【ETR onTech钰创机密EM658160（修订版1.1月/ 2002）4M ×16的DDR同步D】,IC型号EM658160TS-5,EM658160TS-5 PDF资料,EM658160TS-5经销商,ic,电子元器件-51电子网

ETR onTech

钰创机密

EM658160

（修订版1.1月/ 2002）

4M ×16的DDR同步DRAM （SDRAM）的

特点

快速时钟速率： 285分之300 / 250 / 166分之200 / 143 / 125MHz的

差分时钟CK & / CK

双向DQS

DLL使能/禁用EMRS

完全同步操作

管道内部架构

四个内部银行， 1M ×16位的每家银行

可编程的模式和扩展模式寄存器

- / CAS延迟： 2 ， 2.5 ， 3

- 突发长度： 2 ， 4 ， 8

- 突发类型：顺序&交错

单个字节写入屏蔽控制

DM写入延迟= 0

自动刷新和自刷新

4096刷新周期/ 64ms的

预充电&主动断电

电源： V

= 3.3V

0.3V

DDQ

= 2.5V

0.2V

接口： SSTL_2 I / O接口

包装： 66引脚TSOP II ， 0.65毫米引脚间距

引脚配置（顶视图）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

VSSQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

VSSQ

DQ7

VDDQ

LDQS

VDD

LDM

/ WE

/ CAS

/ RAS

/ CS

BS0

BS1

A10/AP

VDD

VSS

DQ15

VSSQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

VSSQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

VSSQ

UDQS

VREF

VSS

UDM

/ CK

CKE

A11

VSS

订购信息

产品型号

EM658160TS-3.3

EM658160TS-3.5

EM658160TS-4

EM658160TS-5

EM658160TS-6

EM658160TS-7

EM658160TS-8

频率

300MHz

285MHz

250MHz

200MHz

166MHz

143MHz

125MHz

包

TSOP II

概观

该EM658160 SDRAM是高速CMOS

包含64双数据速率同步DRAM

兆比特。它在内部配置为四1M ×16

DRAM与同步接口（所有的信号都

登记在时钟信号CK）的正边缘。

数据输出出现在CK和/ CK的两个上升沿。

读取和写入访问到SDRAM是迸发

导向;存取开始在一个选定的位置和

持续的地点在一个设定的号码

编程序列。访问开始时的

一个BankActivate命令其随后的登记

其次是读或写命令。该EM658160

提供可编程的读或写的2突发长度，

4 ， 8 ，整版。

自动预充电功能可被使能，以

提供一个自定时行预充电在被启动，它将

突发序列结束。刷新功能，无论是

自动或自刷新易于使用。此外，

EM658160具有可编程的DLL选项。通过

具有可编程的模式寄存器和扩展

模式寄存器，系统可以选择最适合的

模式，以最大限度地发挥其性能。这些设备是

非常适合需要高内存的应用

带宽，导致器件特别适合于

高性能的主存储器和图形

应用程序。

钰创科技有限公司

6号，科技路。五，科学工业园区，台湾新竹30077 ， ROC

电话：（ 886 ） -3-5782345

传真：（ 886 ） -3-5778671

钰创科技公司保留更改产品规格，恕不另行通知。

ETR onTech

框图

4Mx16 DDR SDRAM

EM658160

列解码器

行解码器

1MX16

电池阵列

（BANK ＃0）

检测放大器

/ CK

CKE

DLL

时钟

卜FF器

控制

信号

发电机

检测放大器

行解码器

/ CS

/ RAS

/ CAS

/ WE

命令

解码器

模式

1MX16

电池阵列

（ BANK ＃ 1 ）

列解码器

COLUMN

计数器

A10/AP

列解码器

1MX16

电池阵列

（BANK 2 ）

检测放大器

刷新

计数器

A11

BS0

BS1

地址

卜FF器

行解码器

LDQS ，

UDQS

数据

频闪

卜FF器

DQ0

DQ15

检测放大器

1MX16

电池阵列

（ BANK ＃ 3 ）

列解码器

LDM ， UDM

钰创机密

修订版1.1

2002年1月

ETR onTech

引脚说明

符号

CK ， / CK

TYPE

输入

4Mx16 DDR SDRAM

EM658160

表1. EM658160的引脚的详细信息

描述

差分时钟：

CK， / CK由系统时钟驱动。所有SDRAM的输入信号

采样于CK的上升沿。无论CK和/ CK增量内部爆裂

计数器和控制输出寄存器。

时钟使能：

CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK信号。如果CKE

变为低电平同步于时钟，内部时钟从下一个时钟暂停

周期和输出的状态，并爆裂地址只要被冻结为所述CKE遗体

低。当所有银行都处于空闲状态时，去激活所述时钟控制输入到

掉电和自刷新模式。

银行选择：

BS0与BS1确定哪个银行BankActivate ，读，写，或

BankPrecharge命令被应用。

地址输入：

A0 - A11是在BankActivate指令周期内采样（行

地址A0 - A11）和读/写命令（列地址A0- A10 A7with定义

自动预充电）。

片选：

/ CS允许（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的

命令解码器。当/ CS被采样到高的所有命令被屏蔽。 / CS

提供了在与多家银行系统外的银行选择。它被认为是

的命令代码的一部分。

行地址选通：

在/ RAS信号限定在所述操作命令

与/ CAS和/ WE信号，并且一起被锁在CK的上升沿。

当/ RAS和/ CS断言"LOW"和/ CAS断言"HIGH ， "要么

BankActivate命令或预充电命令被选中的/ WE信号。

当/ WE被断言"HIGH ， "的BankActivate命令被选择，并且

由BS指定的银行接通时为有效状态。当/ WE被断言

"LOW ， "的预充电命令被选中，由BS指定的银行

在预充电操作之后，切换到空闲状态。

列地址选通：

在/ CAS信号限定在所述操作命令

与/ RAS和/ WE信号，并且一起被锁在CK的上升沿。

当/ RAS保持"HIGH"和/ CS置位"LOW ， "列存取开始

通过置/ CAS "LOW."然后，读或写命令被选中断言

/ WE "HIGH "或LOW"."

写使能：

/ WE信号限定与配合操作命令

在/ RAS和/ CAS信号，并且被锁存在CK的上升沿。在/ WE输入

用于选择BankActivate或预充电命令和读取或写入

命令。

双向数据选通：

指定计时的输入和输出数据。读数据

频闪是边沿触发。写数据选通提供了一个建立时间和保持时间的数据

和DQM 。 LDQS是DQ0 7 ， UDQS是DQ8 15 。

数据输入掩码：

当DM是写在高采样输入数据被屏蔽

周期。 LDM口罩DQ0 - DQ7 ， UDM口罩DQ8 - DQ15 。

数据I / O ：

的DQ0 - DQ15输入和输出数据与正同步

CK和/ CK边缘。在I / O是字节屏蔽期间，写操作。

CKE

输入

BS0 ， BS1

A0-A11

输入

/ CS

输入

/ RAS

输入

/ CAS

输入

/ WE

输入

LDQS ，

UDQS

LDM ，

UDM

DQ0 - DQ15

输入/

产量

输入

输入/

产量

钰创机密

修订版1.1

2002年1月

ETR onTech

DDQ

SSQ

REF

供应

地

4Mx16 DDR SDRAM

EM658160

电源：

+3.3V

±0.3V

DQ功率：

+2.5V

±0.2V.

提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。

DQ地：

提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。

参考电压输入：

+0.5*V

DDQ

无连接：

这些引脚悬空。

钰创机密

修订版1.1

2002年1月

ETR onTech

操作模式

4Mx16 DDR SDRAM

EM658160

完全同步操作执行到锁存命令在CK的上升沿。表2

示出了用于该操作的命令的真值表。

表2.真值表（注（1 ），（ 2））的

命令

BankActivate

BankPrecharge

PrechargeAll

写

写和AutoPrecharge

读

阅读和AutoPrecharge

模式寄存器设置

扩展MRS

无操作

突发停止

设备取消

自动刷新

SelfRefresh入口

SelfRefresh退出

状态

空闲

(3)

任何

活跃

(3)

活跃

(3)

活跃

(3)

活跃

(3)

空闲

任何

活跃

(4)

任何

空闲

（ SelfRefresh ）

CKE

n-1

CKE

DM BS

0,1

0-9,11

/ CS / RAS / CAS / WE

行地址

COLUMN

地址

(A0 ~ A7)

COLUMN

地址

(A0 ~ A7)

操作码

时钟挂起模式进入

掉电模式进入

活跃

任何

(5)

活跃

任何

（掉电）

时钟挂起模式退出

掉电模式退出

数据写入/输出使能

数据面膜/输出禁止

活跃

注意：

1， V =有效数据，X =无关， L =低电平， H =高电平

2. CKE

信号提供命令时，输入电平。

CKE

n-1

信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。

3.这是由BS信号指定银行的状态。

4.设备状态为1 ，2，4 ，8，和全页突发操作。

5.掉电模式不能在突发操作输入。

当这个命令是断言，在突发周期，设备状态时钟挂起模式。

钰创机密

修订版1.1

2002年1月