EM微电子
- MARIN SA
EM4450
EM4550
1千位读/写非接触式识别装置
描述
该EM4450 / 4550是CMOS集成电路意
在电子阅读使用/写射频转发器。该
EM4450和EM4550之间的区别是， EM4550
被撞到具有megapads为两个线圈。该芯片
含有1千比特的EEPROM ，可以通过被配置成
用户，允许写入禁止区域，读保护
区域，并连续读出区域输出功率上。
该存储器可以使用32位的密码被固定
所有的写入和读取受保护的操作。密码
可以更新，但从来不看。固定的代码序列
数量和设备标识被激光编程
使每一个芯片独一无二的。
的EM4450 / 4550将数据发送到收发信机
调制电磁场的振幅，并
接收以类似的方式数据和命令。简单
命令将使写入EEPROM ，更新
密码，读取一个特定的存储区域，并且重置
的逻辑。
该调谐电路的线圈是唯一的外部元件
必需的，所有剩余的功能集成在芯片上。
特点
1 Kbit的EEPROM的组织在32个字的32位
32位器件序列号（只读激光ROM）
32位设备标识（只读激光ROM）
上电复位序列
电源检查EEPROM写操作
用户定义的读取存储区，在开机
用户定义的禁止写入存储区
用户定义的读保护存储区
数据传输通过调幅执行
两个数据速率选项2大骨节病（ Opt64 ）或4千桶（ Opt32 ）
场频位周期= 64或32期
170 pF的± 2％，在芯片上谐振电容
-40至+ 85°C温度范围
100到150 kHz的场频范围
芯片整流器和电压限幅器
由于无需外部电源缓冲电容
低功耗
可以在大规模生产和印刷电路板和芯片的形式
CID包样品。
应用
票务
汽车防盗与滚动码
高安全性免提访问控制
工业自动化与便携式数据库
制造自动化
预付费设备
典型工作配置
Coil2
L
EM4450
Coil1
电感在125 kHz的典型值是9.6毫亨
Fig.1
版权
2003年， EM微电子，马林SA
1
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EM4450
EM4550
框图
调制器
编码器
只读存储器
EEPROM
+V
coil2
coil1
C
r
交流/直流
变流器
电压
调节器
C
s
POW ER
控制
RESET
写使能
时钟
EXTRACTOR
数据
EXTRACTOR
SEQUENCER
命令
解码器
控制
逻辑
图。 2
系统原理
收发器
要发送的数据
要转发
调制器
转发
振荡器
天线
司机
线圈1
EM4450
数据
解码器
筛选&
收益
解调器
线圈2
数据接收
从
转发
接收模式
信号ON
应答器线圈
读模式
信号ON
收发器线圈
信号ON
收发器线圈
信号ON
应答器线圈
RF载波
数据
RF载波
数据
图。 3
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EM4450
EM4550
绝对最大额定值
参数
符号
最大交流峰值电流
I
COIL
致于COIL1和COIL2
电源
V
DD
V
最大
最大电压等垫
V
民
最小电压等垫
储存温度
T
商店
静电放电
最大
V
ESD
以MIL -STD- 883C的方法
3015
条件
= 30毫安
-0.3 3.5 V
V
DD
+0.3V
V
SS
-0.3V
-55到+ 125°C
2000V
强调以上这些上市最大额定值可能会造成永久性损坏设备。曝光超越规定
操作条件下可能影响器件可靠性或导致故障。
办理程序
该器件具有内置保护，防止高静电电压或电场;但是，防静电措施必须是
取作为任何其它的CMOS组件。除非另有说明，否则正确的操作只能发生在所有终端
电压被保持在电压范围内。未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑电平。
工作条件
参数
工作温度
最大线圈电流
交流电压线圈上
供应频率
符号最小值
T
op
-40
I
COIL
V
COIL
f
COIL
100
单位
°C
mA
注1
V
pp
150千赫
最大
+85
10
注1 ：
最大电压是通过强制10毫安上Coil1定义 - Coil2 。
电气特性
V
DD
=2.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 125 kHz的正弦波，V
COIL
= 1V
pp
, T
op
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
条件
民
典型值
最大
电源电压
V
DD
2.3
3.2
最低EEPROM写
2
V
DDee
电压
电源检查EEPROM写
I
PWcheck
V
DD
= 2.8V
32
电源电流/读
I
rd
读取模式
3
就给电流/写
I
wr
写模式（V
DD
= 2.8V)
22
0.50
V
（ COIL1 - VSS ）
＆放大器; V
（ COIL2 - VSS ）
I
COIL
= 100A
调制器对电压降
V
ON
2.50
V
（ COIL1 - VSS ）
＆放大器; V
（ COIL2 - VSS ）
I
COIL
= 5毫安
单稳态触发器
T
单声道
35
85
谐振电容器
C
r
166.6
170
173.4
Powercheck水平
V
PWcheck
2
2.7
上电复位电平高
V
公屋
瑞星供应
1
1.5
时钟提取输入分钟。
V
CLKmin
最小电压为时钟提取
0.25
25
V
clkmax
时钟提取最多输入。
马克斯。电压检测调制停止
EEPROM数据的耐力
N
cy
全部删除/写入所有在V
DD
= 3.5 V
100'000
EEPROM保留
T
RET
TOP = 55°C后100'000个周期（注2 ）
10
注2 ：
根据千小时在150℃下
单位
V
V
A
A
A
V
V
s
pF
V
V
V
pp
mV
pp
周期
岁月
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EM4450
EM4550
时序特性
V
DD
=2.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 125 kHz的正弦波，V
COIL
= 1V
pp
,
T
op
= 25°C
除非另有说明
所有定时都来源于场频和被指定为数字射频周期..
参数
符号
条件
价值
单位
Opt64
选项：每64位时钟
阅读位周期
t
RDB
64
RF期
LIW / ACK / NACK模式持续时间
t
PATT
320
RF期
读1个字时长
t
RDW
包括LIW
3200
RF期
处理暂停时间
t
pp
64
RF期
写访问时间
t
wa
64
RF期
初始化时间
t
INIT
2112
RF期
EEPROM的写入时间
t
凌晨
V
DD
= 3V
3200
RF期
Opt32
选项：每位32个时钟周期
阅读位周期
t
RDB
32
RF期
LIW / ACK / NACK模式持续时间
t
PATT
160
RF期
读1个字时长
t
RDW
包括LIW
1600
RF期
处理暂停时间
t
pp
32
RF期
写访问时间
t
wa
32
RF期
初始化时间
t
INIT
1056
RF期
EEPROM的写入时间
t
凌晨
V
DD
= 3V
2624
RF期
射频段表示由收发器单元发射的载波频率的周期。例如，如果125千赫时：
读位周期（ Opt64 ）将是： 1 / 125'000 * 64 = 512微秒，并读取时间1个字： 1 / 125'000 * 3200 = 25.6毫秒。
读位周期（ Opt32 ）将是： 1 / 125'000 * 32 = 256微秒，并读取时间1个字： 1 / 125'000 * 1600 = 12.8毫秒。
关注
由于线圈的信号的振幅调制，时钟提取器可能会遗漏的时钟或者添加伪时钟紧密
到RF包络线的边缘。这种不同步会不会是每位大于± 3个时钟周期，必须
显影阅读器软件时考虑进去。
功能说明
一般
的EM4450 / 4550是通过电磁场感应的附加盘管上的装置提供。的交流电压进行整流
为了提供一个直流内部电源电压。当直流电压穿越开机级，芯片进入
标准读模式，并不断地发送数据。该数据将在该模式下用户定义的发送由存储在第一和
最后的地址而输出。当最后一个地址发送，该芯片将继续与第一个地址，直到收发器
发送一个请求。在读模式中，一个监听窗口（LIW ）的每个字之前产生。在这段时间内，所述
EM4450 / 4550将转到接收模式（ RM） ，如果它接收到有效的RM模式。该芯片则需要一个有效的命令。
操作模式
POW ER-在
INIT
标准
读取模式
GET命令
NO
接受
模式
要求？
是的
执行命令
注册
写字
写密码
选择性阅读
发送瓦特ORD
RESET
图。 4
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EM4450
EM4550
存储结构
1024位EEPROM组织在32个字的32位。第3字被分配给该密码，则
保护字和控制字。为了写这三个词中的一个，它必须发送的有效
密码。在制作时， EM4450 / 4550自带的密码编程逻辑"0".密码的所有位
不能被读出。存储器包含激光ROM两个额外的单词。在这些字的激光编程
制造的每片，是独特的，并且不能被改变。
存储器映射
位0
WORD 0
1
3
928位用户
EEPROM
31
32
33
设备序列号
设备Identi科幻阳离子
激光
激光
------------------------------
密码
保护WORD
控制字
31位
EE
EE
EE
EE
控制字
0–7
第一个字读
8 – 15
最后一个字读
16
密码检查开/关
17
写后读开/关
18 – 31
用户可用
保护WORD
0–7
第一个字读保护
8 – 15
最后一个字读保护
16 – 23
第一个字写禁止
24 – 31
最后一个字写禁止
密码
只写 - 不读访问
设备识别字&
序列号字
激光编程 - 只读
Fig.5
手段上的位设置为逻辑“1”
OFF表示位设置为逻辑“0”
标准读模式
经过上电复位和一个命令完成后，芯片将执行标准读模式，将在其中
通过不断从词的第一个字读（ FWR ）和Last之间定义的内存段发送数据，字
字读（ LWR ） 。当最后一个字是输出，该芯片将继续与第一个字，直到收发器发送一个
请求。如果FWR和LWR是相同的，相同的字将被重复地发送。监听窗口（ LIW）产生
每个字前检查，如果收发信机发送数据。在LIW具有320的持续时间（160选择32）在RF周期
场。 FWR和LWR必须被编程为有效地址（ FWR
≤
LWR和
≤
33).
由EM4450发送的词语/ 4550包括32个数据位和奇偶位。奇偶校验位不被存储在EEPROM中，
但同时产生如下所述的消息被发送。奇偶校验是偶数行和列，这意味着该
的"1's"总数为偶数（包括校验位） 。
文字组织（字0到33 ）
第一位输出
D0
D8
D16
D24
PC0
D1
D9
D17
D25
PC1
D2
D10
D18
D26
PC2
D3
D11
D19
D27
PC3
D4
D12
D20
D28
PC4
数据
D5
D13
D21
D29
PC5
D6
D14
D22
D30
PC6
行偶校验
D7
D15
D23
D31
PC7
P0
P1
P2
P3
0
列甚至Partiy
最后位输出
逻辑“0”
图。 6
当一个字读保护的，则输出将包含在45位设置为逻辑"0".该密码将用于输出
正确读取受保护的内存区域。
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