EM620FV8B系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
文档标题
256K ×8位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
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历史
最初的草案
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0.3版本
删除字节的选项信息
删除UB ， LB信息
修订后的VOH （ 2.2V至2.4V ） ， TOH （为15ns至10ns的） ，
TOE - 55 （为30ns至25ns的） ， TWP - 55 （为45nS至为40ns ） ，
TWP -70 （ 55ns至50ns的） ， tWHZ - 70 （为25ns至20ns的） ，
ICC （ 2mA至3毫安） ， ICC1 （ 2mA至3毫安）
V
IH
从2.0V到2.2V电平变化
草案日期
2007年6月7日
2007年6月15日
2007年6月21日
2007年7月2日
备注
0.4
0.4版本
2007年8月16日
4F韩国建筑金融合作社B / D， 301-1妍东，济州市，济州岛，韩国Rep.of
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新兴的内存&逻辑解决方案公司
邮编： 690-719
通过EMLSI提供附加的数据表保留随时更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI办公室。
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EM620FV8B系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
256K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术： 0.15μm的CMOS全
-
组织： 256K X8
-
电源电压
= > EM620FV8B ： 2.7 3.6V
-
低数据保持电压： 1.5V
-
三态输出与TTL兼容
-
包装产品设计的45 /55 / 70ns的
一般物理规格
-
抛光裸硅的背面模具表面
-
典型的模具厚度= 725um +/- 15微米
-
典型的顶层金属化：
= >金属（钛/铝铜/锡/ ARC的SiON /二氧化硅） ： 5.2K埃
-
顶面钝化：
= >钝化（ HDP / pNIT / PIQ ） ： 5.4K埃
-
晶圆直径： 8英寸
选项
- C1 / W1 ： DC探索Sun Yatsen模/晶圆@热温度
- C2 / W2 ： DC / AC探索Sun Yatsen模/晶圆@热温度
1
56
29
EM620FV8B （双C / S）
+
(0.0)
EMLSI LOGO
28
y
x
预充电电路
PAD说明
名字
CS1,CS2
OE
WE
A0~A17
I/O0~I/O7
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
名字
VCC
VSS
NC
功能
电源
地
无连接
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
行选择
V
SS
存储阵列
1024 x 2048
I / O0 - I / O7
数据
CONT
I / O电路
列选择
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
WE
OE
CS1
CS2
控制逻辑
粘结说明
2M的全CMOS SRAM芯片拥有总56pads 。参阅接合焊盘的位置和识别表为X，Y坐标。
EMLSI建议使用键合线对芯片的背面到Vss的焊盘，以提高抗噪声能力。
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EM620FV8B系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
功能特定网络阳离子
有3分类为EMLSI模具和晶片的产品，它们是C1和C2为模具和W1和W2进行晶片上。
每个裸片和晶圆支持专用的特点，并探讨其规格范围内的电气参数。以下是
简要信息用于芯片和晶圆分类。请参阅包装规格为更多的信息，但这些参数
不能保证在裸片和晶圆。
C1 LEVEL死亡或W1 LEVEL WAFER
直流参数是通过规范C1级芯片或W1级晶圆测量。直流参数在70℃下温测定
perature ，即要求
“热
DC排序“其他参数不做任何担保，包括保证设备的可靠性。请参考
以鉴定报告设备的可靠性和封装级数据表的电气参数。
C2级死亡或W2 LEVEL WAFER
直流参数和选择的AC参数测量的C2级芯片或W2级硅片。 C2的DC特性
模具和W2的晶片是基于C1级芯片和W1级硅片的DC规格测试。 DC和指定的AC参数
在70℃的温度，这被称为测试
“热
DC &交流选择性排序“ 。其他参数不做任何担保，保证
包括设备的可靠性。请参考资格报告设备的可靠性和封装级数据表的电气参
ETERS 。
C2级芯片和W2级晶圆探针下的交流参数。
tRC的， TAA ，控烟
TWC ， TCW
包装
个人设备将被包装在防静电托盘。
芯片托盘：用于模具2英寸方形华夫式的运营商为每个模具分格。通常被称为一个饼
包装，每个托盘都有选择的设备的腔体大小，可轻松装卸，防止
旋转。本身是由导电材料制成的托盘，以减少损伤的危险，从静电模
放电。该芯片载体将标有以下信息：
EMLSI晶圆批号
EMLSI部件号
QUANTITY
罐包装：罐包装是由EMLSI制作和使用，我们提供了所需的裸片晶圆众多的客户。该组是
包括清洁纸来包装片和海绵几乎脆弱的塑料盒之间的晶片，高缓冲海绵。每
包通常有24片，然后几个包放入较大盒子取决于晶圆的数量。
焊盘＃ 1顶部
在芯片载体芯片的方向
存储和处理
EMLSI建议存储在与过滤的氮气的受控环境中的管芯。运营商必须在开ESD安全
环境时，检验和装配。
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EM620FV8B系列
低功耗， 256Kx8 SRAM
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
最低
-0.2 4.0V
-0.2 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。功能能操作
ATION应限制在推荐的工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
功能说明
CS1
H
X
X
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
X
WE
X
X
X
H
H
H
L
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
读
写
动力
支持
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
4
