512Kx8 LP SRAM EM6112K800V系列
概述
该EM6112K800V是组织为4,194,304位低功耗CMOS静态随机存取存储器
524,288字由8位。它是用非常高的性能，高可靠性的CMOS技术制成的。
其待机电流的工作温度范围内稳定。
该EM6112K800V是精心设计的低功耗应用，特别适合好电池
备份非易失性存储器应用。
该EM6112K800V工作于2.7V 3.6V单电源供电，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间：45 /55 / 70ns的
低功耗：
工作电流：
三十分之四十〇 / 20毫安（ TYP 。 ）
待机电流： -L / -LL版本
20 / 2μA （ TYP 。 ）
单2.7V 3.6V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
包装：
32引脚450密耳SOP
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
36球的6mm x 8毫米TFBGA
功能框图
VCC
VSS
A0-A18
解码器
512Kx8
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
I / O数据
curcuit
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
控制
电路
引脚说明
符号
A0 - A18
DQ0 - DQ7
CE＃
WE＃
OE ＃
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
1
DCC-SR-041005-A
512Kx8 LP SRAM EM6112K800V系列
引脚配置
SOP
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
TSOP -I / STSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A11
A9
A8
A13
WE＃
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
2
DCC-SR-041005-A
512Kx8 LP SRAM EM6112K800V系列
TFBGA
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
DQ4
DQ5
VSS
VCC
DQ6
DQ7
A9
1
A1
A2
NC
WE＃
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
DQ0
DQ1
VCC
VSS
DQ2
DQ3
A14
6
OE ＃
A10
2
A17
CE＃
A11
3
A18
A16
A12
4
A15
A13
5
3
DCC-SR-041005-A
512Kx8 LP SRAM EM6112K800V系列
绝对最高可额定值*
参数
相对于VSS端电压
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
等级
-0.5到4.6
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
260
°C
W
mA
°C
°C
单位
V
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备或高于任何其他条件的业务部门所标明的功能操作
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
CE＃
H
L
L
L
OE ＃
X
H
L
X
WE＃
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
注： H = VIH ， L = VIL ，X =无关。
DC电气特性
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
输出高
电压
输出低
电压
平均开工
电源
当前
符号
VCC
V
IH
*1
V
IL
*2
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC
I
CC1
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB1
测试条件
分钟。
2.7
2.0
-0.2
-1
-1
2.2
-
-45
-55
-70
-
-
-
-
-
-
典型值。
*5
3.0
-
-
-
-
2.7
-
40
30
20
4
0.3
20
2
马克斯。
3.6
VCC +
0.3
0.6
+1
1
-
0.4
50
40
30
5
0.5
80
15
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
VCC
≧
V
IN
≧
VSS
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
输出禁用
I
OH
= -1mA
I
OL
= 2毫安
周期时间=最小。
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
周期时间= 1μs的时间
CE＃
≦
0.2V和我
I / O
= 0毫安
其他引脚在0.2V或V
CC
-0.2V
CE＃ = V
IH
CE＃ V
≧
V
CC
- 0.2V
-L
-LL
注意事项：
1. VIH （最大值） = VCC + 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. VIL （分钟） = VSS - 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4. 10μA的特殊要求
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值计量在VCC = VCC （ TYP。）和TA = 25℃
4
DCC-SR-041005-A
512Kx8 LP SRAM EM6112K800V系列
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -1mA / 2毫安
AC电气特性
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
-45
分钟。马克斯。
45
-
-
45
-
45
-
25
10
-
5
-
-
15
-
15
10
-
-55
分钟。马克斯。
55
-
-
55
-
55
-
30
10
-
5
-
-
20
-
20
10
-
70
分钟。马克斯。
70
-
-
70
-
70
-
35
10
-
5
-
-
25
-
25
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
wr
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
-45
分钟。马克斯。
45
-
40
-
40
-
0
-
35
-
0
-
20
-
0
-
5
-
-
15
-55
分钟。马克斯。
55
-
50
-
50
-
0
-
45
-
0
-
25
-
0
-
5
-
-
20
70
分钟。马克斯。
70
-
60
-
60
-
0
-
55
-
0
-
30
-
0
-
5
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
5
DCC-SR-041005-A
QQ：2880707522 复制
