EtronTech
特点
2.7V的单电源电压为3.6V
使用CE1 ＃和CE2关机功能
低工作电流： （最大为70纳秒） 25毫安
最大待机电流： 10
A
在3.6 V
数据保持电源电压： 1.5V至3.6V
所有输入和输出直接TTL兼容
宽工作温度范围： -40 ° C至85°C
封装形式： 36球TFBGA封装， 6x8mm
EM562081
256K ×8低功耗SRAM
初步的，版本1.0 7/2001
置为低电平。有三个控制输入。 CE1 ＃和
CE2分别用于选择设备和数据保留
控制和输出使能（ OE ＃ ）提供了快速记忆
访问。数据字节控制引脚（ LB ＃ ， UB ＃ ）为低
和高位字节访问。该装置非常适合于
各种微处理器系统应用中高
速度快，低功耗和备用电池是必需的。而且，
以保证工作范围为-40 ° C至85°C ，
的EM562081可以在显示环境中使用
极端的温度条件。
引脚分配
订购信息
产品型号
EM562081BC-70
EM562081BC-85
速度
70纳秒
85纳秒
I
DDS2
10
A
10
A
包
6×8 BGA
6×8 BGA
1. 36球BGA （ CSP ） ，顶视图
1
2
3
4
5
6
A
A0
A1
CE 2
A3
A6
A8
引脚名称
符号
A0 - A17
DQ0-DQ7
CE1#,CE2
OE ＃
WE＃
GND
VDD
NC
B
DQ 4
A2
WE＃
A4
A7
DQ 0
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
OUTPUT ENABLE
读/写控制输入
地
C
DQ 5
NC
A5
DQ 1
D
摹ND
V DD
E
V DD
摹ND
F
DQ 6
NC
A1 7
DQ 2
G
DQ 7
ê ＃
权证1 ＃
A16
A15
DQ 3
电源
无连接
H
A9
A1 0
A1 1
A12
A13
A14
概观
该EM562081是组织为2,097,152位SRAM
262,144字由8位。它的设计与先进的
CMOS技术。该设备从一个单一的操作
2.7V至3.6V电源供电。先进的电路
技术提供了高速和低功耗。它
自动放置在低功耗模式下，当芯片
使能（ CE1 ＃ ）为高电平或（ CE2 ）是
钰创科技有限公司
6号，科技路。五，科学工业园区，台湾新竹30077 ， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345
传真： （ 886 ） -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
EtronTech
经营模式
模式
读
写
输出取消
待机
X
L
X
X
CE1#
L
L
L
H
CE2
H
H
H
X
OE ＃
L
X
H
X
WE＃
H
L
H
X
EM562081
DQ0~DQ7
DOUT
DIN
高-Z
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
待机
注： X =不在乎。 H =逻辑高电平。 L =逻辑低。
绝对最大额定值
电源电压（VDD）
输入电压VIN
输入和输出电压， VI / O
工作温度， TOPR
储存温度， TSTRG
焊接温度（ 10秒） ， TSOLDER
功耗PD
-0.3 + 4.6V
-0.3 + 4.6V
-0.5 VDD + 0.5V
-40至+ 85°C
-55到+ 150°C
240°C
0.6 W
DC推荐工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ）
符号
VDD
VIH
VIL
VDR
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
数据保持电源电压
民
2.7
2.2
-0.3
(2)
典型值
最大
3.6
VDD + 0.3
0.6
3.6
(1)
单位
V
V
V
V
1.5
注意：
（ 1 ）过冲： VDD + 2.0V的情况下，脉冲宽度
≤
20ns
（2）下冲： -2.0V的情况下，脉冲宽度的
≤
20ns
初步
3
1.0版
2001年7月
EtronTech
DC特性（Ta = -40 ° C至85°C ， VDD = 2.7V至3.6V ）
参数
输入低电平电流
输出低电压
输出高
电压
符号
IIL
VOL
VOH
IDD1
工作电流
IDD2
IDDS1
待机电流
IIN = 0V至VDD
IOL = 2.1毫安
IOH = -1.0毫安
VDD = 3.6 V ， CE1 ＃ = VIL和
CE2 = VIH和IOUT = 0毫安
其他输入= VIH / VIL
CE1 ＃ = VIH或CE2 = VIL
循环时间=分钟
周期时间= 1μs的时间
测试条件
EM562081
民
-1
-
2.2
典型*
10
1
最大单位
1
0.4
25
mA
5
0.5
10
mA
A
A
V
V
IDDS2
**
CE1#
≥
VDD - 0.2V或CE2
≤
0.2V,
（注）
注意事项：
*典型值是在T测
a
= 25 ° C，而不是100 ％测试。
**在待机模式下， CE1 ＃
≥
VDD - 0.2V ，这些限制可以放心的条件
CE2
≥
V
DD
- 0.2V或CE2
≤
0.2V.
电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）
参数
输入电容
输出电容
符号
CIN
民
典型值
最大
10
单位
pF
测试条件
VIN = GND
COUT
10
pF
VOUT = GND
注意事项：
此参数是周期性采样，而不是100％测试。
初步
4
1.0版
2001年7月
EtronTech
读周期
EM562081
交流特性和工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ， V DD = 2.7V至3.6V ）
EM562081
符号
参数
-85
-70
单位
70
70
70
35
25
25
ns
最小值最大值最小值最大值
TRC
TAA
tCO1
tCO2
TOE
TLZ
TOLZ
太赫兹
tOHZ
TOH
写周期
EM562081
符号
参数
-85
-70
单位
30
ns
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE1 ＃ ）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出启用访问时间
芯片使能低-Z低到输出
输出使能低-Z低到输出
芯片使能高到输出的高阻
输出使能高到输出的高阻
输出数据保持时间
85
10
3
10
85
85
85
45
35
35
70
10
3
10
最小值最大值最小值最大值
TWC
TWP
TCW
TAS
tWR的
tWHZ
拖车
TDS
TDH
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
写恢复时间
WE＃低到输出的高阻
WE＃高到输出中低Z
数据建立时间
数据保持时间
85
55
70
0
0
5
35
0
35
70
55
60
0
0
5
30
0
AC测试条件
输出负载： 50pF的+ 1 TTL门
输入脉冲电平： 0.4V ， 2.4V
定时测量： 0.5× V
DD
TR ， TF：为5ns
初步
5
1.0版
2001年7月
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