EtronTech
特点
从时钟的快速存取时间： 10/10 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
快速时钟速率： 183/166/143/125/100 MHz的
完全同步操作
内部流水线结构
双内置银行（ 256K ×32位× 2行）
可编程模式和特殊模式寄存器
- CAS＃延迟： 1，2，或3个
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发读单写
- 加载彩色或屏蔽寄存器
突发停止功能
通过DQM0-3控制单个字节
块写，写每比特的能力
自动刷新和自刷新
2048刷新周期/ 32ms的
单+ 3.3V ± 0.3V电源
接口： LVTTL
JEDEC 100引脚塑料封装
-QFP （机身厚度=高度仅2.8mm）
-TQFP1.4 （机身厚度= 1.4毫米）
-TQFP1.0 （机身厚度= 1.0毫米）
EM636327
初步（ 12/98 ）
512K ×32高速同步图形DRAM （ SGRAM ）
关键的特定连接的阳离子
EM636327
- 55/6/7/8/10
5.5 / 6/7 /8/ 10纳秒
32/36/42/48/60 NS
7/8/13/18/23 NS
10/10 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒
48/54/63/72/90 NS
t
CK3
t
RAS
t
AC1
t
AC3
t
RC
时钟周期时间（min 。 ）
行有效时间（最大）
从读命令访问时间
存取时间从CLK （最大）
行周期时间（min 。 ）
订购信息
产品型号
EM636327Q-10
EM636327R-10
EM636327TQ-10
EM636327JT-10
EM636327Q-8
EM636327R-8
EM636327TQ-8
EM636327JT-8
EM636327Q-7
EM636327TQ-7
EM636327Q-6
EM636327TQ-6
EM636327Q-55
频率
100MHz
100MHz
100MHz
100MHz
125MHz
125MHz
125MHz
125MHz
143MHz
143MHz
166MHz
166MHz
183MHz
183MHz
包
QFP
QFP （反向）
TQFP1.4
TQFP1.0
QFP
QFP （反向）
TQFP1.4
TQFP1.0
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
QFP
TQFP1.4
概观
的EM636327 SGRAM是一个高速
含16 CMOS同步图形DRAM
兆比特。它在内部配置为双256K X
32 DRAM与同步接口（所有信号
被登记在时钟的上升沿
信号CLK ） 。每一个256K ×32位的银行是
组织为1024行，256列32位。
读取和写入访问的SGRAM被爆
导向;存取开始在一个选定的位置和
持续的地点在一个设定的号码
编程序列。访问开始时的
一个BankActivate命令，它是注册
然后是读或写命令。
该EM636327提供了可编程
读或写的脉冲串长度的1，2， 4，8，或全
EM636327TQ-55
页面上，一阵终止选项。自动
预充电功能可被使能，以提供一
自定时行预充电，在结尾处启动的
的色同步信号序列。刷新功能，
无论是自动或自刷新易于使用。在
此外， EM636327设有写入每比特和
蒙面块写入功能。
通过具有可编程的模式寄存器和
特殊模式寄存器，系统可以选择
最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。
这些装置非常适用于应用
要求高存储器带宽，并且当
再加上特殊的图形功能，导致
一个设备特别适合于高
高性能图形应用程序。
钰创科技有限公司
1楼1号，繁荣路。 1 ，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345传真： （ 886 ） -3-5779001
钰创科技公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
EtronTech
引脚说明
表1示出的细节，针数，符号，类型和描述。
表1. EM636327的引脚的详细信息
引脚号符号类型说明
55
CLK
EM636327
输入
时钟：
CLK是系统时钟驱动。所有SGRAM的输入信号是
采样在CLK的上升沿。 CLK也递增内部爆裂
计数器和控制输出寄存器。
输入
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。
如果CKE变低同步于时钟（设置和保持时间相同，其他
输入） ，内部时钟从下一个时钟周期和暂停
输出和突发地址的状态，只要CKE保持低被冻结。
当两个银行是在闲置状态下，去激活所述时钟控制
进入掉电和自刷新模式。 CKE是同步的
除了设备后进入掉电和自刷新模式，在那里
CKE变成异步直到退出同一模式。输入缓冲器，
包括CLK ，被禁止在关机和自刷新模式，
提供低待机功耗。
输入
银行选择：
BS定义到银行BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。 BS还用来编程
模式和特殊模式寄存器的第10位。
输入
地址输入：
A0 -A9是在BankActivate指令周期内采样（行
地址A0 -A9 ）和读/写命令（列地址A0 -A7与A9
定义自动预充电） ，以选择一个位置了256K的可用
各银行。在一个预充电命令，A9进行采样，以
确定两岸要预充电（ A9 =高） 。地址
还投入期间，模式寄存器设置或特殊模式提供了操作码
寄存器设置命令。
输入
片选：
CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的
命令解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。
CS ＃为与多家银行系统外的银行选择。这是
的命令代码组成部分。
输入
行地址选通：
在RAS ＃信号定义的操作命令
与CAS ＃一起和WE ＃信号，并锁定在正
CLK的边缘。当RAS ＃和CS ＃断言"LOW"和CAS ＃是
置"HIGH ， "任BankActivate命令或预充电
命令由WE＃信号。当WE＃为有效"HIGH ， "
在BankActivate命令被选中，由BS指定的银行
接通到活动状态。当WE＃为有效"LOW ， "的
预充电命令被选中，由BS指定的银行切换
于预充电操作之后的空闲状态。
输入
列地址选通：
在CAS ＃信号定义操作命令
在与RAS ＃结合和WE＃信号，并锁存于正
CLK的边缘。当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃是断言"LOW ， "的
列的访问是通过断言CAS ＃ "LOW."开始之后，读或写
命令由WE＃置"LOW"或"HIGH."
输入
写使能：
WE＃信号限定在所述操作指令
与RAS ＃和CAS ＃信号，并一起被锁在正
CLK的边缘。在WE ＃输入被用来选择BankActivate或
预充电命令和读或写命令。
54
CKE
29
BS
31-34,
47-50,
30, 51
A0-A9
28
CS ＃
27
RAS ＃
26
CAS ＃
25
WE＃
初步
3
十二月
1998
EtronTech
53
DSF
EM636327
输入
定义特殊功能：
该DSF信号定义操作命令
与RAS ＃和CAS ＃和WE ＃信号，并一起被锁在
CLK的上升沿。该DSF输入用来选择被屏蔽的写入
启用/禁用命令和块写命令，并在特殊模式
寄存器组循环。
23 ， 56 ， 24 ， DQM0 - 输入
数据输入/输出面膜：
DQM0 - DQM3是特定字节，非持久的I / O
57
DQM3
缓冲控制。在I / O缓冲区被放置在一个高阻抗状态，当DQM是
采样为高。当DQM是在一个高采样输入数据被屏蔽
写周期。输出数据被屏蔽（双时钟延迟）时， DQM采样
在一个读周期为高电平。 DQM3口罩DQ31 - DQ24 ， DQM2口罩DQ23-
DQ16 ， DQM1口罩DQ15 - DQ8和DQM0口罩DQ7 - DQ0 。
97 ，98 ，100， DQ0-输入/
数据I / O ：
该DQ0-31的输入和输出数据与同步
CLK的1，图3 ，图4， 6，7， DQ31输出正边缘。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。
60, 61, 63,
DQS的也作为列/字节掩码输入过程中块写操作。
64, 68, 69,
71, 72, 9,
10, 12, 13,
17, 18, 20,
21, 74, 75,
77, 78, 80,
81, 83, 84
36-45, 52,
58, 86-95
2, 8, 14, 22,
59, 67, 73,
79
5, 11, 19,
62, 70, 76,
82, 99
15, 35, 65,
96
16, 46, 66,
85
NC
V
DDQ
-
无连接：
这些引脚悬空。
供应
DQ功率：
提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。
V
SSQ
供应
DQ地：
提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。
V
DD
V
SS
供应
电源：
+3.3V±0.3V
供应
地
初步
4
十二月
1998
EtronTech
操作模式
EM636327
完全同步操作执行到锁存命令在CLK的上升沿。
表2示出了用于该操作的命令的真值表。
表2.真值表（注（1 ），（ 2））的
命令
BankActivate &蒙面写禁止
BankActivate &蒙面写使能
BankPrecharge
PrechargeAll
写
块写命令
写和AutoPrecharge
块写入和AutoPrecharge
读
阅读和AutoPrecharge
模式寄存器设置
特殊模式寄存器设置
无操作
突发停止
设备取消
自动刷新
SelfRefresh入口
SelfRefresh退出
状态
空闲
(3)
空闲
(3)
任何
任何
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
空闲
空闲
(5)
任何
活跃
(4)
任何
空闲
空闲
空闲
（ SelfRefresh ）
CKE
n-1
CKE
n
DQM
(7)
BS A
9
A
0-8
CS ＃ RAS ＃ CAS ＃ WE＃ DSF
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
L
L
H
X
X
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X
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V
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V
V
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X
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X
X
X
V
V
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H
L
H
L
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L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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L
L
L
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L
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L
L
L
L
L
L
L
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L
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X
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X
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L
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L
L
L
L
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L
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H
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X
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X
X
H
X
L
H
L
L
L
H
L
H
L
L
L
H
X
L
X
L
L
X
X
X
X
L
X
X
L
X
X
时钟挂起模式进入
掉电模式进入
活跃
任何
(6)
活跃
任何
（掉电）
时钟挂起模式退出
掉电模式退出
数据写入/输出使能
数据面膜/输出禁止
活跃
活跃
H
X
H
X X X
X
X
X
X
注意：
1， V =有效的x =无关L =低电平H =高电平
2. CKE
n
信号提供命令时，输入电平。
CKE
n-1
信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。
3.这是由BS信号指定银行的状态。
4.设备状态为1 ，2，4 ，8，和全页突发操作。
5.特别模式寄存器设置也行活动状态可用。
6.掉电模式不能在突发操作输入。
当这个命令是断言，在突发周期，设备状态时钟挂起模式。
7. DQM0-3
初步
5
十二月
1998
QQ：2880707522 复制
