EtronTech
特点
从时钟的快速存取时间: 5/6/6/6/7 NS
快速时钟速率: 166/143/133/125/100 MHz的
完全同步操作
内部流水线结构
1M字×16位×4银行
可编程模式寄存器
- CAS #延迟: 2或3
- 突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
- 突发类型:交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
CKE断电模式
+ 3.3V单
±
0.3V电源
接口: LVTTL
54引脚400密耳的塑料TSOP II封装
EM638165
初步(修订版0.6 , 2/2001 )
4Mega ×16同步DRAM (SDRAM)的
引脚配置(顶视图)
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
WE#
CAS #
RAS #
CS #
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC / RFU
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
概观
该EM638165 SDRAM是高速CMOS
同步DRAM含有64兆比特。这是内部
配置为4银行1M字×16的DRAM与
同步接口(所有信号被登记在
时钟信号CLK )的上升沿。读取和写入
访问到SDRAM是迸发导向;访问
开始在一个选定的位置,并持续一段
在编程的位置设定的号码
序列。访问开始时的注册
BankActivate命令,然后接着是
读或写命令。
该EM638165提供了可编程只读
或写入的1,2, 4,8,或整页突发的长度,用
突发终止选项。自动预充电功能
可被使能,以提供一个自定时行预充电
被引发的脉冲串序列的末端。该
刷新功能,自动或自刷新容易
以使用。
通过具有可编程的模式寄存器,所述
系统可以选择最合适的模式,以
最大限度地发挥其性能。这些装置是公
适合需要高内存的应用
带宽和特别适合于高
高性能PC的应用程序。
关键的特定连接的阳离子
EM638165
-
6/7/7.5/8/10
6/7 / 7.5 / 8/ 10纳秒
5 / 5.4 / 5.4 / 6/7 NS
42/45/45/48/50 NS
60/63/68/70/80 NS
t
CK3
t
AC3
t
RAS
t
RC
时钟周期时间(min 。 )
存取时间从CLK (最大)
行有效时间(最大)
行周期时间(min 。 )
订购信息
产品型号
EM638165TS-6
EM638165TS-7
EM638165TS-7.5
EM638165TS-8
EM638165TS-10
频率
166MHz
143MHz
133MHz
125MHz
100MHz
包
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
钰创科技有限公司
6号,科技路。五,科学工业园区,台湾新竹30077 , ROC
电话: ( 886 ) -3-5782345
传真: ( 886 ) -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
EtronTech
引脚说明
表1. EM638165的引脚的详细信息
符号
CLK
TYPE
输入
描述
EM638165
时钟:
CLK是系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号是
采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部爆裂
计数器和控制输出寄存器。
时钟使能:
CKE激活( HIGH)和停用( LOW ) CLK信号。如果
CKE变低同步于时钟(设置和保持时间相同,其他
输入) ,内部时钟从下一个时钟周期的状态悬浮
输出和脉冲串地址,只要所述CKE保持低电平被冻结。当所有
银行在闲置状态下,去激活所述时钟控制输入到功率
下来,自刷新模式。 CKE是同步的,除了设备后,
进入掉电和自刷新模式,在CKE变
异步直到退出同一模式。输入缓存器,其中包括CLK,
在掉电和自刷新模式将被禁用,提供低
备用电源。
银行选择:
BA0 , BA1输入选择操作的银行。
BA1
0
0
1
1
BA0
0
1
0
1
选择银行
银行#A
银行#B
银行#C
银行#D
CKE
输入
BA0,BA1
输入
A0-A11
输入
地址输入:
A0 - A11是在BankActivate指令周期内采样(行
地址A0 - A11)和读/写命令(列地址A0 -A7与A10
定义自动预充电),选择一个位置了2M的可用
各银行。在一个预充电命令,A10进行采样,以确定是否
所有银行都必须预充电( A10 =高) 。地址输入还提供了
一个模式寄存器设置命令在操作码。
片选:
CS #使(采样为低电平)和禁用(采样为高电平)的
命令解码器。当CS #被采样到高的所有命令被屏蔽。
CS #为与多家银行系统外的银行选择。这是
的命令代码组成部分。
行地址选通:
在RAS #信号定义的操作命令
与CAS #一起和WE #信号,并锁定在正边缘
的CLK 。当RAS #和CS #断言"LOW"和CAS #是断言
"HIGH , "要么BankActivate命令或预充电命令
由WE#信号的选择。当WE#为有效"HIGH , "的
BankActivate命令被选中,由BS指定的银行接通
到活动状态。当WE#为有效"LOW , "的预充电命令
被选择和由BS指定的银行后,被切换到空闲状态
预充电操作。
列地址选通:
在CAS #信号定义的操作命令
与RAS #结合和WE#信号,并锁存于正沿
的CLK 。当RAS #保持"HIGH"和CS #是断言"LOW , "列
访问是由断言CAS # "LOW."开始之后,读或写命令
选择WE#置"LOW"或"HIGH."
CS #
输入
RAS #
输入
CAS #
输入
初步
3
修订版0.6
2001年2月
EtronTech
WE#
输入
LDQM ,
UDQM
DQ0-DQ15
NC / RFU
V
DDQ
输入
EM638165
写使能:
WE#信号定义一起使用时的操作命令
与RAS #和CAS #信号,并锁存于CLK的上升沿。
在WE #的输入,用于选择BankActivate或预充电命令
读或写命令。
数据输入/输出面膜:
控制输出缓冲器中读取模式和口罩
在写入模式下输入数据。
输入/
产量
-
供应
数据I / O :
该DQ0-15的输入和输出数据与正同步
CLK的边缘。在I / O是屏蔽在读取和写入。
无连接:
这些引脚悬空。
DQ功率:
提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。
( 3.3V± 0.3V )
V
SSQ
供应
DQ地:
提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。
(0V)
电源:
+3.3V
±
0.3V
地
V
DD
V
SS
供应
供应
初步
4
修订版0.6
2001年2月
EtronTech
操作模式
EM638165
完全同步操作执行到锁存命令在CLK的上升沿。
表2示出了用于该操作的命令的真值表。
表2.真值表(注(1 ),( 2))的
命令
BankActivate
BankPrecharge
PrechargeAll
写
写和AutoPrecharge
读
阅读和AutoPrecharge
模式寄存器设置
无操作
突发停止
设备取消
自动刷新
SelfRefresh入口
SelfRefresh退出
状态
空闲
(3)
任何
任何
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
空闲
任何
活跃
(4)
任何
空闲
空闲
空闲
( SelfRefresh )
CKE
n-1
CKE
n
DQM BA
0,1
A
10
A
0-9,11
CS # RAS # CAS # WE#
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
L
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
H
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
V
X
V
V
V
V
行地址
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
COLUMN
地址
(A0 ~ A7)
COLUMN
地址
(A0 ~ A7)
L
L
L
L
L
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H
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L
L
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
X
H
X
X
H
X
H
L
L
L
L
H
H
L
H
L
X
H
H
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
操作码
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
时钟挂起模式进入
掉电模式进入
活跃
任何
(5)
活跃
任何
(掉电)
时钟挂起模式退出
掉电模式退出
数据写入/输出使能
数据面膜/输出禁止
活跃
活跃
H
X
H
X
X
X
X
X
X
注意:
1, V =有效的x =无关L =低电平H =高电平
2. CKE
n
信号提供命令时,输入电平。
CKE
n-1
信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。
3.这是由BS信号指定银行的状态。
4.设备状态为1 ,2,4 ,8,和全页突发操作。
5.掉电模式不能在突发操作输入。
当这个命令是断言,在突发周期,设备状态时钟挂起模式。
初步
5
修订版0.6
2001年2月