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特点
初步
EM48AM1644LBB
256MB （ 4M
×
4Bank
×
16 ）同步DRAM
描述
该EM48AM1684LBB是同步动态
组织为随机存取存储器（SDRAM ）
2× 4组×2兆16位。所有的输入和
输出与正沿同步
时钟。
256MB的SDRAM使用同步流水线
体系结构来实现高速数据传输
利率和设计为1.8V低功率运行
存储器系统。它还提供了自动刷新
省电/睡眠模式。所有输入和输出
电压值与LVCMOS兼容。
可用的软件包： TFBGA 54B 12毫米X 8毫米。
2× 4组×2兆比特×16的组织（二
堆叠多芯片封装的128Mbit芯片）
完全同步的时钟上升沿
单1.8V
±0.1V
电源
LVCMOS兼容复用的地址
可编程突发长度1/ 2/4 /8 /全页
可编程CAS延迟（ C / L） - 2或3
数据掩码（ DQM ）的读/写屏蔽
可编程的缠绕顺序
- 顺序（B / L = 1/2/ 4/8 /全页）
- 交错（B / L = 4/8）
突发读单位的写操作
深度掉电模式。
自动刷新和自刷新
特殊功能的支持。
- PASR （部分阵列自刷新）
- 自动TCSR （温度补偿自
刷新）
可编程驱动强度控制
- 完全完全强度的强度或1/2 ， 1/4
4096刷新周期/ 64ms的（ 15.625us ）
订购信息
部件号
EM48AM1644LBB-75F
EM48AM1644LBB-75FE
组织
2死X 8M ×16
2死X 8M ×16
马克斯。频率
133MHz的@ CL3
133MHz的@ CL3
包
TFBGA -54B
TFBGA -54B
GRADE
广告
扩展温度。
Pb
免费
免费
* EOREX保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2006年7月
1/19
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针
F2
名字
CLK
初步
EM48AM1644LBB
引脚说明（简体）
功能
（系统时钟）
主时钟输入（主动的积极的上升沿）
（片选）
当激活时， CS注册的所有命令都被屏蔽
HIGH 。 CS提供了与外部系统的银行选择
多个存储体。 CS被认为是命令的一部分
CODE
（时钟使能）
激活在CLK时的“H”和停用时为“L” 。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新
命令。禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
（地址）
行地址（ A0至A11 ）由A0 ，在确定A11级
该行激活命令周期CLK上升沿。
CA （ CA0至CA8 ）由A0在读决心A8级别或
写指令周期CLK上升沿。
这列地址变成突发存取的起始地址。
A10限定所述预充电模式。当A10 =高在
预充电命令周期，所有的银行的预充电。
但低的预充电命令周期时A10 = ，仅
被选中BA0 / BA1该银行进行预充电。
（银行地址）
选择哪家银行是活跃。
（行地址选通）
锁存行地址，在CLK的正上升沿
与/ RAS “L”。让行存取&预充电。
（列地址选通）
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
（写使能）
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
（数据输入/输出掩码）
DQM控制I / O缓冲器。
（数据输入/输出）
DQ管脚具有相同的功能，在传统的I / O引脚
DRAM 。
（电源/接地）
V
DD
和V
SS
在电源引脚内部电路。
（电源/接地）
V
DDQ
和V
SSQ
在电源引脚的输出缓冲器。
（无连接）
该引脚建议将留在无连接
装置。
G9,E2
/CS0,/CS1
F3
CKE
H7,H8,J8,J7,J3,
J2,H3,H2,H1,G3,
H9,G2
A0~A11
G7,G8
F8
BA0 ， BA1
/ RAS
F7
/ CAS
F9
F1/E8
A8,B9,B8,C9,C8,
D9,D8,E9,E1,D2,
D1,C2,C1,B2,B1,
A2
A9,E7,J9/
A1,E3,J1
A7,B3,C7,D3/
A3,B7,C3,D7
E2
/ WE
UDQM / LDQM
DQ0~DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
2006年7月
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符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OP
T
英镑
P
D
初步
EM48AM1644LBB
绝对最大额定值
项
输入，输出电压
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
功耗
等级
-0.3 ~ +4.6
-0.3 ~ +4.6
广告
0 ~ +70
EXTENDED
-25 ~ +85
-55 ~ +150
1
单位
V
V
°C
°C
W
I
OS
短路电流
50
mA
注意：
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能
会造成永久性的损害。该装置不意味着以外的条件下进行操作
在本说明书中的操作部分中描述的限制。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
电容（ V
CC
= 3.3V ， F = 1MHz的，T
A
=25°C)
符号
C
CLK
C
I
C
O
参数
时钟电容
输入电容为CLK ， CKE ，地址，
/ CS ， / RAS ， / CAS ， / WE ， DQML ， DQMU
输入/输出电容
分钟。
4
4
6
典型值。
马克斯。
8
8
10
单位
pF
pF
pF
建议的直流工作条件（T
A
=0°C ~+70°C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入逻辑高电压
分钟。
1.65
1.65
0.8*V
DD
-0.3
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
1.95
1.95
V
DD
+0.3
0.3
单位
V
V
V
V
V
IL
输入逻辑低电压
注意：
*所有的电压被称为V
SS
.
* V
IH
（最大值） - V
DDQ
+ 1.5V的脉冲宽度为3ns
* V
IL
（分钟） = -1.0V脉冲宽度为3ns
2006年7月
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