モ リ ッ
ノシク型ホールIC EMシーズ
リ
EM6681
両極検知
電源電圧
2.43.3Ｖ
●磁電変換特性
VOUT
S或N
マーク面
V
OH
梱包は3000個/巻のテピングとなります。
EM6681は、
ホール素子と波½整½用ICが一½化されている超小型ホールICです。
ホール素子はパルス駆動されているため、
VDD=3V時平均消費電流5.5μAときわめて½消費電力です。
ホール素子
パルス駆動
超高感度
国际收支平衡表300万吨
：
出力½式
CMOS出力
薄型表面実装
パッケージ
H
1 VDD
：
2 VSS
：
1
3
3 OUT
：
N或S
印加磁束の方向
BHN
V
OL
0
极BOPN BRPN
磁束密度
BRPS
BOPS
BHS
L
S極
●回路構成
1 ： VDD
項目
電
出
源
力
電
電
記号
圧
VDD
流
I
OUT
定格
0.1
5
単½
V
mA
℃
℃
动态
偏移消除器
●最大定格
（Ta=25℃）
开关
3 ： OUT
±1
30
85
40
125
動 ½ 周 囲 温 度
TOPR
保
存
温
度
TSTG
2 ： VSS
脉冲
HALL
斩波放大器
稳压元件稳定
施密特
TRIGGER
&Latch
产量
舞台
●電気的特性
（ TA = 25 ℃ VDD = 3V ）
項目
動½電圧範囲
出力 → L磁束密度
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
パルス駆動周期
入力高电圧
入力低电圧
電
源
電
流
記号
VDD
測定条件
最小
2.4
2.0*
1.2
0.3*
標準
3.0
3.0
2.2
0.8
50
Io=1.0mA
Io=＋1.0mA
平均値
5.5
VDD
0.4
0.4
10
最大
3.3
4.0
3.2*
1.5*
100
単½
V
mT
mT
mT
ms
V
V
●磁界特性
（大= 30 ℃ 85 ℃ VDD = 3V ）
項目
記号
測定条件
最小
1.8
1.0
0.1
標準
3.0
2.2
0.8
最大
4.2
3.4
1.5
単½
mT
mT
mT
B·S
出力 → L磁束密度
I
B
OP
N
I
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
I
B
OP
N
I
I
BRPN
I
I
B H N
I
Tp
V
OH
V
OL
国际直拨电话
BHS
BRPS
B
OP
S
I
BRPN
I
I
B H N
I
BHS
BRPS
注）
本特性は設計保証と り す。
な ま
●外付け部品推奨回路
GND
VSS
μA
外付けコンデンサ
0.1μF
EM6681
VDD
OUT
CMOS出力
1
［mT½ ［Gauss½
=10
「*」
印の特性値は設計保証値にな ま
り す。
VDD
EM6681
½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
b
●外½寸法図
（単½ ½½）
：
●
（参考） ド½状
ラン
（単½ mm）
：
5
°
0.3
3.0
±
0.1
0.4
2
5
°
2.2
±
0.1
φ0.3
传感器中心
0.11
1.00
0.70
3.1
±
0.1
0.48
5
°
0.70
0.70
0.95
0.95
5
°
5
°
1.0
±
0.1
0.75
端子番号
1
2
3
接続
VDD
VSS
OUT
機½
電源ピン
GND
信号出力ピン
1.00
0.3
1
3
0.3
2.60
5
°
0.0
±
0.05
0.95
0.95
f
5
°
5
°
※注 センサに中心はφ0.3mmの
円内に½½します。
●½用電圧範囲
3.4
3.2
入力電圧
［V½
3
2.8
2.6
2.4
2.2
40
20
0
20
40
60
80
100
周囲温度
［℃½
●パルス駆動消費電流
（VDD=3V）
I
DD
48μs
50ms
i
I
DD ON
（ TYP ： 3毫安）
I
DD
（ TYP ： 5.5μA ）
I
DD关闭
（ TYP ： 3μA ）
时间
●動½磁束密度温度特性
6
4
動½磁束密度
［mT½
2
BOPS
0
2
4
6
50
VDD＝3V
BRPN
BRPN
●動½タイミング
I
DD
BOPS
I
DD
o
B
BOP
t
B
BRP
t
VOUT
高
100
t
VOUT
高
低
t
0
周囲温度
［℃½
50
低
操作点时间
t
发布时间点
t
モ リ ッ
ノシク型ホールIC EMシーズ
リ
EM6681
両極検知
電源電圧
2.43.3Ｖ
●磁電変換特性
VOUT
S或N
マーク面
V
OH
梱包は3000個/巻のテピングとなります。
EM6681は、
ホール素子と波½整½用ICが一½化されている超小型ホールICです。
ホール素子はパルス駆動されているため、
VDD=3V時平均消費電流5.5μAときわめて½消費電力です。
ホール素子
パルス駆動
超高感度
国际收支平衡表300万吨
：
出力½式
CMOS出力
薄型表面実装
パッケージ
H
1 VDD
：
2 VSS
：
1
3
3 OUT
：
N或S
印加磁束の方向
BHN
V
OL
0
极BOPN BRPN
磁束密度
BRPS
BOPS
BHS
L
S極
●回路構成
1 ： VDD
項目
電
出
源
力
電
電
記号
圧
VDD
流
I
OUT
定格
0.1
5
単½
V
mA
℃
℃
动态
偏移消除器
●最大定格
（Ta=25℃）
开关
3 ： OUT
±1
30
85
40
125
動 ½ 周 囲 温 度
TOPR
保
存
温
度
TSTG
2 ： VSS
脉冲
HALL
斩波放大器
稳压元件稳定
施密特
TRIGGER
&Latch
产量
舞台
●電気的特性
（ TA = 25 ℃ VDD = 3V ）
項目
動½電圧範囲
出力 → L磁束密度
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
パルス駆動周期
入力高电圧
入力低电圧
電
源
電
流
記号
VDD
測定条件
最小
2.4
2.0*
1.2
0.3*
標準
3.0
3.0
2.2
0.8
50
Io=1.0mA
Io=＋1.0mA
平均値
5.5
VDD
0.4
0.4
10
最大
3.3
4.0
3.2*
1.5*
100
単½
V
mT
mT
mT
ms
V
V
●磁界特性
（大= 30 ℃ 85 ℃ VDD = 3V ）
項目
記号
測定条件
最小
1.8
1.0
0.1
標準
3.0
2.2
0.8
最大
4.2
3.4
1.5
単½
mT
mT
mT
B·S
出力 → L磁束密度
I
B
OP
N
I
OP
出力L→H磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
I
B
OP
N
I
I
BRPN
I
I
B H N
I
Tp
V
OH
V
OL
国际直拨电话
BHS
BRPS
B
OP
S
I
BRPN
I
I
B H N
I
BHS
BRPS
注）
本特性は設計保証と り す。
な ま
●外付け部品推奨回路
GND
VSS
μA
外付けコンデンサ
0.1μF
EM6681
VDD
OUT
CMOS出力
1
［mT½ ［Gauss½
=10
「*」
印の特性値は設計保証値にな ま
り す。
VDD
EM6681
½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
b
●外½寸法図
（単½ ½½）
：
●
（参考） ド½状
ラン
（単½ mm）
：
5
°
0.3
3.0
±
0.1
0.4
2
5
°
2.2
±
0.1
φ0.3
传感器中心
0.11
1.00
0.70
3.1
±
0.1
0.48
5
°
0.70
0.70
0.95
0.95
5
°
5
°
1.0
±
0.1
0.75
端子番号
1
2
3
接続
VDD
VSS
OUT
機½
電源ピン
GND
信号出力ピン
1.00
0.3
1
3
0.3
2.60
5
°
0.0
±
0.05
0.95
0.95
f
5
°
5
°
※注 センサに中心はφ0.3mmの
円内に½½します。
●½用電圧範囲
3.4
3.2
入力電圧
［V½
3
2.8
2.6
2.4
2.2
40
20
0
20
40
60
80
100
周囲温度
［℃½
●パルス駆動消費電流
（VDD=3V）
I
DD
48μs
50ms
i
I
DD ON
（ TYP ： 3毫安）
I
DD
（ TYP ： 5.5μA ）
I
DD关闭
（ TYP ： 3μA ）
时间
●動½磁束密度温度特性
6
4
動½磁束密度
［mT½
2
BOPS
0
2
4
6
50
VDD＝3V
BRPN
BRPN
●動½タイミング
I
DD
BOPS
I
DD
o
B
BOP
t
B
BRP
t
VOUT
高
100
t
VOUT
高
低
t
0
周囲温度
［℃½
50
低
操作点时间
t
发布时间点
t
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