EtronTech
特点
2.3V的单电源电压为3.6V
使用CE1 ＃和CE2关机功能
低功耗
数据保持电源电压： 1.0V至3.6V
所有输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围： -40 ° C至85°C
待机电流@ VDD = 3.6 V
I
DDS2
典型
EM564161BA/BC-70/85
EM564161BA-70E/85E
1
A
5
A
最大
10
A
80
A
E
VDD
DQ12
NC
A16
D
GND
DQ11
A17
A7
A
EM564161
256K ×16低功耗SRAM
初步的，版本2.6
引脚配置
48球BGA （ CSP ） ，顶视图
1
2
3
4
5
6
10/2000
磅＃
OE ＃
A0
A1
A2
CE2
B
DQ8
UB ＃
A3
A4
CE1#
DQ0
C
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
DQ4
GND
订购信息
产品型号
EM564161BC-70
EM564161BA-70
EM564161BA-70E
EM564161BC-85
EM564161BA-85
EM564161BA-85E
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
速度
70纳秒
70纳秒
70纳秒
85纳秒
85纳秒
85纳秒
I
DDS2
10
A
10
A
80
A
10
A
10
A
80
A
包
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
G
DQ15
NC
A12
A13
宽E ＃
DQ7
H
NC
A8
A9
A10
A11
NC
引脚说明
符号
A0 - A17
DQ0 - DQ15
＃ CE1 ， CE2
OE ＃
WE＃
LB ＃ ， UB ＃
GND
V
DD
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
数据字节控制输入
地
电源
无连接
概观
该EM564161是由16位组织为262,144字4,194,304位SRAM 。它的设计与先进的
CMOS技术。该器件采用单2.3V至3.6V电源供电。先进的电路
技术提供了高速和低功耗。它会自动放置在低功耗模式下，当芯片
使能（ CE1 ＃ ）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。有三个控制输入。 ＃ CE1和CE2是
用于选择的装置和用于数据保持控制，并输出使能（OE ＃ ）提供了快速存储器的访问。
数据字节控制引脚（ LB ＃ ， UB ＃ ）提供了下限和上限字节访问。该装置很适合于各种
微处理器系统的应用中高速，低功率和备用电池是必需的。并且，用
保证工作范围为-40 ° C至85° C时， EM564161可以在展示环境中使用
极端的温度条件。
钰创科技有限公司
6号，科技路。五，科学工业园区，台湾新竹30077 ， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345
传真： （ 886 ） -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
EtronTech
经营模式
模式
CE1#
CE2
OE ＃
WE＃
磅＃
L
读
L
H
L
H
H
L
L
写
L
H
X
L
H
L
L
输出取消
L
H
待机
X
L
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
H
X
H
X
高-Z
高-Z
H
H
H
X
UB ＃
L
L
H
L
L
H
X
高-Z
高-Z
DQ0~DQ7
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
DQ8~DQ15
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
高-Z
EM564161
注： X =不在乎。 H =逻辑高电平。 L =逻辑低。
绝对最大额定值
电源电压（VDD）
输入电压VIN
输入和输出电压， VI / O
工作温度， TOPR
储存温度， TSTRG
焊接温度（ 10秒） ， TSOLDER
功耗PD
-0.3 + 4.6V
-0.3 + 4.6V
-0.5 VDD
+0.5V
-40至+ 85°C
-55到+ 150°C
260°C
0.6 W
DC推荐工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ）
符号
VDD
VIH
VIL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
2.3
2.2
-0.3
(2)
典型值
最大
3.6
VDD + 0.3
0.6
3.6
(1)
单位
V
V
V
V
VDR
数据保持电源电压
注意：
（ 1 ）过冲： VDD + 2.0V的情况下，脉冲宽度
≤
20ns
（2）下冲： -2.0V的情况下，脉冲宽度的
≤
20ns
1.0
初步
3
修订版2.6
2000年10月
EtronTech
DC特性（Ta = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.3V至3.6V ）
参数
输入低电平电流
输出低
电压
输出高
电压
符号
IIL
VOL
VOH
IIN = 0V至VDD
IOL = 2.1毫安
IOH = -1.0毫安
VDD = 3.6 V
CE1 ＃ = VIL和
IDD1
工作电流
CE2 = VIH和
IOUT = 0毫安
其他输入= VIH / VIL
IDD2
IDDS1
待机电流
IDDS2
**
（注）
CE1 ＃ = VIH或CE2 = VIL
CE1 ＃ = VDD - 0.2V或
CE2 ≤ 0.2V
VDD = 3.6 V
-70/85
VDD = 2.7 V
VDD = 2.3 V
VDD = 3.6 V
周期时间= 1μs的时间
周期
=分钟
VDD = 2.7 V
VDD = 2.3 V
测试条件
民
-1
-
VDD -
0.15
EM564161
典型*
15
10
7
1
0.8
0.5
5
最大单位
1
0.4
25
15
mA
12
5
0.5
10
5
3
80
A
mA
A
V
V
-70E/85E
注意事项：
*典型值是在T测
a
= 25°C.
**在待机模式下， CE1 ＃
≥
VDD - 0.2V ，这些限制可以放心的条件
CE2
≥
V
DD
- 0.2V或CE2
≤
0.2V.
电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）
参数
输入电容
输出电容
符号
CIN
民
典型值
最大
10
单位
pF
测试条件
VIN = GND
COUT
10
pF
VOUT = GND
注意事项：
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
初步
4
修订版2.6
2000年10月
EtronTech
读周期
EM564161
交流特性和工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.3V至3.6V ）
EM564161
符号
TRC
TAA
tCO1
tCO2
TOE
TBA
TLZ
TOLZ
tBLZ
太赫兹
tOHZ
tBHZ
TOH
写周期
EM564161
符号
TWC
TWP
TCW
TBW
TAS
tWR的
tWHZ
拖车
TDS
TDH
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据字节的控制来写结束
地址建立时间
写恢复时间
WE＃低到输出的高阻
WE＃高到输出中低Z
数据建立时间
数据保持时间
参数
-85
35
-70
30
ns
单位
最小值最大值最小值最大值
85
55
70
70
0
0
5
35
0
70
55
60
60
0
0
5
30
0
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE1 ＃ ）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出启用访问时间
数据字节的控制访问时间
芯片使能低-Z低到输出
输出使能低-Z低到输出
数据字节控制低到输出低-Z
芯片使能高到输出的高阻
输出使能高到输出的高阻
数据字节控制高到输出的高阻
输出数据保持时间
参数
-85
85
85
85
45
45
35
35
35
-70
70
70
70
35
35
25
25
25
ns
单位
最小值最大值最小值最大值
85
10
3
5
10
70
10
3
5
10
AC测试条件
输出负载： 50pF的+ 1 TTL门
输入脉冲电平： 0.4V ， 2.4V
定时测量： 0.5× V
DD
TR ， TF：为5ns
初步
5
修订版2.6
2000年10月
EtronTech
特点
2.3V的单电源电压为3.6V
使用CE1 ＃和CE2关机功能
低功耗
数据保持电源电压： 1.0V至3.6V
所有输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围： -40 ° C至85°C
待机电流@ VDD = 3.6 V
IDDS2
典型
EM564161BC -55
EM564161BC / BA -70/85
EM564161BC -55E
EM564161BC / BA -70E / 85E
1
A
1
A
5
A
5
A
最大
10
A
10
A
80
A
80
A
D
GND
DQ11
A17
A7
EM564161
256K ×16低功耗SRAM
修订版3.1
引脚配置
48球BGA （ CSP ） ，顶视图
1
A
磅＃
2
OE ＃
3
A0
4
A1
5
A2
6
CE2
04/2004
B
DQ8
UB ＃
A3
A4
CE 1 ＃
DQ0
C
DQ9
DQ10
A5
A6
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
E
VDD
DQ12
NC
A16
DQ4
GND
F
DQ14
DQ13
A14
A15
DQ5
DQ6
G
DQ15
NC
A12
A13
WE＃
DQ7
订购信息
产品型号
EM564161BC-55
EM564161BC-55E
EM564161BC-70
EM564161BC-70E
EM564161BA-70
EM564161BA-70E
EM564161BC-85
EM564161BA-85
EM564161BA-85E
H
NC
A8
A9
A10
A11
NC
速度
55纳秒
55纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
85纳秒
85纳秒
85纳秒
I
DDS2
10
A
80
A
10
A
80
A
10
A
80
A
10
A
10
A
80
A
包
6×8 BGA
6×8 BGA
6×8 BGA
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
引脚说明
符号
A0 - A17
DQ0 - DQ15
＃ CE1 ， CE2
OE ＃
WE＃
LB ＃ ， UB ＃
GND
V
DD
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
数据字节控制输入
地
电源
无连接
概观
该EM564161是由16位组织为262,144字4,194,304位SRAM 。它的设计与先进的
CMOS技术。该器件采用单2.3V至3.6V电源供电。先进的电路
技术提供了高速和低功耗。它会自动放置在低功耗模式下，当芯片
使能（ CE1 ＃ ）为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。有三个控制输入。 ＃ CE1和CE2是
用于选择的装置和用于数据保持控制，并输出使能（OE ＃ ）提供了快速存储器的访问。
数据字节控制引脚（ LB ＃ ， UB ＃ ）提供了下限和上限字节访问。该装置很适合于各种
微处理器系统的应用中高速，低功率和备用电池是必需的。并且，用
钰创科技有限公司
6号，科技路。五，科学工业园区，台湾新竹30077 ， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345
传真： （ 886 ） -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
EtronTech
EM564161
保证工作范围为-40 ° C至85° C时， EM564161可以在展示环境中使用
极端的温度条件。
2
修订版3.1
2004年4月
EtronTech
经营模式
模式
CE1#
CE2
OE ＃
WE＃
磅＃
L
读
L
H
L
H
H
L
L
写
L
H
X
L
H
L
L
输出取消
L
H
待机
X
L
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
H
X
H
X
高-Z
高-Z
H
H
H
X
UB ＃
L
L
H
L
L
H
X
高-Z
高-Z
DQ0~DQ7
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
DQ8~DQ15
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
高-Z
EM564161
注： X =不在乎。 H =逻辑高电平。 L =逻辑低。
绝对最大额定值
电源电压（VDD）
输入电压VIN
输入和输出电压， VI / O
工作温度， TOPR
储存温度， TSTRG
焊接温度（ 10秒） ， TSOLDER
功耗PD
-0.3 + 4.6V
-0.3 + 4.6V
-0.5 VDD
+0.5V
-40至+ 85°C
-55到+ 150°C
240°C
0.6 W
DC推荐工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ）
符号
VDD
VIH
VIL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
2.3
2.2
-0.3
(2)
典型值
最大
3.6
VDD + 0.3
0.6
3.6
(1)
单位
V
V
V
V
VDR
数据保持电源电压
注意：
（ 1 ）过冲： VDD + 2.0V的情况下，脉冲宽度
≤
20ns
（2）下冲： -2.0V的情况下，脉冲宽度的
≤
20ns
1.0
4
修订版3.1
2004年4月
EtronTech
DC特性（Ta = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.3V至3.6V ）
参数
输入低电平电流
输出低
电压
输出高
电压
符号
IIL
VOL
VOH
IIN = 0V至VDD
IOL = 2.1毫安
IOH = -1.0毫安
VDD = 3.6 V
VDD = 2.7 V
VDD = 2.3 V
VDD = 3.6 V
70/85
VDD = 2.7 V
VDD = 2.3 V
IDD2
IDDS1
待机电流
IDDS2
**
（注）
CE1 ＃ = VIH或CE2 = VIL
CE1 ＃ = VDD - 0.2V或
CE2 ≤ 0.2V
VDD = 3.6 V
55/70/85
VDD = 2.7 V
VDD = 2.3 V
55E/70E/85
VDD = 3.6 V
E
注意事项：
*典型值是在T测
a
= 25°C.
**在待机模式下， CE1 ＃
≥
VDD - 0.2V ，这些限制可以放心的条件
CE2
≥
V
DD
- 0.2V或CE2
≤
0.2V.
周期时间= 1μs的时间
测试条件
民
-1
-
VDD -
0.15
周期
=分钟
CE1 ＃ = VIL和
IDD1
工作电流
CE2 = VIH和
IOUT = 0毫安
其他输入= VIH / VIL
55
EM564161
*典型值最大值单位
20
13
10
15
10
7
1
0.8
0.5
5
1
0.4
35
25
20
25
15
12
5
0.5
10
5
3
80
A
mA
mA
A
V
V
电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）
参数
输入电容
输出电容
符号
CIN
民
典型值
最大
10
单位
pF
测试条件
VIN = GND
COUT
10
pF
VOUT = GND
注意事项：
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
5
修订版3.1
2004年4月
QQ：2881677436 复制
