【等ronTech特点快速访问时间： 4.5 / 5 /5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒快速】,IC型号EM636165VE-10,EM636165VE-10 PDF资料,EM636165VE-10经销商,ic,电子元器件-51电子网

等ronTech

特点

快速访问时间： 4.5 / 5 /5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒

快速时钟速率： 200/183/166/143/125/100兆赫

自刷新模式：标准模式和低功耗

完全同步操作

内部流水线结构

512K ×16位×2银行

可编程模式寄存器

- CAS＃延迟： 1，2，或3个

- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页

- 突发类型：交错式或线性爆裂

- 突发停止功能

通过LDQM和UDQM控制单个字节

自动刷新和自刷新

4096刷新周期/ 64ms的

CKE断电模式

+ 3.3V单

0.3V电源

接口： LVTTL

50引脚400密耳的塑料TSOP II封装

60球，6.4毫米× 10.1毫米VFBGA封装

（最大总包方高度= 1.0 MM）

EM636165

1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的

初步（修订版1.8 ， 11/2001 ）

关键的特定连接的阳离子

EM636165

-5/55/6/7/7L/8/10

5 / 5.5 / 6 /7/ 7/8/ 10纳秒

30/32/36/42/42/48/60 NS

4.5 / 5 /5 / 5.5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒

48/48/54/63/63/72/90 NS

CK3

RAS

AC3

时钟周期时间（min 。）

行有效时间（最大）

从CLK访问时间

（ MAX 。）

行周期时间（min 。）

订购信息

1.工作温度： 0 70°C

产品型号

EM636165TS/VE-5

EM636165TS/VE-55

EM636165TS / VE -6

EM636165TS / VE -7

EM636165TS/VE-7L

EM636165TS / VE -8

EM636165TS / VE -10

频率

200MHz

183MHz

166MHz

143MHz

125MHz

100MHz

包

TSOP II ， VFBGA

2.工业工作温度： -40 85°C

产品型号

EM636165TS / VE -10I

频率

100MHz

包

TSOP II ， VFBGA

引脚配置（顶视图）

DQ 0

DQ 1

S SQ

DQ 2

DQ 3

DDQ

DQ 4

DQ 5

S SQ

DQ 6

DQ 7

DDQ

LD Q·M·

WE＃

CA中＃

RA S ＃

CS ＃

A11

A10

VSS

问题15

问题14

S SQ

Q 13

Q 12

DDQ

Q 11

Q 10

S SQ

DQ 9

DQ 8

DDQ

UD QM

CKE

VSS

DQ 15

DQ0

VDD

DQ 14

VSSQ

VDDQ

DQ1

DQ 13

VDDQ

VSSQ

DQ2

DQ 12

DQ 11

DQ4

DQ3

DQ 10

VSSQ

VDDQ

DQ5

DQ9

VDDQ

VSSQ

DQ6

DQ8

DQ7

UDQM

LDQ M

宽E ＃

CLK

RAS ＃

CAS ＃

CKE

CS ＃

A11

A10

VSS

VDD

钰创科技有限公司

6号，科技路V，科学工业园区，台湾新竹30077 ， ROC

电话：（ 886 ） -3-5782345

传真：（ 886 ） -3-5778671

钰创科技公司保留更改产品规格，恕不另行通知。

EtronTech

概观

1M ×16 SDRAM

EM636165

该EM636165 SDRAM是一种含有16兆比特的高速CMOS同步DRAM 。它在内部配置

作为双512K ×16位的DRAM ，具有同步接口（所有信号记录在时钟的上升沿

信号CLK ）。每一个512K ×16位的银行的组织为2048行× 256列16位。读取和写入

访问到SDRAM是迸发导向;存取开始在一个选定的位置，并继续进行编程的数

在一个编程的顺序位置。

的EM636165提供了可编程的读或写的1，2， 4，8，或整页突发的长度，用一个脉冲串

终止选项。自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电，在被启动，它将

色同步信号序列的末端。刷新功能，自动或自刷新易于使用。由具有

可编程的模式寄存器，系统可以选择最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。这些

器件非常适用于需要高存储器带宽和应用程序特别适合于高性能

PC应用。

框图

CLK

时钟

卜FF器

行解码器

列解码器

2048 X 256 X 16

电池阵列

（BANK ＃0）

检测放大器

CKE

CS ＃

RAS ＃

CAS ＃

WE＃

LDQM

UDQM

命令

解码器

控制

信号

发电机

COLUMN

计数器

DQS缓冲区

DQ0

DQ15

A11

地址

卜FF器

模式

检测放大器

刷新

计数器

行解码器

2048 X 256 X 16

电池阵列

（ BANK ＃ 1 ）

列解码器

初步

修订版1.8

2001年11月

EtronTech

引脚说明

符号

CLK

TYPE

输入

1M ×16 SDRAM

EM636165

表1. EM636165的引脚的详细信息

描述

时钟：

CLK是系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样

在CLK的上升沿。 CLK也递增内部突发计数器和

控制输出寄存器。

时钟使能：

CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。如果

CKE变低同步于时钟（设置和保持时间相同，其他

输入），内部时钟从下一个时钟周期暂停的状态

输出和脉冲串地址，只要所述CKE保持低电平被冻结。当两个

银行在闲置状态下，去激活所述时钟控制输入到功率

下来，自刷新模式。 CKE是同步的，除了设备后，

进入掉电和自刷新模式，在CKE变

异步直到退出同一模式。输入缓存器，其中包括CLK，是

在掉电和自刷新模式禁用，提供低待机

力。

银行选择：

A11 （ BS）定义了该银行的BankActivate ，读，写，或

BankPrecharge命令被应用。

地址输入：

A0 - A10是在BankActivate指令周期内采样（行

地址A0 - A10）和读/写命令（列地址A0 -A7与A10

定义自动预充电），选择一个位置了256K的可用

各银行。在一个预充电命令，A10进行采样，以确定是否

两家银行将被预充电（ A10 =高）。地址输入还提供了

一个模式寄存器设置命令在操作码。

片选：

CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的

命令解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。

CS ＃为与多家银行系统外的银行选择。这是

的命令代码组成部分。

行地址选通：

在RAS ＃信号定义的操作命令

与CAS ＃一起和WE ＃信号，并锁定在正边缘

的CLK 。当RAS ＃和CS ＃断言"LOW"和CAS ＃是断言

"HIGH ， "要么BankActivate命令或预充电命令

由WE＃信号的选择。当WE＃为有效"HIGH ， "的

BankActivate命令被选中，由BS指定的银行接通

到活动状态。当WE＃为有效"LOW ， "的预充电命令

被选择和由BS指定的银行后，被切换到空闲状态

预充电操作。

列地址选通：

在CAS ＃信号定义的操作命令

与RAS ＃结合和WE＃信号，并锁存于正沿

的CLK 。当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃是断言"LOW ， "列

访问是由断言CAS ＃ "LOW."开始之后，读或写命令

选择WE＃置"LOW"或"HIGH."

写使能：

WE＃信号定义一起使用时的操作命令

与RAS ＃和CAS ＃信号，并锁存于CLK的上升沿。

在WE ＃的输入，用于选择BankActivate或预充电命令

读或写命令。

数据输入/输出面膜：

LDQM和UDQM是特定字节，非持久

I / O缓冲区的控制。在I / O缓冲器置于高阻抗状态时

LDQM / UDQM采样为高电平。当LDQM / UDQM是输入数据被屏蔽

在写周期采样为高。输出数据被掩码（ 2时钟延迟）

当LDQM / UDQM是在一个读周期采样为高。 UDQM口罩DQ15-

DQ8和LDQM口罩DQ7 - DQ0 。

CKE

输入

A11

A0-A10

输入

CS ＃

输入

RAS ＃

输入

CAS ＃

输入

WE＃

输入

LDQM ，

UDQM

输入

初步

修订版1.8

2001年11月

EtronTech

DDQ

供应

1M ×16 SDRAM

EM636165

DQ0 - DQ15输入/输出

数据I / O ：

该DQ0-15的输入和输出数据与正同步

CLK的边缘。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。

无连接：

这些引脚悬空。

DQ功率：

提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。

( 3.3V

0.3V )

SSQ

供应

DQ地：

提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。

(0V)

供应

电源：

+3.3V

0.3V

地

初步

修订版1.8

2001年11月

EtronTech

操作模式

1M ×16 SDRAM

EM636165

完全同步操作执行到锁存命令在CLK的上升沿。

表2示出了用于该操作的命令的真值表。

表2.真值表（注（1 ），（ 2））的

命令

BankActivate

BankPrecharge

PrechargeAll

写

写和AutoPrecharge

读

阅读和AutoPrecharge

模式寄存器设置

无操作

突发停止

设备取消

自动刷新

SelfRefresh入口

SelfRefresh退出

状态

空闲

(3)

任何

活跃

(3)

活跃

(3)

活跃

(3)

活跃

(3)

空闲

任何

活跃

(4)

任何

空闲

（ SelfRefresh ）

CKE

n-1

CKE

DQM

(6)

A11 A

0-9

CS ＃ RAS ＃ CAS ＃ WE＃

时钟挂起模式进入

掉电模式进入

活跃

任何

(5)

活跃

任何

（掉电）

时钟挂起模式退出

掉电模式退出

数据写入/输出使能

数据面膜/输出禁止

活跃

注意：

1， V =有效的x =无关L =低电平H =高电平

2. CKE

信号提供命令时，输入电平。

CKE

n-1

信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。

3.这是由BS信号指定银行的状态。

4.设备状态为1 ，2，4 ，8，和全页突发操作。

5.掉电模式不能在突发操作输入。

当这个命令是断言，在突发周期，设备状态时钟挂起模式。

6. LDQM和UDQM

初步

修订版1.8

2001年11月

等ronTech

特点

快速访问时间： 4.5 / 5 /5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒

快速时钟速率： 200/183/166/143/125/100兆赫

自刷新模式：标准模式和低功耗

完全同步操作

内部流水线结构

512K ×16位×2银行

可编程模式寄存器

- CAS＃延迟： 1，2，或3个

- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页

- 突发类型：交错式或线性爆裂

- 突发停止功能

通过LDQM和UDQM控制单个字节

自动刷新和自刷新

4096刷新周期/ 64ms的

CKE断电模式

+ 3.3V单

0.3V电源

接口： LVTTL

50引脚400密耳的塑料TSOP II封装

60球，6.4毫米× 10.1毫米VFBGA封装

（最大总包方高度= 1.0 MM）

EM636165

1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的

初步（修订版1.8 ， 11/2001 ）

关键的特定连接的阳离子

EM636165

-5/55/6/7/7L/8/10

5 / 5.5 / 6 /7/ 7/8/ 10纳秒

30/32/36/42/42/48/60 NS

4.5 / 5 /5 / 5.5 / 5.5 / 6.5 / 7.5纳秒

48/48/54/63/63/72/90 NS

CK3

RAS

AC3

时钟周期时间（min 。）

行有效时间（最大）

从CLK访问时间

（ MAX 。）

行周期时间（min 。）

订购信息

1.工作温度： 0 70°C

产品型号

EM636165TS/VE-5

EM636165TS/VE-55

EM636165TS / VE -6

EM636165TS / VE -7

EM636165TS/VE-7L

EM636165TS / VE -8

EM636165TS / VE -10

频率

200MHz

183MHz

166MHz

143MHz

125MHz

100MHz

包

TSOP II ， VFBGA

2.工业工作温度： -40 85°C

产品型号

EM636165TS / VE -10I

频率

100MHz

包

TSOP II ， VFBGA

引脚配置（顶视图）

DQ 0

DQ 1

S SQ

DQ 2

DQ 3

DDQ

DQ 4

DQ 5

S SQ

DQ 6

DQ 7

DDQ

LD Q·M·

WE＃

CA中＃

RA S ＃

CS ＃

A11

A10

VSS

问题15

问题14

S SQ

Q 13

Q 12

DDQ

Q 11

Q 10

S SQ

DQ 9

DQ 8

DDQ

UD QM

CKE

VSS

DQ 15

DQ0

VDD

DQ 14

VSSQ

VDDQ

DQ1

DQ 13

VDDQ

VSSQ

DQ2

DQ 12

DQ 11

DQ4

DQ3

DQ 10

VSSQ

VDDQ

DQ5

DQ9

VDDQ

VSSQ

DQ6

DQ8

DQ7

UDQM

LDQ M

宽E ＃

CLK

RAS ＃

CAS ＃

CKE

CS ＃

A11

A10

VSS

VDD

钰创科技有限公司

6号，科技路V，科学工业园区，台湾新竹30077 ， ROC

电话：（ 886 ） -3-5782345

传真：（ 886 ） -3-5778671

钰创科技公司保留更改产品规格，恕不另行通知。

EtronTech

概观

1M ×16 SDRAM

EM636165

该EM636165 SDRAM是一种含有16兆比特的高速CMOS同步DRAM 。它在内部配置

作为双512K ×16位的DRAM ，具有同步接口（所有信号记录在时钟的上升沿

信号CLK ）。每一个512K ×16位的银行的组织为2048行× 256列16位。读取和写入

访问到SDRAM是迸发导向;存取开始在一个选定的位置，并继续进行编程的数

在一个编程的顺序位置。

的EM636165提供了可编程的读或写的1，2， 4，8，或整页突发的长度，用一个脉冲串

终止选项。自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电，在被启动，它将

色同步信号序列的末端。刷新功能，自动或自刷新易于使用。由具有

可编程的模式寄存器，系统可以选择最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。这些

器件非常适用于需要高存储器带宽和应用程序特别适合于高性能

PC应用。

框图

CLK

时钟

卜FF器

行解码器

列解码器

2048 X 256 X 16

电池阵列

（BANK ＃0）

检测放大器

CKE

CS ＃

RAS ＃

CAS ＃

WE＃

LDQM

UDQM

命令

解码器

控制

信号

发电机

COLUMN

计数器

DQS缓冲区

DQ0

DQ15

A11

地址

卜FF器

模式

检测放大器

刷新

计数器

行解码器

2048 X 256 X 16

电池阵列

（ BANK ＃ 1 ）

列解码器

初步

修订版1.8

2001年11月

EtronTech

引脚说明

符号

CLK

TYPE

输入

1M ×16 SDRAM

EM636165

表1. EM636165的引脚的详细信息

描述

时钟：

CLK是系统时钟驱动。所有的SDRAM的输入信号进行采样

在CLK的上升沿。 CLK也递增内部突发计数器和

控制输出寄存器。

时钟使能：

CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ） CLK信号。如果

CKE变低同步于时钟（设置和保持时间相同，其他

输入），内部时钟从下一个时钟周期暂停的状态

输出和脉冲串地址，只要所述CKE保持低电平被冻结。当两个

银行在闲置状态下，去激活所述时钟控制输入到功率

下来，自刷新模式。 CKE是同步的，除了设备后，

进入掉电和自刷新模式，在CKE变

异步直到退出同一模式。输入缓存器，其中包括CLK，是

在掉电和自刷新模式禁用，提供低待机

力。

银行选择：

A11 （ BS）定义了该银行的BankActivate ，读，写，或

BankPrecharge命令被应用。

地址输入：

A0 - A10是在BankActivate指令周期内采样（行

地址A0 - A10）和读/写命令（列地址A0 -A7与A10

定义自动预充电），选择一个位置了256K的可用

各银行。在一个预充电命令，A10进行采样，以确定是否

两家银行将被预充电（ A10 =高）。地址输入还提供了

一个模式寄存器设置命令在操作码。

片选：

CS ＃使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的

命令解码器。当CS ＃被采样到高的所有命令被屏蔽。

CS ＃为与多家银行系统外的银行选择。这是

的命令代码组成部分。

行地址选通：

在RAS ＃信号定义的操作命令

与CAS ＃一起和WE ＃信号，并锁定在正边缘

的CLK 。当RAS ＃和CS ＃断言"LOW"和CAS ＃是断言

"HIGH ， "要么BankActivate命令或预充电命令

由WE＃信号的选择。当WE＃为有效"HIGH ， "的

BankActivate命令被选中，由BS指定的银行接通

到活动状态。当WE＃为有效"LOW ， "的预充电命令

被选择和由BS指定的银行后，被切换到空闲状态

预充电操作。

列地址选通：

在CAS ＃信号定义的操作命令

与RAS ＃结合和WE＃信号，并锁存于正沿

的CLK 。当RAS ＃保持"HIGH"和CS ＃是断言"LOW ， "列

访问是由断言CAS ＃ "LOW."开始之后，读或写命令

选择WE＃置"LOW"或"HIGH."

写使能：

WE＃信号定义一起使用时的操作命令

与RAS ＃和CAS ＃信号，并锁存于CLK的上升沿。

在WE ＃的输入，用于选择BankActivate或预充电命令

读或写命令。

数据输入/输出面膜：

LDQM和UDQM是特定字节，非持久

I / O缓冲区的控制。在I / O缓冲器置于高阻抗状态时

LDQM / UDQM采样为高电平。当LDQM / UDQM是输入数据被屏蔽

在写周期采样为高。输出数据被掩码（ 2时钟延迟）

当LDQM / UDQM是在一个读周期采样为高。 UDQM口罩DQ15-

DQ8和LDQM口罩DQ7 - DQ0 。

CKE

输入

A11

A0-A10

输入

CS ＃

输入

RAS ＃

输入

CAS ＃

输入

WE＃

输入

LDQM ，

UDQM

输入

初步

修订版1.8

2001年11月

EtronTech

DDQ

供应

1M ×16 SDRAM

EM636165

DQ0 - DQ15输入/输出

数据I / O ：

该DQ0-15的输入和输出数据与正同步

CLK的边缘。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。

无连接：

这些引脚悬空。

DQ功率：

提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。

( 3.3V

0.3V )

SSQ

供应

DQ地：

提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。

(0V)

供应

电源：

+3.3V

0.3V

地

初步

修订版1.8

2001年11月

EtronTech

操作模式

1M ×16 SDRAM

EM636165

完全同步操作执行到锁存命令在CLK的上升沿。

表2示出了用于该操作的命令的真值表。

表2.真值表（注（1 ），（ 2））的

命令

BankActivate

BankPrecharge

PrechargeAll

写

写和AutoPrecharge

读

阅读和AutoPrecharge

模式寄存器设置

无操作

突发停止

设备取消

自动刷新

SelfRefresh入口

SelfRefresh退出

状态

空闲

(3)

任何

活跃

(3)

活跃

(3)

活跃

(3)

活跃

(3)

空闲

任何

活跃

(4)

任何

空闲

（ SelfRefresh ）

CKE

n-1

CKE

DQM

(6)

A11 A

0-9

CS ＃ RAS ＃ CAS ＃ WE＃

时钟挂起模式进入

掉电模式进入

活跃

任何

(5)

活跃

任何

（掉电）

时钟挂起模式退出

掉电模式退出

数据写入/输出使能

数据面膜/输出禁止

活跃

注意：

1， V =有效的x =无关L =低电平H =高电平

2. CKE

信号提供命令时，输入电平。

CKE

n-1

信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。

3.这是由BS信号指定银行的状态。

4.设备状态为1 ，2，4 ，8，和全页突发操作。

5.掉电模式不能在突发操作输入。

当这个命令是断言，在突发周期，设备状态时钟挂起模式。

6. LDQM和UDQM

初步

修订版1.8

2001年11月