EM6K1
晶体管
小开关（ 30V ， 0.1A ）
EM6K1
!
特点
1）两个2SK3019晶体管在单个EMT的包。
2）该MOSFET元件是独立的，从而消除
干扰。
3 ）安装成本和面积可减少一半。
4 ）低导通电阻。
5 ）低电压驱动（ 2.5V ）使该器件非常适用于
便携式设备。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMT6
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
1.2
1.6
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： K1
！应用
接口，开关（ 30V ，百毫安）
!
等效电路
!
结构
硅N沟道
MOSFET
(6)
(5)
门
保护
二极管
(4)
Tr1
!
包装规格
包
CODE
TYPE
EM6K1
基本订购单位
（件）
TAPING
T2R
8000
(1)
门
保护
二极管
Tr2
(1)Tr1
(2)Tr1
(3)Tr2
(4)Tr2
(5)Tr2
(6)Tr1
来源
门
漏
来源
门
漏
(2)
0.5
(3)
保护二极管已建在城门之间
源，以防止静电当产品
正在使用中。用保护电路的额定电压超过时。
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
DR
1
I
DRP
2
范围
30
±20
100
400
100
400
150
150
55~+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
毫瓦/总
120mW/1ELEMENT
°C
°C
反向漏电流
总功率耗散（TC = 25℃）
通道温度
储存温度
1 Pw≤10μs ，职务cycle≤1 ％
安装在推荐地2随着每个管脚。
P
D
总胆固醇
TSTG
0.5 0.5
1.0
1.6
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
EM6K1
晶体管
小开关（ 30V ， 0.1A ）
EM6K1
!
特点
1）两个2SK3019晶体管在单个EMT的包。
2）该MOSFET元件是独立的，从而消除
干扰。
3 ）安装成本和面积可减少一半。
4 ）低导通电阻。
5 ）低电压驱动（ 2.5V ）使该器件非常适用于
便携式设备。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMT6
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
1.2
1.6
0.13
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： K1
！应用
接口，开关（ 30V ，百毫安）
!
等效电路
!
结构
硅N沟道
MOSFET
(6)
(5)
门
保护
二极管
(4)
Tr1
!
包装规格
包
CODE
TYPE
EM6K1
基本订购单位
（件）
TAPING
T2R
8000
(1)
门
保护
二极管
Tr2
(1)Tr1
(2)Tr1
(3)Tr2
(4)Tr2
(5)Tr2
(6)Tr1
来源
门
漏
来源
门
漏
(2)
0.5
(3)
保护二极管已建在城门之间
源，以防止静电当产品
正在使用中。用保护电路的额定电压超过时。
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
DR
1
I
DRP
2
范围
30
±20
100
400
100
400
150
150
55~+150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
毫瓦/总
120mW/1ELEMENT
°C
°C
反向漏电流
总功率耗散（TC = 25℃）
通道温度
储存温度
1 Pw≤10μs ，职务cycle≤1 ％
安装在推荐地2随着每个管脚。
P
D
总胆固醇
TSTG
0.5 0.5
1.0
1.6
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
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