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EM微电子
- MARIN SA
EM4150
EM4350
1千位READ / WRITE
非接触式识别装置
描述
该EM4150 / EM4350 （以前称为P4150 / P4350 ）
是一个CMOS集成电路设计用于在电子
读/写射频转发器。该芯片包含1千位的
EEPROM中，可以由用户进行配置，从而使一
写禁止区，在读保护的区域，和一个读
面积连续输出功率上。该内存不能
通过使用32位密码都写固定和
读取受保护的操作。密码可以被更新，
但从来没有读过。固定编码序列号和设备
标识是由激光使每一个芯片
独一无二的。
的EM4150将数据发送到收发信机
调制电磁场的振幅，并
接收以类似的方式数据和命令。简单
命令将使写入EEPROM ，以更新
密码，读取一个特定的存储区域，并且重置
的逻辑。
该调谐电路的线圈是唯一的外部元件
必需的，所有剩余的功能集成在芯片上。
EM4150和EM4350之间的唯一区别在于
EM4150配备了标准尺寸的焊盘，而
EM4350带有超大（万）垫，非常适合使用
与上模凸块（图27） 。
特点
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□
1 Kbit的EEPROM的组织在32个字的32位
32位器件序列号（只读激光ROM）
32位设备标识（只读激光ROM）
上电复位序列
电源检查EEPROM写操作
用户定义的读取存储区，在开机
用户定义的禁止写入存储区
用户定义的读保护存储区
数据传输通过振幅进行
调制
两个数据速率选项2大骨节病（ Opt64 ）或4个大骨节病
(Opt32)
场频位周期= 64或32期
170 pF的± 2％，在芯片上谐振电容
-40至+ 85°C温度范围
100到150 kHz的场频范围
芯片整流器和电压限幅器
由于无需外部电源缓冲电容
低功耗
票务
汽车防盗与滚动码
高安全性免提访问控制
工业自动化与便携式数据库
制造自动化
预付费设备
应用
□
□
□
□
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□
典型工作配置
引脚分配
线圈2
L
COIL2
COIL2
EM4150
线圈1
COIL1
COIL1
EM4150
线圈1
线圈2
电感频率为125 kHz的典型值是9.5毫亨
图。 1
线圈端子/时钟输入
线圈端子
图。 2
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EM4150
EM4350
绝对最大额定值
参数
最大交流峰值电流
致于COIL1和COIL2
电源
最大电压等垫
最小电压等垫
储存温度
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
方法3015
符号
I
COIL
V
DD
V
最大
V
民
T
商店
V
ESD
条件
±
30毫安
-0.3 6.0V
V
DD
+ 0.3V
V
SS
– 0.3V
-55 °至125°C
1000V
办理程序
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，防静电
应采取预防措施作为用于任何其它的CMOS
组件。
除非另有说明，否则正确的操作只能
当所有的端电压保持在该发生
电源电压范围。
工作条件
参数
操作
温度
最大线圈
当前
交流电压上
COIL
供应频率
符号
T
op
I
COIL
V
COIL
f
COIL
100
1)
150
民
-40
典型值
最大
+85
10
单位
°C
mA
VPP
千赫
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件的可靠性
或导致故障。
注1 ） ：最大电压是通过强制10毫安上Coil1-定义
Coil2
TRANCEIVER
要发送的数据
要转发
调制器
转发
Coil1
振荡器
天线
司机
EM4150
Coil2
滤波器
和
收益
解调器
数据解码器
数据接收
从转发
读取模式
信号ON
应答器线圈
接收模式
信号ON
收发器线圈
信号ON
收发器线圈
信号ON
应答器线圈
RF载波
数据
RF载波
数据
图。 3
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EM4350
电气特性
V
DD
= 2.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 125 kHz的正弦波，V
COIL
= 1V
pp
, T
op
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号测试条件
民
电源电压
V
DD
2.0
2.6
V
DDee
最低EEPROM写
电压
电源检查EEPROM写
I
PWcheck
V
DD
= 3V
电源电流/读
就给电流/写
调制器对电压降
谐振电容器
上电复位电平高
时钟提取输入分钟。
时钟提取最多输入。
EEPROM数据的耐力
EEPROM保留
I
rd
I
wr
V
ON
C
r
V
公屋
V
CLKmin
V
clkmax
N
cy
T
RET
读取模式
写模式（V
DD
= 3V)
V
(COIL1–Vss)
和V
(COIL2-Vss)
I
COIL
= 100A
V
(COIL1–Vss)
和V
(COIL2-Vss)
I
COIL
= 5毫安
166.5
瑞星供应
最小电压为时钟提取
最大电压检测调制停止
全部删除/写入所有在V
DD
= 5V
T
op
= 55°C后100'000个周期（注1 ）
1.0
50
100'000
10
170
2.0
典型值
最大
5.5
单位
V
V
A
A
A
V
V
pF
V
V
pp
mV
pp
周期
岁月
80
3.0
40
5.0
70
0.50
2.50
173.5
2.6
注1 ：
根据千小时在150℃下
时序特性
V
DD
= 2.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 125 kHz的正弦波，V
COIL
= 1V
pp
, T
op
= 25 ° C除非另有说明
所有定时都来源于场频和被指定为数字射频周期。
参数
选项：每64位时钟
阅读位周期
LIW / ACK / NACK模式持续时间
读1个字时长
处理暂停时间
写访问时间
初始化时间
EEPROM的写入时间
选项：每位32个时钟周期
阅读位周期
LIW / ACK / NACK模式持续时间
读1个字时长
处理暂停时间
写访问时间
初始化时间
EEPROM的写入时间
符号
Opt64
trdb
tpatt
Trdw
TPP
TWA
TINIT
彧
Opt32
trdb
tpatt
Trdw
TPP
TWA
TINIT
彧
32
160
1600
32
32
1056
2624
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
64
320
3200
64
64
2112
3200
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
测试条件
价值
单位
包括LIW
VDD = 3V
包括LIW
VDD = 3V
射频段表示由transciever单元发射的载波频率的周期。例如，如果125千赫时：
读位周期（ Opt64 ）将是： 1 / 125'000 * 64 = 512微秒，并读取时间1个字： 1 / 125'000 * 3200 = 25.6毫秒。
读位周期（ Opt32 ）将是： 1 / 125'000 * 32 = 256微秒，并读取时间1个字： 1 / 125'000 * 1600 = 12.8毫秒。
关注
由于线圈的信号的振幅调制，时钟提取器可能会遗漏的时钟或者添加伪时钟紧密
到RF包络线的边缘。这种不同步会不会是每位大于± 3个时钟周期，必须
显影阅读器软件时考虑进去。
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EM4150
EM4350
框图
串行数据
调制器
编码器
只读存储器
+V
线圈2
Cr
电压
规
EEPROM
VDD
线圈1
交流/直流
转换器具
r
GND
Cs
动力
控制
RESET
写使能
时钟
EXTRACTOR
SEQUENCER
控制
逻辑
数据
EXTRACTOR
命令
解码器
图。 4
功能说明
一般
的EM4150通过电磁方式供给
场感应所连接的线圈上。交流电压
整流以提供直流内部电源电压。
当直流电压超过电源上水平，
芯片进入标准模式读取和发送数据
不断。的数据以这种方式被发送的用户
通过存储在第一和最后地址为确定
输出。当最后一个地址发送，该芯片将
继续与该第一地址直到所述收发器发送
一个请求。在读模式中，一个监听窗口（ LIW）是
每个字之前产生。在这段时间内，所述
EM4150将转向接收模式（ RM） ，如果它接收到
一个有效的RM模式。该芯片则需要一个有效的
命令。
操作模式
POWER- ON
INIT
标准
读取模式
31
32
33
存储结构
1024位EEPROM组织在32个字的32
位。第3字被分配给该密码
保护字和控制字。为了
写这三个词中的一个，它必须发送
有效的密码。在制作时， EM4150来
编程为逻辑"0"密码的所有位。
密码不能被读出。存储器包含
两个额外的词激光ROM 。这些话是激光
制作每一个芯片编程过程中，是独一无二的
并且不能被改变。
存储器映射
位0
WORD 0
1
2
密码
保护WORD
控制字
928位用户
EEPROM
设备序列号
设备Identi科幻阳离子
激光
激光
31位
EE
EE
EE
EE
GET命令
No
接受
模式
要求？
是的
执行命令
注册
写字
写密码
选择性阅读
RESET
控制字
0 - 7第一个字读
8 - 15最后一个字读
16口令检查开/关
17写后读开/关
18 - 31用户可用
保护WORD
0 - 7第一个字读保护
8 - 15最后一个字读保护
16 - 23的第一个字写禁止
24 - 31最后一个字写禁止
密码
只写 - 没有读取访问
设备识别字&
序列号字
激光编程 - 只读
寄语
手段上的位设置为逻辑“1”
OFF表示位设置为逻辑“0”
图。 6
图。五
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EM4150
EM4350
标准读模式
经过上电复位和一个完成时
命令，芯片将执行标准读
模式，其中，将通过连续发送的数据，字
从初之间所限定的存储器部分字
字读（ FWR ）和最后一个字读（ LWR ） 。当
最后一个字是输出，该芯片将继续与第
字，直至收发器发送一个请求。如果FWR和
LWR是相同的，相同的字将被发送
重复。监听窗口（ LIW）产生
之前的每个字，以检查收发信机发送
数据。在LIW具有320的持续时间（160选择32）期间
的RF场。 FWR和LWR必须被编程
为有效地址（ FWR
≤
LWR和
≤
33).
由EM4150发送的字包括32个数据位
和奇偶位。奇偶校验位不被存储在所述
EEPROM中，但同时产生的消息被发送作为
如下所述。奇偶即使是行数和
列的，也就是说"1's"的总数是偶数
（包括校验位） 。
接收模式
要激活接收模式，接收器发送到
该芯片对RM图案（而在经调制的相位
一听窗口LIW ） 。该EM4150将停止发送
在接收到一个有效的RM数据。该芯片然后期望
一个命令。在RM模式由2位"0" SENT
由收发信机。发送的第一个位"0"是要
在64 （32选择32）期间检测到其中的
调制是在LIW "ON" 。
产量
字N
LIW
输入
RM
命令
RM ：两个连续的位设置为逻辑"0"
图。 9
COMMANDS
该命令是由9位：八个数据
位，一个偶校验位（共"ones"量
甚至包括校验位） 。
命令位
00000001 1
00010001 0
00010010 0
功能
注册
写密码
写字
有选择地读取模式
RESET
文字组织（字0到32 ）
第一位输出
数据
行偶校验
D0
D8
D16
D24
PC0
D1
D9
D17
D25
PC1
D2
D10
D18
D26
PC2
D3
D11
D19
D27
PC3
D4
D12
D20
D28
PC4
D5
D13
D21
D29
PC5
D6
D14
D22
D30
PC6
D7
D15
D23
D31
PC7
P0
P1
P2
P3
0
列偶校验
最后位输出
逻辑"0"
图。 7A
00001010 0
10000000 1
当一个字读保护的，则输出将包括
45位设置为逻辑"0".该密码将用于
输出正确的读受保护的存储器区域。
文字组织（ 33字）
C0
ID2
R0
CK0
PC0
C1
C2
ID3 ID4
R1
R2
CK1 CK2
PC1 PC2
C3
C4
ID5 ID6
R3
R4
CK3 CK4
PC3 PC4
C5 ID0
ID7 ID8
R5
R6
CK5 CK6
PC5 PC6
ID1
ID9
R7
CK7
PC7
P0
P1
P2
P3
0
第一位
收到
奇偶校验位
图。 10
C0 - C5
： P4150代码设置为十六进制的32
ID0 - ID9
：版本代码
R0 - R7 / CK0 - CK7 ： EM保留，和校验位
有选择地读取模式
选择性读取模式，用于读取比其它数据
该FWR和LWR之间。进入选择性
阅读模式，在收发过程中有一个LIW送
接收模式模式（ RM）打开EM4150的
接收模式。然后选择性阅读模式
命令是由收发信机，随后由第一发
和最后地址被读取。该FWR和LWR是
然后由新地址取代，该芯片是
以同样的方式作为标准读模式下工作。
该控制字是不是由该命令修改，并
下一个标准的读操作模式将与
原来FWR和LWR （所选区域读取一次和
然后芯片返回到标准读模式） 。
阅读这些读保护的话，一个登录
命令必须由收发器之前，发送
选择性的读命令。登录命令是
对所有需要后续命令只能使用一次
密码。
图。 7B
阅读顺序
POR
INIT
产量
LIW LIW
FWR
LIW FWR + 1
LWR LIW LIW
FWR
LIW
LIW
D0-D7
P0 D8 -D15
P1 D16 - D23 P2 D24 - D31 P3 PC0 - PC7
"0"
T0时期：
32 32
128
16 16
64
1位 - 64 T0期（ Opt64 ）
32 T0期（ Opt32 ）
64
32
64
32
(Opt64)
(Opt32)
数据
编码数据
T 0 =周期RF载波频率的
图。 8
版权
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