EtronTech
特点
2.3V的单电源电压为3.6V
使用CE1 ＃和CE2关机功能
低功耗
数据保持电源电压： 1.0V至3.6V
所有输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围： -40 ° C至85°C
待机电流@ VDD = 3.6 V
I
DDS2
典型
EM564081BA/BC-70/85
EM564081BA/BC-70E/85E
1
A
5
A
最大
10
A
80
A
E
VDD
D
GND
C
DQ5
NC
A5
A
EM564081
512K ×8低功耗SRAM
初步的，版本0.7 01/2001
引脚配置
36球BGA （ CSP ） ，顶视图
1
2
3
4
5
6
A0
A1
CE2
A3
A6
A8
B
DQ4
A2
WE＃
A4
A7
DQ0
DQ1
VDD
GND
F
DQ6
A18
A17
DQ2
订购信息
G
DQ7
产品型号
EM564081BC-70
EM564081BC-70E
EM564081BA-70
EM564081BA-70E
EM564081BC-85
EM564081BC-85E
EM564081BA-85
EM564081BA-85E
速度
70纳秒
70纳秒
70纳秒
70纳秒
85纳秒
85纳秒
85纳秒
85纳秒
I
DDS2
10
A
80
A
10
A
80
A
10
A
80
A
10
A
80
A
包
6×8 BGA
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
6×8 BGA
6×8 BGA
8x10的BGA
8x10的BGA
H
A9
OE ＃
CE1#
A16
A15
DQ3
A10
A11
A12
A13
A14
引脚说明
符号
A0 - A18
DQ0 - DQ7
＃ CE1 ， CE2
OE ＃
WE＃
GND
V
DD
NC
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
地
电源
无连接
概观
的EM564081是由8位， 512K一4194304位的SRAM 。它的设计与先进的CMOS
技术。该器件采用单2.3V至3.6V电源供电。先进的电路技术
同时提供高速和低功耗。它会自动放置在低功耗模式下，当芯片使能（ CE1 ＃ ）
被置为高电平或（ CE2 ）被置为低电平。有三个控制输入。 CE1 ＃ ，CE2分别用于选择
装置和用于数据保持控制，并输出使能（OE ＃ ）提供快速存储器的访问。该装置是
非常适合于各种微处理器系统的应用中的高速，低功耗和电池备份是
所需。并且，有保证的操作范围从-40 ℃至85 ℃时， EM564081可以在使用
环境表现出极端的温度条件。
钰创科技有限公司
6号，科技路。五，科学工业园区，台湾新竹30077 ， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345
传真： （ 886 ） -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
EtronTech
经营模式
模式
读
写
输出取消
待机
X
L
X
X
CE1 CE2 ＃
L
L
L
H
H
H
H
X
OE ＃ WE＃
L
X
H
X
H
L
H
X
高-Z
DQ0~DQ7
DOUT
DIN
高-Z
EM564081
注： X =不在乎。 H =逻辑高电平。 L =逻辑低。
绝对最大额定值
电源电压（VDD）
输入电压VIN
输入和输出电压， VI / O
工作温度， TOPR
储存温度， TSTRG
焊接温度（ 10秒） ， TSOLDER
功耗PD
-0.3 + 4.6V
-0.3 + 4.6V
-0.5 VDD
+0.5V
-40至+ 85°C
-55到+ 150°C
260°C
0.6 W
DC推荐工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ）
符号
VDD
VIH
VIL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
2.3
2.2
-0.3
(2)
典型值
最大
3.6
VDD + 0.3
0.6
3.6
(1)
单位
V
V
V
V
VDR
数据保持电源电压
注意：
（ 1 ）过冲： VDD + 2.0V的情况下，脉冲宽度
≤
20ns
（2）下冲： -2.0V的情况下，脉冲宽度的
≤
20ns
1.0
初步
3
REV 0.7
2001年1月
EtronTech
DC特性（Ta = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.3V至3.6V ）
参数
输入低电平电流
输出低
电压
输出高
电压
符号
IIL
VOL
VOH
IIN = 0V至VDD
IOL = 2.1毫安
IOH = -1.0毫安
VDD = 3.6 V
CE1 ＃ = VIL和
IDD1
工作电流
CE2 = VIH和
IOUT = 0毫安
其他输入= VIH / VIL
IDD2
IDDS1
待机电流
IDDS2
**
（注）
CE1 ＃ = VIH或CE2 = VIL
CE1 ＃ = VDD - 0.2V或
CE2 ≤ 0.2V
VDD = 3.6 V
-70/85
VDD = 2.7 V
VDD = 2.3 V
VDD = 3.6 V
周期时间= 1μs的时间
周期
=分钟
VDD = 2.7 V
VDD = 2.3 V
测试条件
民
-1
-
VDD -
0.15
EM564081
典型*
15
10
7
1
0.8
0.5
5
最大单位
1
0.4
25
15
mA
12
5
0.5
10
5
3
80
A
mA
A
V
V
-70E/85E
注意事项：
*典型值是在T测
a
= 25°C.
**在待机模式下， CE1 ＃
≥
VDD - 0.2V ，这些限制可以放心的条件
CE2
≥
V
DD
- 0.2V或CE2
≤
0.2V.
电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）
参数
输入电容
输出电容
符号
CIN
民
典型值
最大
10
单位
pF
测试条件
VIN = GND
COUT
10
pF
VOUT = GND
注意事项：
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
初步
4
REV 0.7
2001年1月
EtronTech
读周期
EM564081
交流特性和工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.3V至3.6V ）
EM564081
符号
TRC
TAA
tCO1
tCO2
TOE
TLZ
TOLZ
太赫兹
tOHZ
TOH
写周期
EM564081
符号
TWC
TWP
TCW
TAS
tWR的
tWHZ
拖车
TDS
TDH
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
写恢复时间
WE＃低到输出的高阻
WE＃高到输出中低Z
数据建立时间
数据保持时间
参数
-85
35
-70
30
ns
单位
最小值最大值最小值最大值
85
55
70
0
0
5
35
0
70
55
60
0
0
5
30
0
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE1 ＃ ）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出启用访问时间
芯片使能低-Z低到输出
输出使能低-Z低到输出
芯片使能高到输出的高阻
输出使能高到输出的高阻
输出数据保持时间
参数
-85
85
85
85
45
35
35
-70
70
70
70
35
25
25
ns
单位
最小值最大值最小值最大值
85
10
3
10
70
10
3
10
AC测试条件
输出负载： 50pF的+ 1 TTL门
输入脉冲电平： 0.4V ， 2.4V
定时测量： 0.5× V
DD
TR ， TF：为5ns
初步
5
REV 0.7
2001年1月
QQ：2881677436 复制
