EM微电子
- MARIN SA
复位电路与固定延迟
描述
该EM6353是一款超低电流复位电路中使用
大各种结构和非常小的包
在所有的终端应用最大的灵活性高达125° C和
采用1.5V和5.5V之间的供电。
该电路监视任何电子的电源电压
系统，并经过一个生成适当的复位信号
固定复位超时周期。阈值定义
允许的最小电压，保证了良好的
该系统的功能。当V
DD
上升超过V
TH
中，
额外的延迟时间输出仍然有效。这
使系统能够得到充分活跃之前稳定下来。
该EM6353具有三个输出类型：低电平有效的推挽
拉，低电平有效的漏极开路和高电平有效的推挽式。
小SC70-5L和SOT23-3L封装以及超低
2.9μA的电源电流使EM6353的理想选择
便携式电池供电设备。
EM6353
特点
!
!
!
!
!
!
200ms的复位超时周期（应要求为25ms ）
2.9μA （V超低电源电流
DD
=3.3V)
工作温度范围： -40 ° C至+ 125°C
±1.5%
复位门限精度
11复位阈值电压V
TH
: 4.63V, 4.4V, 3.08V,
2.93V, 2.63V, 2.2V, 1.8V, 1.66V, 1.57V, 1.38V, 1.31V
3复位输出选项：
＆ QUOT ;
低电平有效
RESET
推挽
＆ QUOT ;
低电平有效
RESET
漏极开路
＆ QUOT ;
ACTIVE -HIGH
RESET
推挽
无需外部元件
不受短期负面V
DD
瞬变
保证复位有效低至0.8V
阈值迟滞： V为2.1 ％
TH
非常小的SOT23-3L和SC70-5L包
!
!
!
!
!
典型用途
V
DD
V
DD
RESET
*
V
DD
RESET
应用
!
!
!
!
!
!
!
!
3 GND
EM6353
GND
MPU ， DSP
GND
GND
*
R
EXT
只开漏版
引脚配置
（ TOP VIEW ）
GND
1
3
RESET 2
（ RESET ）
V
DD
V
DD
2
RESET 1
（ RESET ）
!
手机
机顶盒
视频，数码相机，DVD播放器和刻录机
调制解调器
个人电脑
交换式集线器
复印机和传真机
电表
汽车系统
SOT23-3L
"beta"合
NC
V
DD
NC
1
2
3
5 RESET
（ RESET ）
4 GND
SOT23-3L
"alpha"合
GND 4
RESET
5
（ RESET ）
3 NC
2 V
DD
1 NC
框图
V
DD
振荡器
+
电压
参考
（带SC70-3兼容通过旋转180°）
SC70-5L
-
RESET
逻辑
RESET
RESET
GND
引脚说明
针
SOT23-3L
“测试版”
1
功能
SC70-5L
4
SOT23-3L
“阿尔法”
3
名字
GND
地
低电平有效复位输出。 RESET保持低电平复位超时周期
毕竟复位条件被拉高，然后变为高电平。
高电平有效复位输出。 RESET保持高电平复位超时周期
毕竟复位条件被拉高，然后变为低电平。
电源电压（ 5.5V最大值）。
未连接。没有内部连接。
RESET
2
1
5
RESET
3
-
2
-
2
1,3
V
DD
北卡罗来纳州
版权
2006年， EM微电子，马林SA
03/06 - rev.K
1
www.emmicroelectronic.com
EM6353
订购信息
EM6353 B X 2SP3B - 2.9 +
延迟（T
POR
):
B = 200毫秒
A = 25ms的
复位输出类型：
X =低电平/ RES推挽
Y =低电平/ RES漏极开路
Z =高电平有效RES推挽
打包&粘接：
1SP3B = SOT23-3 ， "alpha" ， Tape&Reel 3kpcs
2SP3B = SOT23-3 ， "beta" ， Tape&Reel 3kpcs
的SC5b = SC70-5 ， Tape&Reel 3kpcs
符合RoHS标准：
+ =无铅/绿色模具标准
[空白]
=含铅
复位门限电压（V
TH
):
1.3 = 1.31V
2.6 = 2.63V
1.4 = 1.38V
2.9 = 2.93V
1.6 = 1.57V
3.1 = 3.08V
1.7 = 1.66V
4.4 = 4.40V
1.8 = 1.80V
4.6 = 4.63V
2.2 = 2.20V
注意：
视情况而定（请参阅下面的标准版本的列表） 。订货时请提供完整的零件号。所有
在磁带和卷轴只（ 3000台）件提供。
标准版本（顶部标记）
产品型号
EM6353BX1SP3B-1.3
EM6353BX1SP3B-2.6
EM6353BX1SP3B-2.6+
EM6353BX1SP3B-2.9
EM6353BX1SP3B-2.9+
EM6353BX1SP3B-4.4
EM6353BX1SP3B-4.4+
EM6353BX1SP3B-4.6
EM6353BX1SP3B-4.6+
EM6353BX2SP3B-1.3
EM6353BX2SP3B-1.8
EM6353BX2SP3B-1.8+
EM6353BX2SP3B-2.6
EM6353BX2SP3B-2.6+
EM6353BX2SP3B-2.9
EM6353BX2SP3B-2.9+
EM6353BX2SP3B-3.1
EM6353BX2SP3B-3.1+
EM6353BX2SP3B-4.4
EM6353BX2SP3B-4.4+
EM6353BX2SP3B-4.6
EM6353BX2SP3B-4.6+
EM6353BXSC5B-1.3
EM6353BXSC5B-1.8
EM6353BXSC5B-2.6
EM6353BXSC5B-2.6+
EM6353BXSC5B-2.9
EM6353BXSC5B-3.1
1)
顶部标记
顶部
1)
2)
记号
与4
字符
ALBA
ALBG
BLBG
ALBH
C1##
BLBH
ALBK
C2##
BLBK
ALBL
BLBL
ALWA
ALWE
BLWE
AW ##
ALWG
BW ##
BLWG
AR ##
ALWH
BR ##
BLWH
PC ##
ALWJ
C5##
BLWJ
ALWK
C8##
BLWK
ALWL
BLWL
ALWA
ALWE
AW ##
ALWG
BW ##
BLWG
AR ##
ALWH
PC ##
ALWJ
产品型号
EM6353BXSC5B-3.1
EM6353BXSC5B-4.6
EM6353BY1SP3B-2.2
EM6353BY1SP3B-2.6
EM6353BY1SP3B-2.9
EM6353BY1SP3B-2.9+
EM6353BY1SP3B-3.1
EM6353BY1SP3B-4.4
EM6353BY1SP3B-4.6
EM6353BY2SP3B-2.6
EM6353BY2SP3B-2.6+
EM6353BY2SP3B-2.9
EM6353BY2SP3B-2.9+
EM6353BY2SP3B-3.1
EM6353BY2SP3B-3.1+
EM6353BY2SP3B-4.4
EM6353BY2SP3B-4.6
EM6353BY2SP3B-4.6+
EM6353BYSC5B-2.9
EM6353BYSC5B-2.9+
EM6353BYSC5B-4.4
EM6353BZ2SP3B-2.9
EM6353BZ2SP3B-2.9+
EM6353BZ2SP3B-3.1
EM6353BZ2SP3B-3.1+
EM6353BZ2SP3B-4.6
EM6353BZ2SP3B-4.6+
顶部标记
顶部
1)
2)
记号
与4
字符
C5##
BLWJ
ALWL
ALBS
ALBT
AS ##
ALBU
BS ##
BLBU
ALBV
ALBW
ALBx
ALWT
C9##
BLWT
ALWU
C7##
BLWU
ALWV
BLWV
ALWW
ALWX
BLWX
ALWU
C7##
BLWU
ALWW
AV ##
ALW6
BV ##
BLW6
ALW7
BLW7
ALW9
CB ##
BLW9
顶部标志是从2006年开始无底标存在的标准。其中##是指批号（ EM内部
仅供参考）
2)
用4个字顶标为标准，从2003年对于无铅/绿霉病（ RoHS）的部分，上面的第一个字母
用4个字标记开头字母“B”代替字母“A” 。底部标志指示批号。
版权
2006年， EM微电子，马林SA
03/06 - rev.K
2
www.emmicroelectronic.com
EM6353
标准版本（样本）
产品型号
EM6353BX1SP3B-2.6+
EM6353BX1SP3B-2.9+
EM6353BX1SP3B-4.4+
EM6353BX1SP3B-4.6+
EM6353BX2SP3B-1.8+
EM6353BX2SP3B-2.6+
EM6353BX2SP3B-2.9+
EM6353BX2SP3B-3.1+
EM6353BX2SP3B-4.4+
EM6353BX2SP3B-4.6+
产品型号
EM6353BXSC5B-2.9
EM6353BXSC5B-3.1
EM6353BY1SP3B-2.9+
EM6353BY2SP3B-2.9+
EM6353BY2SP3B-3.1+
EM6353BY2SP3B-4.6+
EM6353BYSC5B-2.9+
EM6353BZ2SP3B-2.9+
EM6353BZ2SP3B-3.1+
EM6353BZ2SP3B-4.6
样本股普遍举行
标准版本
只。非标准版本有30,000件最小订单
量。对于这里没有显示其他的版本和非标版本的可用性，请联系工厂。
绝对最大额定值
参数
电压V
DD
到GND
在任何信号引脚的最小电压
在任何信号引脚的最大电压
办理程序
符号
V
DD
V
民
V
最大
V
ESD
T
最大
T
英镑
条件
-0.3V至+ 6V
GND - 0.3V
V
DD
+ 0.3V
2000V
250℃ X 10秒
-65 ° C至+ 150°C
静电放电最大。对
MIL -STD- 883C方法3015.7
与参考。到V
SS
马克斯。焊接条件
存储温度范围
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，防静电
必须采取预防措施作为任何其它的CMOS
组件。除非另外指明，正确的操作
当所有的端电压保持在只能发生
的电压范围。未使用的输入必须始终绑
一个定义的逻辑电压电平。
工作条件
参数
电源电压（注1 ）
工作温度
符号最小值最大值单位
V
DD
0.8 5.5
V
T
A
-40 +125 °C
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件
可靠性或导致故障。
电气特性
除非另有规定： V
DD
= 0.8V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
参数
符号
条件
V
DD
=1.5V
电源电流（注2 ）
I
DD
V
DD
=3.3V
V
DD
=5.0V
阈值电压
（注3）
V
TH
EM6353 - 1.3
+25°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
3
民
-
-
-
-
-
-
1.290
1.245
1.221
1.359
1.311
1.286
1.546
1.492
1.463
1.635
1.577
1.547
1.773
1.710
1.678
2.167
2.090
2.050
2.591
2.499
典型值
2.3
2.9
3.4
1.31
最大
4.6
7
5.5
8.3
6.3
9.6
1.330
1.382
1.387
1.401
1.456
1.461
1.594
1.656
1.663
1.685
1.751
1.758
1.827
1.899
1.906
2.233
2.321
2.330
2.669
2.775
单位
A
V
EM6353 - 1.4
1.38
EM6353 - 1.6
1.57
EM6353 - 1.7
1.66
EM6353 - 1.8
1.80
EM6353 - 2.2
EM6353 - 2.6
版权
2006年， EM微电子，马林SA
03/06 - rev.K
2.20
2.63
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EM6353
EM6353 - 2.9
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
2.451
2.886
2.784
2.731
3.034
2.926
2.871
4.334
4.180
4.101
4.561
4.399
4.315
-
2.93
2.785
2.974
3.091
3.103
3.126
3.249
3.262
4.466
4.642
4.660
4.699
4.885
4.903
-
V
EM6353 - 3.1
3.08
EM6353 - 4.4
4.40
EM6353 - 4.6
阈值迟滞
V
HYS
4.63
2.1%
V
TH
T
A
=+25°C
注1 ：
注3 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
V
DD
分= 0.9V的高电平有效版本（ EM6353_Z ） 。
阈值电压被指定为V
DD
坠落。
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4
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EM6353
电气特性
参数
复位超时周期
传播延迟时间
V
DD
to
RESET
（ RESET ）延迟
漏极开路复位输出
电压
（续）
除非另有规定： V
DD
= 0.8V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
符号
t
POR
t
P
条件
V
DD
从0V到V
TH （典型值）
+15%
（注2和4）。牛逼
A
= +25°C
EM6353B
EM6353A
民
155
19.4
2
-
-
-
-
-
-
0.8
2
4
-
典型值
200
25
130
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
224
28
255
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.35
-
-
-
0.5
单位
ms
V
DD
从V下降
TH （典型值）
+ 0.2V至V
TH （典型值）
-0.2V
（注2 ） 。牛逼
A
= +25°C
V
DD
>1V
I
OL
=100
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OL
=100
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OH
=-30
A
I
OH
=-1.5mA
I
OH
=-3mA
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
s
V
OL
V
V
OL
推挽复位/
RESET
输出电压
V
OH
输出漏电流
I
泄漏
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
只为EM6353_Y （漏极开路）
A
注1 ：
注2 ：
注4 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
V
DD
分= 0.9V的高电平有效版本（ EM6353_Z ） 。
RESET
（ RESET ）开放。
标准版EM6353B （T
POR
= 200毫秒） ，可在任何时候。 EM6353A （T
POR
= 25毫秒），可通过掩膜选项，并在
最小起订量。请联系EM销售。
时序波形
t
SEN
V
DD
V
TH
OVERDRIVE
V
HYS
0.8V
t
逻辑"1"
RESET
逻辑"0"
t
逻辑"1"
t
POR
t
P
RESET
RESET
逻辑"0"
t
注6 ：
t
SEN
=最大瞬态持续时间。请参考图见下页。
注7 ：
高速模式= V
TH-
-V
DD
。请参考图见下页。
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5
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QQ：2880707522 复制
