R
EM微电子 -
MARIN SA
EM6124
数字可编程8到25多元
LCD控制器驱动&
描述
该EM6124是一款低功耗的CMOS LCD控制器和
驱动程序。 8 ， 16 ， 20和24路复用的数字
由命令字节编程。一个额外的行
可以为图标添加或通过编程倒置视频
9 ， 17 ， 21或25路复用。显示器刷新是
通过一个片上处理由一个内部RC振荡器
可选择25× 116 RAM中保持该液晶显示内容
由驱动器驱动。 LCD像素（或段）的
寻址在一对一的基础与25× 116位
RAM（一组位对应于一个激活的LCD像素） 。
的EM6124具有非常低的动态电流消耗，
通常为70 μA在V
DD
= 2 V, V
液晶显示
= 7 V使其
便携式电池供电的特别有吸引力的
产品。对电源电压的宽工作范围
和温度提供了很多应用的灵活性。该
LCD电压，偏置生成和帧频都是
在芯片上产生的。该时钟信号可以被用来移
及到数据锁存进RAM中。
应用
移动电话（ GSM ， DECT ）
智能卡
车载显示器
便携式，电池供电产品
天平和台秤，电表
特点
修身的IC芯片上的电路板，与金凸块的芯片开 -
玻璃上芯片的Flex技术
很简单的2线接口
数字可编程复用率：
8 x 113, 9 x 112, 16 x 105, 17 x 104, 20 x 101, 21 x 100,
24 x 97, 25 x 96
没有丢失的焊盘而行驱动器从8到25
芯片：电压倍增器，V
液晶显示
多达7 V（ 3至6 V在
25℃） ， 64 V
液晶显示
数字编程步骤， 4 V
液晶显示
温度补偿系数，产生偏置，V
ON
/ V
关闭
代，帧频，显示刷新的RAM
不占线状态
在投入高噪声抗扰度
无需外部元件，除V
液晶显示
电容
数字式倒车行数据
数字式倒车列数据
反相数据功能
空白功能
设置功能
检查和倒查功能
睡眠模式
LCD低工作电流消耗
宽V
DD
工作电压范围，以2至5V
宽温度范围： -40 + 85°C
RAM中的数据通过显示数据直接显示
内存
（级联集成电路，请参阅图19和EM联系
微电子 - 马林S.A. ）
典型工作配置
垫分配
修身单芯片
图。 1
（以
联系
动力
耗材方面，请参见
图。 20 ）
图。 2
版权
2004年， EM微电子，马林SA
1
www.emmicroelectronic.com
R
EM6124
绝对最大额定值
参数
符号
电源电压范围
V
DD1,2
供应高电压范围
V
HV
内部产生的V
液晶显示
V
液晶显示
电压DI ， DO ， CLK ， FR ，
V
逻辑
水库
电压S1到S121
存储温度范围
静电放电最大。对
MIL -STD- 883C方法3015.7
与参考。到V
SS
最大的焊接条件
V
DISP
T
申通快递
V
SMAX
T
SMAX
条件
-0.3V至6V
-0.3V至6V
7V
-0.3V到
V
DD
+0.3V
-0.3V到
V
液晶显示
+0.3V
-65到+ 150°C
1000V
250℃ X 10秒
办理程序
该器件还内置了防静电高
电压或电场;但是，防静电措施
必须注意对于任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生时
所有的端子电压被保持的电压范围内。
未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑
电压电平。
工作条件
参数
符号最小值
操作
T
A
-40
温度
逻辑电源电压V
DD1,2
2
供应高压
V
HV
2.5
典型值
最大单位
+85 °C
5.5
5.5
V
V
3
3
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏该设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件的可靠性
或导致故障。
电气特性
V
DD1
= V
DD2
= 3V, V
HV
= 2.5 5V和T
A
= -40+ 85 ℃，除非另有说明
参数
符号
测试条件
分钟。
待机电源电流
I
DD
见注1
待机电源电流
I
HV
见注1 ，V
液晶显示
步骤30 （六）
动态电源电流
I
DD
见注2
待机电源电流
I
HV
见注3 ，V
液晶显示
步骤00 （六）
休眠模式下电源电流I
DD
休眠模式下电源电流I
HV
控制信号的DI ，CLK
FR ， RES1 ， RES2
输入漏
I
IN
V
DD1,2
或V
SS
-1
输入电容
C
IN
在T
A
= 25°C
低电平输入电压
V
IL
0
高电平输入电压
V
IH
0.7 V
DD1,2
直流输出分量
-Vdc
见表4
V
液晶显示
（内部产生）
V
液晶显示
见注4
V
液晶显示
V
液晶显示
见注5
V
液晶显示
步
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
典型值。
16
65
57
35
0.1
0.1
马克斯。
22
170
75
140
单位
A
A
A
A
A
A
1
8
0.3 V
DD1,2
V
DD1,2
100
30
6.15
3.15-7.09
62.5
A
pF
V
V
mV
V
mV
表3
所有输出开路， DI和CLK在V
SS
，复用比为24 ，方格图案。
所有输出打开， DI在V
SS
, f
CLK
= 1 MHz时， MUX比= 24 ，方格图案。
DI和CLK在V
SS
，方格图案， MUX比= 8 。
初始化位18到23 = 11万和初始化位10 ， 11 = 00 ;激光微调的要求。
初始化位18到23 = 000000/111111 。
直流输出分量
产量
行驱动器
列驱动器
FRAME
n
n+1
n
n+1
逻辑数据
0L
0L
0L
0L
测量*
V
液晶显示
- V
2
V
4
- V
SS
V
液晶显示
- V
2
V
3
- V
SS
保证
V
1
= 0.83 x垂直
液晶显示
= 100 mV的
V
2
= 0.66 x垂直
液晶显示
= 100 mV的
V
3
= 0.34 x垂直
液晶显示
= 100 mV的
V
4
= 0.17 x垂直
液晶显示
= 100 mV的
表4
*V
x
=
V
x
（负载= + 1μA ） + V
x
（负载= -1μA ）
2
， MUX 24或25编程， VLCD = 6V ， TA = 25℃
对于复用率= 25.所有复用率进行测试
≠
25通过设计保证。如果复用率
≠
25 ，测试将
根据要求进行。
版权
2004年， EM微电子，马林SA
2
www.emmicroelectronic.com
R
EM6124
时序特性
V
DD1
= V
DD2
= 2 3V ，V
HV
= 2.5 5V和T
A
= -40+ 85°C
参数
符号
测试条件
时钟高电平脉冲宽度
t
CH
时钟低脉冲宽度
t
CL
时钟周期
t
每
RESET1脉冲宽度
RESET2脉冲宽度
时钟和FR的上升时间
时钟和射频下降时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
FR （内部帧频率）
t
RES1
t
RES2
t
CR
t
CF
t
DS
t
DH
f
FR
（注1 ）
分钟。
70
110
550
10
130
200
200
20
260
75
典型值。
马克斯。
单位
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
Hz
表5A
注1 ：
EM6124 （正） ，FR = n倍所希望的液晶显示刷新速率，其中n是EM6124多路复用模式数;
激光微调的要求
参见图。 17.01和17.02的有关帧频率的详细信息
V
DD1
= V
DD2
= 3 5V ，V
HV
= 2.5 5V和T
A
= -40+ 85°C
参数
符号
测试条件
时钟高电平脉冲宽度
t
CH
时钟低脉冲宽度
t
CL
时钟周期
t
每
RESET1脉冲宽度
RESET2脉冲宽度
时钟和FR的上升时间
时钟和射频下降时间
数据输入建立时间
数据输入保持时间
FR （内部帧频率）
t
RES1
t
RES2
t
CR
t
CF
t
DS
t
DH
f
FR
（注1 ）
分钟。
50
55
350
10
80
典型值。
马克斯。
单位
ns
ns
ns
s
ns
200
200
20
140
75
ns
ns
ns
ns
Hz
表5B
注1 ：
EM6124 （正） ，FR = n倍所希望的液晶显示刷新速率，其中n是EM6124多路复用模式数;
激光微调的要求
时序波形
图。 3
版权
2004年， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
R
EM6124
1位接口说明
这1位接口使用起来非常简单。有三
模式将数据加载到EM6124 。
命令字节的只读模式
用于验证此模式中， 8位必须与第3位被移位到
第7位设置为1升。此模式是用于空白，集合或睡眠
模式功能。
命令字节和初始化模式
为了验证这种模式下， 32位必须位0被转移
和1位设置为1升。第2位（休眠）可有效或无效。
位3 位7（ RAM地址）可以是任何状态，但它是
重要的是，它们并不全都同时设置为1L，
否则芯片将在命令字节唯一方式。
命令字节和显示信息的方式
为了验证这种模式下， 128位必须移位，八个第一
位是命令字节，所有其它的是RAM的数据
视的山坳位模式和复用率。有
还X比特不允许每一装载关心视
该芯片的编程（参见图4详细介绍） 。
在每个RAM的数据加载，命令字节必须是
引入的RAM地址。在加载任何数据
入RAM芯片必须被初始化。
命令字节
0
空白
1
SET
命令位0到7
2
3
4
5
6
睡觉
RAM地址
7
表6
Cmdbit 0 ：
空白位强制所有列输出关闭。
Cmdbit 1 ：
置位力上的所有列输出。
注：如果第0位和第1位既1L ，该芯片将在
初始化模式。请参阅下面的言论。
Cmdbit 2 ：
睡眠模式位，停止升压器和
内部振荡器，有效位山坳强制所有输出到V
SS
.
Cmdbits 3-7 ：
RAM的地址位。见表6 。
如果Cmdbits 3-7被设置为1L， EM6124是在cmd中字节的唯一方式。
Init.bit 8-9 ：
复用模式位。的复用率，选择由
这两位。表8示出了相应的值。
Init.bit 10-11 ：
V
液晶显示
温度系数选择由这些
两个位。表11示出了相应的值。
Init.bit 12 ：
检查位给了强制所有输出的可能性
在检查形式段（参见图10和图18.14 ） 。
Init.bit 13 ：
逆检查位给强制所有的可能性
在逆输出段检查表（参照图10和图
18.15).
Init.bit 14 ：
山口位配置的行和列的EM6124
驱动程序或列驱动器只。在这种模式下，帧频率
必须是外部的。
Init.bit 15 ：
行反转，可能要反的顺序
行输出（参照表10和图18.12 ） 。
Init.bit 16 ：
M / LSB ，可能逆顺序进行加载
RAM中的数据（参见图4）。
Init.bit 17 ：
视频位，可能逆的内容
内存。所有0L传递到1L和所有的1L传递给0L （见图
18.11).
Init.bit 18-23 ：
V
液晶显示
64步programmation位。参见图。 8 。
位18（步骤1）为MSB和位为23时（步骤6）的LSB 。
Init.bit 24 ：
图标位添加了一行多到选定的MUX模式
比图标段输出。
Init.bit 25 ：
睡眠2.将所有输出在V
SS
.
Init.bit 26-30 ：
必须设置好的来0L 。
Init.bit 31 ：
Fr_ext给供应框架EM6124的可能性
外部。如果Fr_ext = 1L则FR输入引脚和用户必须
供给信号帧。如果Fr_ext = 0L然后FR输出引脚上，
信号帧由内部产生。 （ Init.bit
14:
有优先权）
RESET 1
电：
后面必须跟一个复位周期。后
复位1脉冲的LCD控制器驱动器被设置为
以下状态：
- 在V所有输出
SS
- 空白和放大器;设置（ cmdbits 0,1） = 0L
- 睡眠模式（ cmdbit 2 ） = 0L
- RAM地址（ cmdbits 3-7 ） = 0L
- 复用率（ init.bits 8,9） = 0L
- 温度系数（ init.bits 10,11） = 0L
- 检查和放大器; Inv.Checker （ init.bits 12 ，13） = 0L
- 上校模式（ init.bit 14 ） = 1L
- INV 。行（ init.bit 15 ） = 0L
- M / LSB （ init.bit 16 ） = 1L
- 视频（ init.bit 17 ） = 1L
- V
液晶显示
步骤（ init.bits 18 23 ） = 0L
- 图标（ init.bit 24 ） = 0L
- 睡眠2 （ init.bit 25 ） = 1L
- RAM中的内容保持不变
- 框架内部产生（ init.bit 31 ） = 0L
初始化位
8
9
MUX模式
初始化位8到15
10
11
12
13
14
15
TEMP 。 COEFF 。
检查INV 。
山口Inv.Row
检查
初始化位16至23
18
19
20
21
22
23
步骤1步骤2步骤3步骤4步骤5步骤6
初始化24位到第31
26
27
28
29
30
31
测试6测试5测试4测试3测试2 Fr_ext
表7
16
M / LSB
24
图标
17
视频
25
睡眠2
复位后的初始化应该发生（32位
发送）。
引脚分配
名字
S1..S121
FR
DI
DO
CLK
功能
LCD输出，见图4
对于LCD驱动器输出交流电的I / O信号
串行数据输入
串行数据输出
数据时钟输入
8
0
0
1
1
复用率（初始化。位8 ， 9 ）
9
MUX模式
0
8
1
16
0
20
1
24
表8
RES1
RES2
V
液晶显示
V
DD1
V
DD2
V
HV
V
SS
一般复位
复位串行接口计数器
内部产生的电压输出
电源逻辑
电源的类比
电源高压
供应GND
表9
版权
2004年， EM微电子，马林SA
4
www.emmicroelectronic.com
R
EM6124
数据传输周期
图。 4
版权
2004年， EM微电子，马林SA
5
www.emmicroelectronic.com
QQ：2880707522 复制
