____________________________________________
EM488M1644VTC
128MB ( 2Mx4Bankx16 )同步DRAM
特征
完全同步的时钟上升沿
单3.3V +/- 0.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
可编程的突发长度(B / L) - 1,2,4 , 8
或全页
可编程CAS延迟( C / L) - 2或3
数据掩码( DQM )的读/写屏蔽
可编程的缠绕顺序
–
连续的(B / L = 1/2/ 4/8 /全页)
–
交错(B / L = 1/2/4/8 )
突发读单位写操作
所有的输入进行采样的上升沿
系统时钟。
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的( 15.625us )
描述
该EM488M1644VTC是同步
动态随机存取存储器( SDRAM)的
组织为2Meg字× 4组×16
bits.All输入和输出的同步
在时钟的正边缘。
128MB的SDRAM使用的同步
流水线结构,以实现高
高速数据传输率,并设计成
工作在3.3V的低功耗内存系统。
它还提供了自动刷新电源
保存/关闭模式。所有输入和输出
电压电平与LVTTL兼容。
包: TSOPII 54P 400mil
订购信息
部件号
EM488M1644VTC -75F
EM488M1644VTC -7F
组织
马克斯。频率
8M X16
133MHz的@ CL3
8M X16
143MHz下@ CL3
包
54Pin TSOP (II)的
54Pin TSOP (II)的
动力
广告
广告
Pb
免费
免费
* EOREX保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
____________________________________________
EM488M1644VTC
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OP
T
英镑
P
D
I
OS
项
输入,输出电压
电源电压
工作温度
储存温度
功耗
短路电流
等级
-0.3 ~ 4.6
-0.3 ~ 4.6
0 ~ 70
-55 ~ 150
1
50
单位
V
V
°C
°C
W
mA
注意:
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件(大= 0 70 ° C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压( I / O缓冲器)
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
分钟。
3.0
3.0
2.0
-0.3
典型
3.3
3.3
典型
3.6
3.6
V
DD
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
注意:
1.简称VSS所有的电压。
2. V
IH
(最大) = 5.6伏脉冲宽度
≤3ns
3. V
IL
(分钟) = -2.0V脉冲宽度
≤
3ns
电容( VCC = 3.3V , F = 1MHz时, TA = 25 ° C)
符号
C
CLK
C
I
C
O
参数
时钟电容
输入电容为CLK , CKE ,地址, / CS ,
/ RAS , / CAS , / WE , DQML , DQMU
输入/输出电容
分钟。
2.5
2.5
4.0
马克斯。
3.5
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
2
____________________________________________
EM488M1644VTC
建议的直流工作条件
( VDD = 3.3V +/- 0.3 V ,TA = 0 70 ° C)
参数
工作电流
符号
I
CC1
测试条件
突发长度= 1 ,
85
t
RC
≥
t
RC
(分钟) ,我
OL
= 0 mA时,
一个活跃的银行
预充电待机
目前在掉电
模式
预充电待机
目前在非电力
Down模式
I
CC2NS
I
CC2N
CKE
≥
V
IL
(分钟),叔
CK
=15ns,
/ CS
≥
V
IH
(分钟)输入信号
在为30ns改变一次
CKE
≥
V
IL
(分钟),叔
CK
=
∞
输入信号是稳定的
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电
模式
I
CC3NS
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
CKE
≤
V
IL
(最大值),叔
CK
= 15ns的
CKE
≤
V
IL
(最大值),叔
CK
=
∞
CKE
≥
V
IL
(分钟) ,T
CK
= 15ns的,
/ CS
≥
V
IH
(分钟)输入信号
在为30ns改变一次
CKE
≥
V
IL
(分钟) ,T
CK
=
∞
输入信号是稳定的
工作电流
(突发模式)
刷新当前
自刷新电流
I
CC5
I
CC6
t
RC
≥
t
RC
(分)
CKE
≤
0.2V
I
CC4
t
CCD
≥
2CLKs ,我
OL
= 0毫安
110
170
3
mA
mA
3
4
mA
2
35
mA
10
10
45
mA
mA
mA
10
mA
35
mA
I
CC2P
I
CC2PS
CKE
≤
V
IL
(最大),叔
CK
- 15纳秒
CKE
≤
V
IL
(最大),叔
CK
=
∞
2.5
2.5
mA
mA
最大
单位备注
mA
mA
1
*
所有电压参考VSS 。
注意:
1. I
CC1
取决于输出负载和循环率。
指定的值与输出开路获得。
输入信号TCK过程中改变只有一个时间(min )
2. I
CC4
取决于输出负载和循环率。
指定的值与输出开路获得。
输入信号TCK过程中改变只有一个时间(min )
3.输入信号TCK过程中改变只有一个时间(分钟)
4.标准功耗版本。
3
____________________________________________
EM488M1644VTC
建议的直流工作条件(续)
参数
输入漏电流
符号
测试条件
I
IL
0
≤
V
I
≤
V
DDQ
, V
DDQ
=V
DD
所有其它引脚不能被测= 0 V
0
≤
V
O
≤
V
DDQ
, D
OUT
已禁用
IO = -4mA
IO = + 4毫安
分钟。
-0.5
马克斯。
+0.5
单位
uA
输出漏电流
高电平输出电压
低电平输出电压
I
OL
V
OH
V
OL
-0.5
2.4
+0.5
0.4
uA
V
V
AC运行试验条件
( V
DD
= 3.3V +/- 0.3 V ,TA = 0 70 ° C)
输出参考电平
输出负载
输入信号电平
输入信号的转换时间
输入参考电平
1.4V / 1.4V
见如下图
2.4V / 0.4V
2ns
1.4V
4
____________________________________________
EM488M1644VTC
工作交流特性
( VDD = 3.3V +/- 0.3 V ,TA = 0 70 ° C)
参数
符号
-7
-7.5
单位
笔记
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
时钟周期时间
从CLK访问时间
CLK高电平宽度
CLK低电平宽度
数据输出保持时间
数据输出高阻抗时间
数据输出低阻抗时间
输入保持时间
输入建立时间
主动对主动命令时期
主动到预充电命令期
预充电到激活命令时期
激活到读/写延迟时间
ACTIVE ( 1 )活动(另一个)命令
读/写命令到读/写
命令
数据到预充电命令
数据在突发停止命令
数据输出为高阻
从预充电命令
刷新时间( 4096周期)
CL = 3
CL = 2
t
EF
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
t
LZ
t
IH
t
IS
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RCD
t
RRD
t
CCD
0
1
1.5
62
42
3
3
2
1
100k
0
1
1.5
67
45
3
3
2
1
100k
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
t
CH
t
CL
t
OH
t
HZ
2.5
2.5
3
3
7
t
CK
t
AC
7
7.5
5.4
5.4
2.5
2.5
3
3
7
7.5
10
5.4
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
2
2
2
2
2
t
DPL
t
BDL
t
ROH
2
1
3
2
64
2
1
3
2
64
CLK
CLK
CLK
CLK
ms
*
所有电压参考VSS 。
注意:
1.太赫兹限定在其中的输出达到开路的时间
条件,而不是参考输出电压电平。
2.这些参数占时钟周期的数目和
依赖于时钟的操作频率,如下所示:
时钟周期的数目=的定时/时钟周期指定的值
(计数部分作为一个整体数目)
5
eorex
特点
完全同步的时钟上升沿
单3.3V
±0.3V
电源
LVTTL与复用地址兼容
可编程突发长度(B / L) - 1 , 2 , 4 , 8
或全页
可编程CAS延迟( C / L) - 2或3
数据掩码( DQM )的读/写屏蔽
可编程的缠绕顺序
- 顺序(B / L = 1/2/ 4/8 /全页)
- 交错(B / L = 1/2/4/8 )
突发读单位的写操作
所有输入进行采样,在上升沿
系统时钟
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的( 15.6us )
EM488M1644VTC
128MB ( 2M
×
4Bank
×
16 )同步DRAM
描述
该EM488M1644VTC是同步动态
组织为随机存取存储器(SDRAM )
2Meg字× 4银行由16位。所有的输入和
输出与正沿同步
时钟。
128MB的SDRAM使用同步流水线
体系结构来实现高速数据传输
率,并设计在3.3V低功率运行
存储器系统。它还提供了自动刷新
省电/睡眠模式。所有输入和输出
电压电平与LVTTL兼容。
可用的软件包: TSOPII 54P 400mil 。
订购信息
部件号
EM488M1644VTC-75F
EM488M1644VTC-7F
组织
8M ×16
8M ×16
马克斯。频率
133MHz的@ CL3
143MHz下@ CL3
包
54pin TSOP ( LL )
54pin TSOP ( LL )
GRADE
广告
广告
Pb
免费
免费
* EOREX保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2006年7月
1/17
www.eorex.com
eorex
引脚分配
EM488M1644VTC
54pin TSOP - II / ( 400mil
×
875mil ) / ( 0.8毫米引脚间距)
2006年7月
2/17
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eorex
引脚说明(简体)
针
38
19
名字
CLK
/ CS
EM488M1644VTC
功能
(系统时钟)
主时钟输入(主动的积极的上升沿)
(片选)
选择芯片时有效
(时钟使能)
激活在CLK时的“H”和停用时为“L” 。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新
命令。禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
(地址)
行地址( A0至A11 )由A0 ,在确定A11级
该行激活命令周期CLK上升沿。
CA ( CA0至CA8 )由A0在读决心A8级别或
写指令周期CLK上升沿。
这列地址变成突发存取的起始地址。
A10限定所述预充电模式。当A10 =高在
预充电命令周期,所有的银行的预充电。
但低的预充电命令周期时A10 = ,仅
被选中BA0 / BA1该银行进行预充电。
(银行地址)
选择哪家银行是活跃。
(行地址选通)
锁存行地址,在CLK的正上升沿
与/ RAS “L”。让行存取&预充电。
(列地址选通)
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
(写使能)
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
(数据输入/输出掩码)
DQM控制I / O缓冲器。
(数据输入/输出)
DQ管脚具有相同的功能,在传统的I / O引脚
DRAM 。
(电源/接地)
V
DD
和V
SS
在电源引脚内部电路。
(电源/接地)
V
DDQ
和V
SSQ
在电源引脚的输出缓冲器。
(无连接)
该引脚建议将留在无连接
装置。
37
CKE
23~26, 22, 29~35
A0~A11
20, 21
18
BA0 , BA1
/ RAS
17
/ CAS
16
39/15
2, 4, 5, 7, 8, 10,
11, 13, 42, 44, 45,
47, 48, 50, 51, 53
1,14,27/
28,41,54
3, 9, 43, 49/
6, 12, 46, 52
36,40
/ WE
UDQM / LDQM
DQ0~DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
2006年7月
3/17
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eorex
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OP
T
英镑
P
D
项
输入,输出电压
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
功耗
EM488M1644VTC
等级
-0.3 ~ +4.6
-0.3 ~ +4.6
广告
0 ~ +70
EXTENDED
-25 ~ +85
-55 ~ +150
1
单位
V
V
°C
°C
W
I
OS
短路电流
50
mA
注意:
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能
会造成永久性的损害。该装置不意味着以外的条件下进行操作
在本说明书中的操作部分中描述的限制。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
电容( V
CC
= 3.3V , F = 1MHz的,T
A
=25°C)
符号
C
CLK
C
I
C
O
参数
时钟电容
输入电容为CLK , CKE ,地址,
/ CS , / RAS , / CAS , / WE , DQML , DQMU
输入/输出电容
分钟。
2.5
2.5
4.0
典型值。
马克斯。
3.5
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
建议的直流工作条件(T
A
=-0°C ~+70°C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
参数
电源电压
电源电压( I / O缓冲器)
输入逻辑高电压
分钟。
3.0
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
3.3
马克斯。
3.6
3.6
V
DD
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
V
IL
输入逻辑低电压
注意:
*所有的电压被称为V
SS
.
* V
IH
(最大) = 5.6伏为脉冲宽度为3ns
* V
IL
(分钟) = -2.0V脉冲宽度为3ns
2006年7月
4/17
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