【EtronTech钰创机密特点快速的时钟频率： 250 / 200MHz的差分时钟CK &C】,IC型号EM6AA160TSA-5G,EM6AA160TSA-5G PDF资料,EM6AA160TSA-5G经销商,ic,电子元器件-51电子网

EtronTech

钰创机密

特点

快速的时钟频率： 250 / 200MHz的

差分时钟CK &

双向DQS

DLL使能/禁用EMRS

完全同步操作

管道内部架构

四个内部银行4M ×16位的每家银行

可编程的模式和扩展模式寄存器

- CAS延迟： 2.5 ， 3

- 突发长度： 2 ， 4 ， 8

- 突发类型：顺序&交错

单个字节写入屏蔽控制

DM写入延迟= 0

自动刷新和自刷新

8192刷新周期/ 64ms的

预充电&主动断电

电源： V

DD &

DDQ

= 2.5V

接口： SSTL_2 I / O接口

包装： 66引脚TSOP II ， 0.65毫米引脚间距

无铅和无卤素

EM6AA160TSA

初步（修订版1.2月/ 2009）

表1.Ordering信息

时钟

数据速率套餐

频率

EM6AA160TSA - 4G的250MHz 500Mbps的/引脚TSOPII

EM6AA160TSA - 5G的200MHz的400Mbps /引脚TSOPII

产品型号

TS ：表示TSOP II封装

G：表示

无铅和无卤素

答：指代码

16M ×16位DDR同步DRAM （ SDRAM ）

图1.引脚分配（顶视图）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

VDDQ

LDQS

VDD

LDM

CAS

RAS

BA0

BA1

A10/AP

VDD

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

VSSQ

UDQS

VREF

VSS

UDM

CKE

A12

A11

VSS

概观

该EM6AA160 SDRAM是高速CMOS

双倍数据速率包含256兆位同步DRAM 。

它在内部配置为四通道4M ×16的DRAM与

同步接口（所有信号被登记在

在时钟信号的上升沿， CK）。数据输出发生

在CK的上升沿边缘，

.D读写

访问到SDRAM是迸发导向;访问开始

在选定的位置，并继续进行编程

在编程顺序位置号。访问

以一个BankActivate命令寄存

，然后接着是读或写命令。该

EM6AA160提供可编程的读或写突发

第2，第4 ，或8，一种自动预充电功能的长度可以是

使能，以提供一个自定时行预充电是

在脉冲串序列的末尾开始。刷新

功能，自动或自刷新易于使用。在

此外， EM6AA160具有可编程的DLL选项。

通过具有可编程的模式寄存器和扩展

模式寄存器，系统可以选择最适合的

模式，以最大限度地发挥其性能。这些设备是

非常适合需要高内存的应用

带宽，导致器件特别适合于高

性能主存储器和图形应用。

钰创科技有限公司

6号，科技路。五，新竹科学园区，台湾新竹30078 ， ROC

电话：（ 886 ） -3-5782345

传真：（ 886 ） -3-5778671

钰创科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

EtronTech

图2.框图

EM6AA160TSA

CKE

DLL

时钟

卜FF器

ROW

解码器

ROW

解码器

ROW

解码器

ROW

解码器

RAS

CAS

命令

解码器

控制

信号

发电机

4M ×16

电池阵列

（BANK ＃0）

列解码器

A10/AP

COLUMN

计数器

模式

4M ×16

电池阵列

（ BANK ＃ 1 ）

列解码器

A11

A12

BA0

BA1

LDQS

UDQS

DQ0

DQ15

地址

卜FF器

刷新

计数器

4M ×16

电池阵列

（BANK 2 ）

列解码器

数据

频闪

卜FF器

4M ×16

电池阵列

（ BANK ＃ 3 ）

列解码器

LDM

UDM

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修订版1.2

2009年5月

EtronTech

引脚说明

表2. EM6AA160的引脚的详细信息

符号

CK ，

TYPE

输入

描述

EM6AA160TSA

差分时钟：

CK ，

由系统时钟驱动。所有SDRAM的输入信号

采样于CK的上升沿。无论CK和

增加内部

突发计数器和控制输出寄存器。

时钟使能：

CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK信号。如果CKE

变为低电平同步于时钟，内部时钟从下一个暂停

时钟周期和输出的状态和突发地址只要被冻结为所述CKE

仍然很低。当所有银行都处于空闲状态时，去活的时钟控制

进入掉电和自刷新模式。

银行激活：

BA0和BA1定义到银行BankActivate ，读，写，或

BankPrecharge命令被应用。

地址输入：

A0 - A12是在BankActivate指令周期内采样（行

地址A0 - A12）和读/写命令（列地址A0- A8与A10定义

自动预充电）。

片选：

使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的

命令解码器。所有的命令都被屏蔽时，

采样为高电平。

提供了在与多家银行系统外的银行选择。它被认为是

的命令代码的一部分。

行地址选通：

该

RAS

信号限定在所述操作指令

与结合

CAS

和

信号和被锁存在的正边缘

CK 。当

RAS

和

断言"LOW"和

CAS

为有效"HIGH ， "或者

在BankActivate命令或预充电命令被选中的

信号。当

为有效"HIGH ， "的BankActivate命令被选中

和由BA指定的银行接通时为有效状态。当

置"LOW ， "的预充电命令被选择和存储体指定由BA

在预充电操作之后被切换到空闲状态。

列地址选通：

该

CAS

信号限定在所述操作指令

与结合

RAS

和

信号和被锁存在的正边缘

CK 。当

RAS

举行"HIGH"和

被断言"LOW ， "的列存取是

通过认定开始

CAS

"LOW."然后，读或写命令被选中

主张

"HIGH"或“低” 。

写使能：

该

信号定义与配合操作命令

该

RAS

和

CAS

信号和被锁存在CK的上升沿。在WE输入

用于选择BankActivate或预充电命令和读取或写入

命令。

双向数据选通：

指定计时的输入和输出数据。读数据

频闪是边沿触发。写数据选通提供了一个建立时间和保持时间的数据

和DQM 。 LDQS是DQ0 7 ， UDQS是DQ8 15 。

数据输入掩码：

当DM是写在高采样输入数据被屏蔽

周期。 LDM口罩DQ0 - DQ7 ， UDM口罩DQ8 - DQ15 。

数据I / O ：

的DQ0 - DQ15输入和输出数据与正同步

CK的边和

在I / O是字节屏蔽期间，写操作。

CKE

输入

BA0 ， BA1

A0-A12

输入

RAS

输入

CAS

输入

LDQS ，

UDQS

LDM ，

UDM

DQ0 - DQ15

输入/

产量

输入

输入/

产量

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DDQ

SSQ

REF

供应

电源：

2.5V

5% .

地

EM6AA160TSA

DQ功率：

2.5V

5％。提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。

DQ地：

提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。

参考电压输入：

+0.5*V

DDQ

无连接：

这些引脚悬空。

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操作模式

EM6AA160TSA

完全同步操作执行到锁存命令在CK的上升沿。表3

示出了用于该操作的命令的真值表。

表3真值表（注（1 ），（ 2））的

命令

BankActivate

BankPrecharge

PrechargeAll

写

写和AutoPrecharge

读

阅读和AutoPrecharge

模式寄存器设置

扩展MRS

无操作

突发停止

设备取消

自动刷新

SelfRefresh入口

SelfRefresh退出

状态

CKE

n-1

CKE

UDM LDM BA

0,1

0-9, 11-12

CS RAS CAS

空闲

(3)

任何

活跃

(3)

活跃

(3)

活跃

(3)

活跃

(3)

空闲

任何

活跃

(4)

任何

空闲

（ SelfRefresh ）

行地址

列地址

(A0 ~ A8)

列地址

(A0 ~ A8)

操作码

预充电掉电模式

条目

预充电掉电模式

出口

主动掉电模式

条目

主动掉电模式

出口

数据输入掩码禁用

数据输入掩码启用（ 5 ）

空闲

任何

（掉电）

活跃

任何

（掉电）

活跃

注意：

1， V =有效数据，X =无关， L =低电平， H =高电平

2. CKE

信号提供命令时，输入电平。

CKE

n-1

信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。

3.这是由BA信号指定银行的状态。

4.设备状态是2,4和8个脉冲串操作。

5. LDM和UDM可以分别启用。

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