EM680FU16A系列
低功耗， 512Kx16 SRAM
文档标题
512K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
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最初的草案
0.1版本
草案日期
2007年9月28日
备注
初步
修正错字错误
二〇〇七年十一月一十二日
新兴的内存&逻辑解决方案公司
4F韩国建筑金融合作社B / D， 301-1妍东，济州市，济州岛，韩国Rep.of
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1
EM680FU16A系列
低功耗， 512Kx16 SRAM
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
最低
-0.2 4.0V
-0.2 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*应力大于上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。功能
tional操作应限制在推荐的工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
功能说明
CS1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
9-16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注意：
X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
3
EM680FU16A系列
低功耗， 512Kx16 SRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.0
0
-
-
最大
3.3
0
V
CC
+ 0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
T
A
= -40 85
o
C，另有规定。
过冲： V
CC
如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
冲：如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS1=V
IH
或CS2 = V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安， CS1 = V
IL
， CS2 = WE = V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS1<0.2V ， LB<0.2V或/和UB<0.2V ， CS2>V
CC
-0.2V,
V
IN
<0.2V或V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS1=V
IL
， CS2 = V
IH ，
LB = V
IL
或/和UB = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS1=V
IH
， CS2 = V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS1>V
CC
-0.2V ， CS2>V
CC
-0.2V （ CS1控制）
或0V<CS2<0.2V （CS2控制） ，
其他输入= 0 V
CC
（典型值条件：V
CC
=3.0V @ 25
o
C)
（最大条件：V
CC
=3.3V @ 85
o
C)
测试条件
民
-1
-1
-
-
45ns
55ns
70ns
-
-
-
-
2.2
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
3
3
40
30
20
0.4
-
0.3
单位
uA
uA
mA
mA
mA
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
OL
V
OH
I
SB
V
V
mA
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
LF
-
2
15
uA
4
EM680FU16A系列
低功耗， 512Kx16 SRAM
V
TM3)
R
12)
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ： CL = 100pF电容+ 1 TTL （为70ns ）
CL
1)
= 30pF的+ 1 TTL （为45nS / 55ns ）
1.包括范围和夹具电容
R
2
= 3150欧姆
2. R
1
= 3070欧姆
,
3. V
TM
=2.8V
4， CL = 5pF的+ 1 TTL （测量与T
LZ1,2
, t
HZ12
, t
OLZ
, t
OHZ
, t
WHZ
)
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 2.7 3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CO1,
t
CO2
t
OE
t
BA
t
LZ1,
t
LZ2
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
45ns
民
45
-
-
-
-
5
5
5
0
0
0
10
最大
-
45
45
30
45
-
-
-
20
20
20
-
民
55
-
-
-
-
5
5
5
0
0
0
10
55ns
最大
-
55
55
35
55
-
-
-
20
20
20
-
民
70
-
-
-
-
5
5
5
0
0
0
10
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 2.7 3.3V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW1,
t
CW2
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
45ns
民
45
45
0
45
45
45
0
0
25
0
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
民
55
45
0
45
45
45
0
0
30
0
5
55ns
最大
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
民
70
60
0
60
60
55
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
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