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EtronTech
特点
EM637327
1Mega ×32 SGRAM
初步( 08/99 )
引脚配置(顶视图)
DQ29
V
SSQ
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
DQ0
DQ1
V
SSQ
DQ2
从时钟的快速存取时间: 4.5 / 5.5 / 5.5 / 6纳秒
快速时钟速率: 200/166/143/125 MHz的
完全同步操作
内部流水线结构
双内置银行( 512K X 32位X 2bank )
可编程模式
- CAS#延迟: 1,2,或3个
- 突发长度: 1 , 2 , 4 , 8 ,或整页
- 突发类型:交错式或线性爆裂
- 突发读单写
- 加载彩色或屏蔽寄存器
突发停止功能
通过DQM0-3控制单个字节
块写,写每比特的能力
自动刷新和自刷新
2048刷新周期/ 32ms的
+ 3.3V单
±
0.3V电源
接口: LVTTL
JEDEC 100引脚塑料封装
- QFP (机身厚度=高度仅2.8mm)
- TQFP1.4 (机身厚度= 1.4毫米)
81
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100
DQ 3
V
DDQ
DQ 4
DQ 5
V
SSQ
DQ 6
DQ 7
V
DDQ
DQ16
DQ17
V
SSQ
DQ18
DQ19
V
DDQ
V
DD
V
SS
DQ20
DQ21
V
SSQ
DQ22
DQ23
V
DDQ
DQ M0
DQ M2
WE#
CA中#
RA S #
CS 0 #
BS
A9
1
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6
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8
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DQ28
V
DDQ
DQ27
DQ26
V
SSQ
DQ25
DQ24
V
DDQ
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
V
SS
V
DD
DQ11
DQ10
V
SSQ
DQ 9
DQ 8
V
DDQ
NC
DQ M3
DQ M1
CL
CKE
DSF
NC
A8 ( AP)
概观
该EM637327 SGRAM是一个高速CMOS
同步图形DRAM含有32兆比特。这是
内部配置为双512K ×32 DRAM用
同步接口(所有信号被登记在
时钟信号CLK )的上升沿。每个
512K ×32位的银行组织2048行,256
列由32位。读取和写入访问到
SGRAM被爆导向;存取开始以选定
位置和持续的编程号码
地点在编程序列。访问开始
有BankActivate命令注册该
随后是一个读或写命令。
该EM637327提供了可编程只读
或写入的1,2, 4,8,或整页突发的长度,用
突发终止选项。自动预充电功能
可被使能,以提供一个自定时行预充电
被引发的脉冲串序列的末端。该
刷新功能,自动或自刷新容易
以使用。
通过具有可编程的模式寄存器,所述
系统可以选择最合适的模式,以
最大限度地发挥其性能。这些装置是公
适合需要高内存的应用
带宽。
50
49
48
47
46
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40
39
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31
A7
A6
A5
A4
V
SS
A10
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
A3
A2
A1
A0
关键的特定连接的阳离子
EM637327
- 5/6/7/8
5/6/7/8 NS
25/30/35/40 NS
4.5 / 5.5 / 5.5 / 6纳秒
55/60/63/72 NS
t
CK3
t
RAS
t
AC3
t
RC
时钟周期时间(min 。 )
行有效时间(最大)
存取时间从CLK (最大)
行周期时间(min 。 )
订购信息
产品型号
EM637327Q-5
EM637327TQ-5
EM637327Q-6
EM637327TQ-6
EM637327Q-7
EM637327TQ-7
EM637327Q-8
EM637327TQ-8
频率
200兆赫
200兆赫
166兆赫
166兆赫
143兆赫
143兆赫
125兆赫
125兆赫
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
钰创科技有限公司
6号,科技路。五,科学工业园区,台湾新竹30077 , ROC
电话: ( 886 ) -3-5782345传真: ( 886 ) -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
EtronTech
框图
1Mega ×32 SGRAM
EM637327
CLK
时钟
卜FF器
行解码器
列解码器
2048 X 256 X 32
电池阵列
(BANK #0)
检测放大器
DQM0~3
CKE
CS #
RAS #
CAS #
WE#
DSF
命令
解码器
控制
信号
发电机
COLUMN
计数器
A8
颜色
注册
面膜
注册
DQ
S
卜FF器
DQ0
x
DQ31
模式
注册
A0
A7
A9
A10
BS
刷新
计数器
地址
卜FF器
特别
模式
注册
检测放大器
行解码器
2048 X 256 X 32
电池阵列
( BANK # 1 )
列解码器
初步
2
1999年8月
EtronTech
引脚说明
1Mega ×32 SGRAM
EM637327
表1. EM637327的引脚的详细信息
符号类型说明
CLK
输入
时钟:
CLK是系统时钟驱动。所有SGRAM输入信号进行采样的
CLK的上升沿。 CLK也递增内部突发计数器,并控制
输出寄存器。
输入
时钟使能:
CKE激活( HIGH)和停用( LOW ) CLK信号。如果CKE变
时钟(设置和保持时间像其他输入) ,内部时钟同步较低
从下一个时钟周期和输出的状态,暂停和脉冲串地址被冻结
只要所述CKE保持低电平。当两个银行都处于空闲状态,停用
时钟控制进入掉电和自刷新模式。 CKE是同步的
除了设备进入掉电和自刷新模式后,在CKE变
异步直到退出同一模式。输入缓冲器,包括CLK ,被禁用
在掉电和自刷新模式,提供低待机功耗。
输入
银行选择:
BS定义了该银行的BankActivate ,读,写,或BankPrecharge
命令被应用。 BS还用来编程模式的第11位和
特殊模式寄存器。
CKE
BS
A0- A10输入
地址输入:
A0 - A10是在BankActivate指令周期内采样(行地址
A0 - A10)和读/写命令(列地址A0- A7与A8自定义
预充电),选择一个位置,在相应的银行提供了512K的。中
一个预充电命令,A8被采样以确定两个银行是被预充电(A8
=高) 。地址输入时也一个模式寄存器设置为操作码或
特殊模式寄存器设置命令。
CS #
输入
片选:
CS #使(采样为低电平)和禁用(采样为高)的命令
解码器。当CS #被采样到高的所有命令被屏蔽。 CS #为
在与多家银行系统外的银行选择。它被认为是部分
命令代码。
输入
行地址选通:
在RAS #信号定义结合的操作命令
与CAS #和WE #信号被锁定在CLK的上升沿。当RAS #
和CS #断言"LOW"和CAS #是断言"HIGH , "要么BankActivate
命令或预充电命令被选中的WE #信号。当WE#为
断言"HIGH , "的BankActivate命令被选中,由BS指定的银行
接通到活动状态。当WE#为有效"LOW , "的预充电命令
被选择和由BS指定的银行预充电之后被切换到空闲状态
操作。
输入
列地址选通:
在CAS #信号
与RAS #一起和WE #信号
当RAS #保持"HIGH"和CS #是断言
断言CAS # "LOW."然后,读或写
"LOW"或"HIGH."
限定在操作命令
被锁在CLK的上升沿。
"LOW , "列的访问是通过启动
命令由断言WE#
RAS #
CAS #
WE#
输入
写使能:
WE#信号定义一起使用时的动作指令与
RAS #和CAS #信号,并锁定在CLK的上升沿。在WE #输入
用于选择BankActivate或预充电命令和读或写命令。
输入
定义特殊功能:
该DSF信号定义结合的操作命令
与RAS #和CAS #和WE #信号被锁定在CLK的上升沿。
该DSF输入用于选择蒙面写禁用/启用命令和块写入
命令,在特殊模式寄存器设置循环。
DSF
初步
3
1999年8月
EtronTech
1Mega ×32 SGRAM
EM637327
DQM0 - 输入
数据输入/输出面膜:
DQM0 - DQM3是字节具体的,非持久的I / O缓冲区
DQM3
控制。在I / O缓冲区被放置在一个高阻抗状态,当DQM采样为高电平。输入
当DQM是在写周期期间采样的高数据被屏蔽。输出数据被屏蔽
(双时钟延迟)时, DQM是在一个读周期采样为高。 DQM3口罩DQ31-
DQ24 , DQM2口罩DQ23 - DQ16 , DQM1口罩DQ15 - DQ8和DQM0口罩DQ7-
DQ0.
DQ0-输入/
数据I / O :
该DQ0-31的输入和输出数据与的正边缘同步
DQ31输出CLK 。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。 DQS的也作为
座中柱/字节掩码输入写入。
NC
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
V
SS
-
无连接:
这些引脚悬空。
供应
DQ功率:
提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。
供应
DQ地:
提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。
供应
电源:
+3.3V±0.3V
供应
初步
4
1999年8月
EtronTech
操作模式
1Mega ×32 SGRAM
EM637327
完全同步操作执行到锁存命令在CLK的上升沿。
表2示出了用于该操作的命令的真值表。
表2.真值表(注(1 ),( 2))的
命令
BankActivate &蒙面写禁止
BankActivate &蒙面写使能
BankPrecharge
PrechargeAll
块写命令
写和AutoPrecharge
块写入和AutoPrecharge
阅读和AutoPrecharge
模式寄存器设置
特殊模式寄存器设置
无操作
突发停止
设备取消
自动刷新
SelfRefresh入口
SelfRefresh退出
状态
空闲
(3)
空闲
(3)
任何
任何
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
空闲
空闲
(5)
任何
活跃
(4)
任何
空闲
空闲
空闲
( SelfRefresh )
CKE
n-1
CKE
n
DQM
(7)
BS A8一
DDR
CS # RAS # CAS # WE# DSF
H
H
H
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H
H
H
H
H
H
H
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X
X
X
X
X
X
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X
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V
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V
X
X
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X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
V
L
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X
X
X
X
X
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X
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X
X
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V
V
V
X
X
X
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X
X
X
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X
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L
X
X
L
X
X
时钟挂起模式进入
掉电模式进入
活跃
任何
(6)
活跃
任何
(掉电)
时钟挂起模式退出
掉电模式退出
数据写入/输出使能
数据面膜/输出禁止
活跃
活跃
H
X
H
X X
X
X
X
X
注意:
1, V =有效的x =无关L =低电平H =高电平
2. CKE
n
信号提供命令时,输入电平。
CKE
n-1
信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。
3.这是由BS信号指定银行的状态。
4.设备状态为1 ,2,4 ,8,和全页突发操作。
5.特别模式寄存器设置也行活动状态可用。
6.掉电模式不能在突发操作输入。
当这个命令是断言,在突发周期,设备状态时钟挂起模式。
7. DQM0-3
初步
5
1999年8月
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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