eorex
特点
初步
EM42AM1684RBA
256MB （ 4M
×
4Bank
×
16)
双倍数据速率SDRAM
描述
该EM42AM1684RBA是高速同步
图形内存制造具有超高性能
含268435456位CMOS工艺，
组织为4Meg字× 4银行由16位。
256MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。
数据路径内部预取多个比特和
它传输的datafor上升沿和下降沿
该系统的clock.It指一倍数据
带宽可以在I / O引脚来实现。
可用的软件包： FBGA - 60B （ 12mmx10mm ） 。
内部双数据速率的架构2
每个时钟周期的访问。
单2.5V
±0.2V
电源
2.5V SSTL - 2兼容的I / O
突发长度为2 （B / L） ， 4 ， 8
2,2.5,3时钟读取延迟
双向，间歇性数据选通（ DQS ）
除了数据和DM所有输入进行采样
在系统时钟的上升沿。
数据掩模（DM）写入数据
顺序&交错突发类型可用
每个突发访问自动预充电选项
DQS边沿对齐与读周期数据
DQS中心对齐与写周期的数据
DLL对齐DQ & DQS转换与CLK
过渡
自动刷新和自刷新
8,192刷新周期/ 64ms的
订购信息
部件号
EM42AM1684RBA-75F
EM42AM1684RBA-6F
组织
16M ×16
16M ×16
马克斯。频率
为133MHz / DDR266 @ CL3
为166MHz / DDR333 @ CL3
包
BGA-60B
BGA-60B
GRADE
广告
广告
Pb
免费
免费
* EOREX保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2006年7月
1/19
www.eorex.com
eorex
引脚分配
1
VSSQ
DQ14
DQ12
DQ10
DQ8
VREF
2
DQ15
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSS
CLK
A12
A11
A8
A6
A4
初步
EM42AM1684RBA
3
VSS
DQ13
DQ11
DQ9
UDQS
UDM
/ CLK
CKE
A9
A7
A5
VSS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
7
VDD
DQ2
DQ4
DQ6
LDQS
LDM
/ WE
/ RAS
BA1
A0
A2
VDD
8
DQ0
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VDD
/ CAS
/ CS
BA0
A10/AP
A1
A3
9
VDDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
NC
60ball FBGA / （12毫米X 10毫米x10 1.2毫米）
2006年7月
2/19
www.eorex.com
eorex
针
名字
45,46
CLK ， / CLK
初步
EM42AM1684RBA
引脚说明（简体）
功能
（系统时钟）
时钟输入有效的积极的上升沿，除了DQ和
DM是活跃在DQS的两个边缘上。
CLK和/ CLK是差分时钟输入。
（片选）
/ CS使命令解码器时， “L”和禁用
当“H” 。新命令是过度命令解码器
指令译码器被禁止，但以前看的时候
操作仍然会继续。
（时钟使能）
激活在CLK时的“H”和停用时为“L” 。
当关闭时钟， CKE低标志着掉电或
自刷新模式。
（地址）
行地址（A0至A12）和Calumn地址（ CA0至CA8 ）是
复用相同的引脚。
CA10定义了Calumn地址自动预充电。
（银行地址）
选择哪家银行是活跃。
（行地址选通）
锁存行地址，在CLK的与正上升沿
/ RAS “L”。让行存取&预充电。
（列地址选通）
锁存列地址在CLK的正上升沿
与/ CAS低。启用列的访问。
（写使能）
锁存列地址在CLK的正上升沿
与/ CAS低。启用列的访问。
（数据输入/输出）
数据输入和输出都与DQS的两个边缘同步。
（数据输入/输出掩码）
糖尿病对照数据inputs.LDM对应于数据上
DQ0 DQ7.UDM对应于DQ8 DQ15的数据。
（数据输入/输出）
数据输入和输出复用在相同的针。
（电源/接地）
V
DD
和V
SS
在电源引脚内部电路。
（电源/接地）
V
DDQ
和V
SSQ
在电源引脚的输出缓冲器。
（无连接/留作将来使用）
该引脚建议留在设备上的连接。
（输入）
SSTL - 2基准电压输入缓冲区。
24
/ CS
44
CKE
28~32,35~42
A0~A12
26, 27
23
BA0 ， BA1
/ RAS
22
/ CAS
21
16/51
20/47
2, 4, 5, 7, 8, 10,
11, 13, 54, 56, 57,
59, 60, 62, 63, 65
1,18,33/
34,48,66
3, 9, 15, 55.61/
6, 12, 52, 58,64
14,17,19,25,43,
50,53
49
/ WE
LDQS / UDQS
LDM / UDM
DQ0~DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC / RFU
V
REF
2006年7月
3/19
www.eorex.com
eorex
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OP
T
英镑
P
D
I
OS
初步
EM42AM1684RBA
绝对最大额定值
项
输入，输出电压
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
功耗
短路电流
等级
-0.3 ~ +3.6
-0.3 ~ +3.6
广告
0 ~ +70
EXTENDED
-25 ~ +85
-55 ~ +150
1
50
单位
V
V
°
C
°
C
W
mA
注意：
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能
会造成永久性的损害。该装置不意味着以外的条件下进行操作
在本说明书中的操作部分中描述的限制。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
电容（ V
CC
= 2.5V ， F = 1MHz的，T
A
=25°
C)
符号
C
CLK
C
I
C
O
参数
电容时钟（CLK ， / CLK ）
输入电容为CKE ，地址， / CS ，
/ RAS ， / CAS ， / WE
DM ， Data&DQS输入/输出电容
分钟。
2.5
2.5
4.0
典型值。
马克斯。
4.0
4.5
6.5
单位
pF
pF
pF
建议的直流工作条件（T
A
=-0° ~+70°C)
C
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
I / O逻辑高电压
I / O终端电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
分钟。
2.3
2.3
1.15
V
REF
-0.04
V
REF
+0.18
-0.3
典型值。
2.5
2.5
1.25
马克斯。
2.7
2.7
1.35
V
REF
+0.04
V
DDQ
+0.3
V
REF
-0.18
单位
V
V
V
V
V
V
2006年7月
4/19
www.eorex.com
QQ：800888908 复制
