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特点
完全同步的时钟上升沿
单1.8V +/- 0.1V电源
LVCMOS兼容复用的地址
可编程突发长度（B / L） - 1 ， 2 ， 4 ， 8
或全页
可编程CAS延迟（ C / L） - 2或3
数据掩码（ DQM ）的读/写屏蔽
可编程的缠绕顺序
- 顺序（B / L = 1/2/ 4/8 /全页）
- 交错（B / L = 1/2/4/8 ）
突发读单位的写操作
深度掉电模式。
特殊功能的支持。
- PASR （部分阵列自刷新）
- 自动TCSR （温度补偿自
刷新）
可编程驱动强度控制
- 完全完全强度的强度或1/2 ， 1/4
自动刷新和自刷新
8,192刷新周期/ 64ms内（ 7.8us ）
EM48AM3284LBA
512MB （ 4M
×
4Bank
×
32 ）同步DRAM
描述
该EM48AM3284LBA是同步动态
组织为随机存取存储器（SDRAM ）
4Meg字× 4银行由32位。所有的输入和
输出与正沿同步
时钟。
512MB的SDRAM使用同步流水线
体系结构来实现高速数据传输
利率和设计为1.8V低功率运行
存储器系统。它还提供了自动刷新
省电/睡眠模式。所有输入和输出
电压值与LVCMOS兼容。
可用的软件包： TFBGA - 90B （ 13mmx11mm ） 。
订购信息
部件号
EM48AM3284LBA-75F
EM48AM3284LBA-75FE
组织
16M ×32
16M ×32
马克斯。频率
133MHz的@ CL3
133MHz的@ CL3
包
TFBGA-90B
TFBGA-90B
GRADE
广告
扩展温度。
Pb
免费
免费
* EOREX保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2007年7月
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引脚分配
1
DQ26
DQ28
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSS
A4
A7
CLK
DQM1
VDDQ
VSSQ
VSSQ
DQ11
DQ13
DQ24
VDDQ
DQ27
DQ29
DQ31
DQM3
A5
A8
CKE
NC
DQ8
DQ10
DQ12
VDDQ
DQ15
2
VSS
VSSQ
DQ25
DQ30
NC
A3
A6
A12
A9
NC
VSS
DQ9
DQ14
VSSQ
VSS
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
VDD
EM48AM3284LBA
7
DQ23
8
DQ21
DQ19
9
VDDQ
DQ22
DQ17
NC
A2
A10
NC
BA0
/ CAS
VDD
DQ6
DQ1
VDDQ
VDD
VSSQ
DQ20
DQ18
DQ16
DQM2
A0
BA1
/ CS
/ WE
DQ7
DQ5
DQ3
VSSQ
DQ0
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDD
A1
A11
/ RAS
DQM0
VSSQ
VDDQ
VDDQ
DQ4
DQ2
90ball TFBGA / （13毫米X 11毫米）
2007年7月
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引脚说明（简体）
针
J1
J8
名字
CLK
/ CS
EM48AM3284LBA
功能
（系统时钟）
主时钟输入（主动的积极的上升沿）
（片选）
选择芯片时有效
（时钟使能）
激活在CLK时的“H”和停用时为“L” 。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新
命令。禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
（地址）
行地址（ A0至A11 ）由A0 ，在确定A11级
该行激活命令周期CLK上升沿。
CA （ CA0至CA8 ）由A0在读决心A8级别或
写指令周期CLK上升沿。
这列地址变成突发存取的起始地址。
A10限定所述预充电模式。当A10 =高在
预充电命令周期，所有的银行的预充电。
但低的预充电命令周期时A10 = ，仅
选择由BA该银行进行预充电。
（银行地址）
选择哪家银行是活跃。
（行地址选通）
锁存行地址，在CLK的正上升沿
与/ RAS “L”。让行存取&预充电。
（列地址选通）
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
（写使能）
锁存器地址栏上的积极上升沿
与CLK / CAS低。启用列的访问。
（数据输入/输出掩码）
DQM控制I / O缓冲器。
J2
CKE
G8,G9,F7,F3,G1,
G2,G3,H1,H2,J3,
G7,H9,H3
A0~A12
J7,H8
J9
BA0,BA1
/ RAS
K7
/ CAS
K8
K9,K1,F8,F2
R8,N7,R9,N8,P9,
M8,M7,L8,L2,M3,
M2,P1,N2,R1,N3,
R2,E8,D7,D8,B9,
C8,A9,C7,A8,A2,
C3,A1,C2,B1,D2,
D3,E2
A7,F9,L7,R7/
A3,F1,L3,R3
B2,B7,C9,D9,E1,
L1,M9,N9,P2/B8,
B3,C1,D1,E9,L9,
M1,N1,P8
E3,E7,H7,K2,
K3
2007年7月
/ WE
DQM0~DQM3
DQ0~DQ31
（数据输入/输出）
DQ管脚具有相同的功能，在传统的I / O引脚
DRAM 。
V
DD
/V
SS
（电源/接地）
V
DD
和V
SS
在电源引脚内部电路。
（电源/接地）
V
DDQ
和V
SSQ
在电源引脚的输出缓冲器。
（无连接）
该引脚建议将留在无连接
装置。
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V
DDQ
/V
SSQ
NC
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绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OP
T
英镑
P
D
项
输入，输出电压
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
功耗
EM48AM3284LBA
等级
-0.5 ~ +2.3
-0.5 ~ +2.3
广告
0 ~ +70
EXTENDED
-25 ~ +85
-55 ~ +125
1
单位
V
V
°C
°C
W
I
OS
短路电流
50
mA
注意：
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能
会造成永久性的损害。该装置不意味着以外的条件下进行操作
在本说明书中的操作部分中描述的限制。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
电容（ V
CC
=1.8V
±
0.1V ， F = 1MHz的，T
A
=25°C)
符号
C
CLK
C
I
C
O
参数
时钟电容
输入电容为CLK ， CKE ，地址，
/ CS ， / RAS ， / CAS ， / WE ， DQML ， DQMU
输入/输出电容
分钟。
2.0
2.0
3.5
典型值。
马克斯。
4.5
4.5
6.0
单位
pF
pF
pF
建议的直流工作条件（T
A
=0°C ~70°C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入逻辑高电压
分钟。
1.7
1.7
0.8*V
DDQ
-0.3
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
1.9
1.9
V
DDQ
+0.3
0.3
单位
V
V
V
V
V
IL
输入逻辑低电压
注意：
*所有的电压被称为V
SS
.
* V
IH
（最大） = 2.3V为脉冲宽度为5ns
* V
IL
（分钟） = -0.5V脉冲宽度为5ns
2007年7月
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