CODE

TYPE

EM6K1

基本订购单位

（件）

TAPING

T2R

8000

等效电路

(6)

(5)

门

保护

二极管

(4)

Tr1

Tr2

(1)Tr1

(2)Tr1

(3)Tr2

(4)Tr2

(5)Tr2

(6)Tr1

来源

门

漏

来源

门

漏

(1)

门

保护

二极管

(2)

(3)

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

<It是Tr1和Tr2.>相同评级

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

保护二极管已建在城门之间

源，以防止静电当产品

正在使用中。用保护电路的额定电压超过时。

范围

±20

±100

±400

150

120

150

+150

单位

毫瓦/总

毫瓦/元

°C

总功耗

通道温度

储存温度

1 Pw≤10μs ，职务cycle≤1 ％

安装在推荐地2随着每个管脚。

总胆固醇

TSTG

REV.C

1/3

EM6K1

晶体管

电气特性

(Ta=25°C)

<It为Tr1和Tr2.>相同特性

参数

门源漏

漏源击穿电压

符号

GSS

（ BR ） DSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

0.8

典型值。

马克斯。

±1

1.0

1.5

单位

条件

±20V,

=0V

=10A,

=0V

=30V,

=0V

=3V,

=100A

=10mA,

=4V

=1mA,

=2.5V

=3V,

=10mA

=5V

=0V

f=1MHz

=10mA,

=5V

=500

=10

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通starte

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

电气特性曲线

栅极阈值电压： V

（ TH）（V ）

0.15

漏电流：我

(A)

200m

漏电流：我

(A)

=3V

百米脉冲

=3V

=0.1mA

3.5V

50m

20m

10m

0.5m

1.5

0.1

2.5V

0.05

=1.5V

Ta=125

°C

25°C

0.5

0.2m

0.1m

50 25

100

125 150

漏源电压： V

(V)

栅源电压： V

(V)

通道温度：总胆固醇

(°C)

图1典型的输出特性

图2典型的传输特性

图3栅极阈值电压相对于

通道温度

静态漏源

通态电阻，R

（上）

()

Ta=125

°C

25°C

静态漏源

通态电阻，R

（上）

()

Ta=125

°C

25°C

静态漏源

通态电阻，R

（上）

()

=4V

脉冲

=2.5V

脉冲

Ta=25

°C

脉冲

0.5

0.001 0.002

0.5

0.001 0.002

=0.1A

=0.05A

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

漏电流：我

(A)

漏电流：我

(A)

栅源电压： V

(V)

图4静态漏源导通状态

电阻与漏极电流（ Ι ）

图5静态漏源导通状态

电阻与漏极电流（ ΙΙ ）

图6静态漏源导通状态

电阻与栅源

电压

REV.C

2/3

EM6K1

晶体管

静态漏源

通态电阻，R

（上）

()

REVERCE漏电流：我

(A)

50 25

=100mA

=4V

脉冲

正向传递

导纳：

YFS

(S)

0.5

=3V

脉冲

200m

100m

50m

20m

10m

0.5m

0.2m

0.1m

=0V

脉冲

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

0.002

Ta=25

°C

125

°C

=50mA

Ta=125

°C

25°C

100 125

150

0.001

0.0001 0.0002

0.0005 0.001 0.002

0.005 0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5

1.5

通道温度：总胆固醇（

°C)

漏电流：我

(A)

源极 - 漏极电压： V

(V)

图7静态漏源导通状态

电阻 -

通道温度

图8正向转移导纳

与漏电流

图9反向漏电流随

源极 - 漏极电压（ Ι ）

REVERCE漏电流：我

(A)

200m

100m

50m

Ta=25

°C

脉冲

电容：C （PF ）

Ta=25

°C

f=1MH

=0V

脉冲

1000

500

具有结构转换的时间： T（ NS ）

D（关闭）

Ta=25

°C

=5V

=10

200

100

20m

10m

0.5m

0.2m

0.1m

=4V

国际空间站

OSS

RSS

0.1 0.2

D（上）

0.5

0.1

0.5

1.5

0.2

0.5

100

源极 - 漏极电压： V

(V)

漏源电压： V

(V)

漏电流：我

（MA ）

图10反向漏电流随

源极 - 漏极电压（ ΙΙ ）

图11典型的电容与

漏源电压

图12开关特性

开关特性测量电路

脉冲宽度

90%

50%

10%

50%

D.U.T.

10%

90%

D（关闭）

关闭

90%

D（上）

图13开关时间测试电路

图14开关时间波形

REV.C

3/3

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平

可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，

交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等

安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

关于出口管制令日本

产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）

订单在日本。

在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）

对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。

Appendix1-Rev1.1