EM微电子
- MARIN SA
EM4069
EM4169
128位读/写非接触式识别装置
与OTP功能
描述
EM4069 （以前称为P4069 ）是一款CMOS集成
电路适用于在电子读取/写入射频使用
转发器，一个可选的锁定功能禁用
EEPROM写操作。
该IC是通过从一个拾取的能量供电的
通过外部的线圈连续的125 kHz的磁场，
这连同整合电容器形成
谐振电路。该IC读取数据的，从它的内部
EEPROM或ROM中，并且将其通过接通和
关的电阻负载并联到线圈。命令和
EEPROM数据更新可以通过AM执行
在125千赫兹的磁场调制。
在上电时的EM4069进去默认模式，其中它
不断地（没有任何停顿）发送从128位
EEPROM 。在某个特定的命令的传输，
64位特有的激光打码输出。其他命令
在EEPROM写入和锁定的数据是可用的。
该EM4169 （以前称为P4169 ）是一样的
设备，但大的颠簸（百万片）所示的
本数据手册的第13页。所有指定的参数和
描述是适用于EM4169设备。
特点
组织在8个字的16位128位EEPROM
64位固定码存储器阵列的激光编程
在OTP功能转换EEPROM字只读
上电复位序列
开机检查EEPROM写操作
数据
传输
执行
by
振幅
调制（ IC读者和读者IC）
数据编码：曼彻斯特或双相（ FDX -B ）
传输读者芯片：通常65 ％AM
调制
数据速率：每64位或32射频场周期
（ 2 k波特或4 k波特频率为125 kHz ）
78 pF的谐振电容集成在芯片上
100至150千赫兹的频率范围
片内整流器和限压器
无需外部电源缓冲电容器
-40至+ 85°C温度范围
非常低的功耗
应用
访问控制
动物识别
物资保障
典型工作配置
引脚分配
VSS
VSS
L
C1
EM4069
C1
EM4069
对于电感L的典型值是20.7mH在f
O
= 125KHz的
图。 1
图。 2
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EM4069
EM4169
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源
输入电压（焊盘TST ，
TCP ， TIO ）
在COIL1输入电流
在COIL1输入电压
储存温度
静电放电
MIL -STD- 883C方法3015
符号
V
DD
V
针
I
COIL1
V
COIL1
T
商店
V
ESD
条件
-0.3 + 5.5V
- 0.3
VDD+0.3V
-30
+30mA
-10 + 10V
-55
+125°C
1000V
办理程序
该器件还内置了防静电高
电压或电场。然而由于独特的
该器件的性能，防静电预防措施
被视为对任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生
当所有的端电压保持电源内
电压范围。
工作条件
V
SS
= 0V
参数
工作温度
在线圈1的交流电压
最大线圈电流
在线圈1的频率
符号
T
OP
V
COIL1
I
COIL1
F
COIL1
分钟。
-40
-10
100
典型值。
+25
*
125
MAX 。单位
+85
°C
VPP
10
mA
150
千赫
* ）最大电压是由强制10毫安定义
Coil1 - Vss的
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。超越曝光
指定的电气特性可能会影响设备
可靠性或导致故障。
电参数和功能
保证当电路被曝光。
不
电气特性
除非另有规定： V
DD
= 1.0V至5.5V ，T
A
= -40至+ 125°C 。
参数
稳压电源
注册。电压读数的EEPROM （注3）
在读模式下电源电流
注册。电压写入EEPROM
电源电流写入模式
电源检查电压
调制器对电压降
调制器对电压降
POR水平
时钟提取
峰值检测阈值。
峰值检波器迟滞
谐振电容器（注1）
EEPROM数据保留（注2 ）
EEPROM写周期
注1 ：
注2 ：
注3 ：
符号
V
DD
V
RD
I
RD
V
WR
I
WR
V
PC
V
on1
V
on2
V
POR
V
COIL1
V
pd
V
PDH
C
R
T
RET
N
CY
条件
I
COIL1
= 10毫安
分钟。
3.0
2.0
2.5
典型值。
3.5
3.8
马克斯。
4.0
5,5
100
3.15
1.75
4.5
2.20
4.6
200
V
DD
= 3.5 V
I
COIL1
=
±100A
I
COIL1
=
±1
mA
上升沿
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 3.3 V
32千赫， 0.3Vpp
T
OP
= 55°C
V
DD
= 3.6 V
2.4
1.2
3
1.5
0.5
3.2
20
10
100000
50
2.8
1.45
3.6
1.85
4
100
78
单位
V
V
A
V
A
V
V
V
V
V
PP
V
PP
mV
pF
岁月
周期
谐振电容器的值可以在的范围内变化
±
12%
统计数据显示在一个很大的电容的变化
±
5%.
这些数字给出唯一信息。
基于1,000小时150℃。
V
RD
必须高于V更高
POR
的水平。
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时序特性
V
DD
= 3.0 V, V
SS
= 0 V，F
COIL1
= 125 kHz方波，V
COIL1
= 5V ，T
OP
= 25℃ ，除非另有说明
参数
选项：每64位RF期
阅读位周期
EEPROM的写入时间
同步模式1期
同步模式第2阶段
同步模式， 3相
选项：每32位RF期
阅读位周期
EEPROM的写入时间
同步模式1期
同步模式第2阶段
同步模式， 3相
符号
t
RDB
t
凌晨
t
S1
t
S2
t
S3
条件
分钟。
典型值。
64
马克斯。
单位
RF期
ms
ms
ms
ms
20
4.1
1.5
1.5
5.0
2.0
4.0
t
RDB
t
凌晨
t
S1
t
S2
t
S3
32
20
2.1
0.8
0.8
2.5
1.0
2.0
RF期
ms
ms
ms
ms
射频段表示由收发器单元发射的载波频率的周期。
参见图12为同步模式的阶段。
由于线圈的信号的振幅调制，时钟提取器可能会遗漏的时钟或者添加接近伪时钟
在RF包络的边缘。这种不同步会不会大于
±
每比特的3个时钟脉冲，并且必须考虑到
开发阅读软件时，帐号。
框图
时钟
EXTRACTOR
数据
EXTRACTOR
SEQUENCER
EEPROM
调制器
VDD
COIL1
C
R
VSS
VSS
控制
逻辑
动力
供应
C
BUF
电源
RESET
RESET
只读存储器
图。 3
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功能说明
该IC通过一个集成的构建及其电源
整流器。当它被放置在磁场中的直流
内部电压开始增加。
只要电源是比上电复位低
（ POR ）阈值时，电路处于复位状态，以防止
不可靠的操作。在这种模式下，调制器开关是
关。
电源电压后，越过POR阈值时，
电路中去读取模式和定期的发送
128位数据从EEPROM中。
上电复位的电源设计有一个250mV的典型
滞后。在直流电气规定值
特性表指示高电平切换
门槛。那些在电源电压已经达到这个水平，
在读模式下，器件的工作并重新进入复位模式下，如果
下阈值之下的电源电压下降
(~V
POR
- 为250mV ） 。
在阅读模式下，IC周期性地发送或者128
从EEPROM或64位的数据从ROM中，如果数据位
命令2已经被发送。该位是曼彻斯特或双
相位编码，并发出开关调制器加载在
平行于线圈ON和OFF。所读出的过程是
连续只要功率重复没有任何停顿
等级大于POR阈值低。
当IC是在读模式下操作在检查线圈
信号每比特周期。如果它检测到一个特定的阅读器
磁场的感应幅度调制它停止
调制，并等待一个命令字。在该情况下的
EEPROM写指令被检测到的内容
选择EEPROM字被修改。读ROM命令
将改变输出序列由所提供的数据
连续激光ROM 。
复位命令返回到初始模式作为后一
上电复位。
VDD
VPOR
迟滞
t
RESET
P4069活动
EM4069活动
t
图。 4
时钟提取
时钟提取器将产生一个系统时钟
频率对应于所述RF场的频率。
系统时钟用于定序，以产生所有
内部时序。
数据提取
所产生的收发字段将振幅
调制以传输数据至EM4069 。数据
提取器解调所述输入信号，以产生
逻辑电平，并且输入的数据进行解码。
调制器
数据调制器是通过从输出的串行数据驱动
该收发器。该调制器将以此为大电流
从两个线圈端子，从而振幅调制射频
根据所选择的存储器中的数据字段。
块描述
上电复位（ POR ）
当其连接线圈EM4069进入一个
电磁场，内置于AC / DC变换器将
供应芯片。的直流电压进行监视，并在复位
信号被产生来初始化的逻辑。开机
复位是为了确保该芯片还提供
将开始发放正确的数据。
提供迟滞，以避免不当操作的
限制级别。
AC / DC转换器和电压限幅器
交流/直流转换器完全集成在芯片上和意愿
提取案发现场的射频功率。内部
直流电压将被钳位，以避免高电压在强
射频场。
全部锁定/锁定内存区域
的EM4069可以转换为一个只读芯片或者是
配置由读/写和只读区
编程的保护字。这种构造可以
被锁定的写入禁止写保护字。
大，应注意在做这个手术，因为
没有进一步的可能性，以改变它的写保护
字。该控制字也可以在受保护的
相同的方式从而冻结的写入操作。
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EM4169
操作EM4069模式
空闲
RF场检测
INIT
该EM4069另外拥有独特的64位只读
识别码，这可以通过使用访问
读ROM命令。
曼彻斯特编码
一个位周期持续64 （或32 ）场频周期
（ 512 （或256 ）
s
在125千赫） 。曼彻斯特编码
示出从ON到OFF或从OFF到ON的转变
比特周期的中间。在从逻辑位的转变“1”
到逻辑比特“0”或逻辑比特“0”到逻辑“1”位的相位
改变。数据流的值"high"下文提出
代表调制器开关OFF ， "low"代表
开关（参见图6a ） 。
RESET
命令
EEPROM读取模式
同步模式
命令完成
双相位编码
命令状态
图。五
读取模式
该EM4069拥有128位用户EEPROM 。这些128
位在默认情况下周期性地读出。使用write
命令时， EEPROM的话可以修改。该
EEPROM包含使用一个额外的配置字
保护写入EEPROM中
一个位周期持续64 （或32 ）场频周期
（ 512 （或256 ）
s
在125千赫） 。双相编码显示
从ON到OFF或从OFF到ON的转变
中间的，当数据位是一个逻辑位周期为“0” 。一
逻辑位设置为“1 ”，将保持其打开或关闭状态的
整个比特周期。总是有从ON到一个过渡
关或从关到开在一个位周期的开始。
下图显示的数据流的一部分。值
“高”的数据流的代表调制器的负载断开，
“低”表示调制器的负载（参见图6B ） 。
曼彻斯特编码
二进制数据
内存输出
调制器控制
X
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
0
0
1
1
0
调制控制“低”是指高电流
图。 6A
双相位编码
二进制数据
内存输出
调制器控制
0
1
1
0
1
0
0
1
调制控制“低”是指高电流
图。 6B
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