EM微电子
- MARIN SA
EM5060
低电压CMOS驱动器电路
特点
四低阻输出驱动器为双极性或
单极钟表的步进电机。
较低的横向跳变电流。
超低消耗电流： 0.1 μA在25 ℃。
由两个不同的输出电阻可编程
金属面具。
宽电源电压范围： 1.1 3.5 V.
三态输入应用程序的快速公交车司机。
ESD和闩锁输入，输出保护
垫。
工作原理图
RCH
=200
M
OUT1
VDD
EM5060 V1
VSS
OUT2
OUT3
RCH
=200
M
OUT4
描述
该EM5060 （以前称为H5060 ）是一款低功耗
在HCMOS硅栅工艺的集成电路
设计用于驱动双极性或单极性步进电机。
该器件包含四个相同且独立非
其可以通过金属掩模连接反相电路
programation以便得到两个相同的非反相
电路具有较低电阻的输出。
每个缓冲器由一个特殊的细胞，其dephases从动
磷和氮晶体管信号输入，用于最小化的
横向跳变电流。
三态输入HIZ ，有内部下拉电阻
提供的四个输出端为高阻抗状态。
成为HiZ
IN1
IN2
IN3
IN4
RCH
=200
M
OUT1
VDD
VSS
OUT2
EM5060 V2
应用
手表/时钟应用电机驱动器
公交车司机
LED驱动器
成为HiZ
IN1
IN2
图。 1
引脚分配
PAD
OUT4
OUT3
OUT2
OUT1
V
DD
成为HiZ
IN1
IN2
IN3
IN4
V
SS
功能
输出缓冲器N° 4
输出缓冲器N° 3
输出缓冲器N° 2
输出缓冲器N° 1
正电源电压
三态输入
输入缓冲器N° 1
输入缓冲器N° 2
输入缓冲器N° 3
输入缓冲器N° 4
负电源电压
VDD OUT1 OUT2 OUT3 OUT4
VDD NC OUT1 OUT2 NC
成为HiZ
EM5060
V1
成为HiZ
EM5060
V2
IN1
IN2
IN3
IN4 VSS
NC
IN1 IN2
NC
VSS
图。 2
版权
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1
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EM5060
绝对最大额定值
参数
符号
民
典型值
最大
单位
办理程序
5.5
V
DD
+0.3
+120
V
V
°C
表1
电源电压
电压
剩下的引脚
存储
温度
V
DD
V
针
T
商店
-0.3
V
SS
-0.3
-55
该器件包含电路保护终端
不受损坏，由于高静电压或电
场。但是，它是表示，正常的预防措施是
注意避免应用任何电压高于
最小额定电压至该电路。
工作条件
参数
符号
民
典型值
最大
单位
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。暴露条件
超出规定的电气特性可能影响
设备可靠性或导致故障。
操作
温度
T
OPR
-20
+70
°C
表3
推荐工作条件
参数
符号
价值
单位
环境温度
电机电阻
正电源
负电源
供应源电阻
T
R
ch
V
DD
V
SS
R
I
25
200
1.55
0.0
10
°C
欧
V
V
欧
表2
电气和开关特性
在推荐工作条件（有效，除非另有规定）
参数
电源电压
待机电流
符号
V
DD
条件
操作
IMOT = 0
IN1，IN2 ，IN3 ， IN4
为VDD或VSS
HIZ在VSS或打开
V
DD
= 1.2 V
V
IL
= V
SS
V
IH
= V
DD
总体电压范围
HIZ在V
DD
R
ch
= 200
,V
DD
= 1.2 V
V1版本
V2版本
V
DD
= 1.50 V
V1版本
V2版本
V
DD
=3.0 V
V1版本
V2版本
V
DD
= 1.2V， CL = 30pF的
V
DD
= 1.2V， CL = 30pF的
V
DD
= 1.2V， CL = 30pF的
V
DD
= 1.2V， CL = 30pF的
分钟。
1.1
典型值。
1.55
马克斯。
3.5
100
单位
V
nA
输入
脉冲宽度
t
WL
t
WH
V
IL
V
IH
I
成为HiZ
1
1
V
DD
-0.3
0.5
V
SS
V
DD
2
0.4
5
电压
HIZ输入电流
输出
电机输出电流
ms
ms
V
V
A
I
OUT
±4.3
±4.8
±6.0
±6.4
±13.0
±13.3
±5.0
±6.6
±13.5
5
5
3
3
100
100
100
100
mA
mA
mA
mA
mA
mA
s
s
s
s
表4
时序特性
传播延迟
转换时间
t
PHL
t
PLH
t
THL
t
TLH
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EM5060
时序波形
IN
t
VGP
t
VGN
t
OUT
t
：高阻抗输出
图。 3
框图
V1版本
V2版本
IN1
抗电流
逆变器
OUT1
IN1
抗电流
逆变器
OUT1
IN2
抗电流
逆变器
OUT2
IN2
抗电流
逆变器
OUT2
IN3
抗电流
逆变器
OUT3
IN4
抗电流
逆变器
OUT4
图。 4
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EM5060
功能说明
V
DD
VGP
In
抗电流
VGN
逆变器
OUT
V
SS
图。五
芯片信息
VDD
X = 19 ， Y = 980
VDD
X = 19 ， Y = 98
OUT4
X=1066
成为HiZ
X=0,
Y=508
EM5060 V1
H5060 V1
成为HiZ
X=0,
Y=508
EM5060 V2
H5060 V2
VSS
X = 1082 ，Y = 0的
IN2
X=312
IN3
X=590
IN4
X=837
IN2
X=590
注：在原点（0,0 ）为中心的垫的左下坐标
在芯片的左下角显示的距离
北卡罗来纳州
没有连接
以微米所有尺寸
图。 6
订购信息
EM5060有两个版本可供选择：
VERSION
V1
包含四个输入/输出（输入= IN1 ， IN2 ， IN3 ， IN4 ;产出= OUT1 ， OUT2 ， OUT3 ， OUT4 ） 。
VERSION
V2
包含两个输入/输出（输入= IN1 ， IN2 ;产出= OUT1 ， OUT2 ） 。
订货时请注明以下完整的型号。
产品型号
EM5060V1WP11
EM5060V1WS11
EM5060V2WP11
EM5060V2WS11
VERSION
V1
V1
V2
V2
死&供货形式
死在华夫格包， 11密耳厚
锯成片， 11密耳厚
死在华夫格包， 11密耳厚
锯成片， 11密耳厚
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体现在EM微电子，马林SA产品
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2002 EM微电子，马林SA ， 05/02版本B / 481
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2002年， EM微电子，马林SA
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IN1
X=312
IN1
X=65
NC
X=837
NC
X=65
X=-160
Y=-171
X=-160
Y=-171
VSS
X = 1082 ，Y = 0的
NC
X=1066
OUT1
X=294
OUT2
X=541
OUT3
X=819
NC
X=294
OUT1
X=541
OUT2
X=819
QQ：2880707522 复制
